一种外延反应室专用盖板及外延反应室的制作方法

本实用新型涉及半导体外延技术，特别是涉及一种外延反应室专用盖板及外延反应室。

背景技术：

在外延生产过程中，温度稳定是外延机台稳定运行的保证，而钟罩观察窗在外延过程中的洁净程度直接影响了温度的稳定。现有技术中的外延反应腔组件，譬如，意大利LPE(Liquid Phase Epitaxial，液相外延)公司的PE3061D外延炉的反应腔组件，其由钟罩、热壁、基座、测温装置、激光探头等组成。热壁在激光探头处留有圆孔，用于基座的定位；钟罩留有观察窗，用于基座温度的检测和控制。现有反应腔组件如图1所示。

外延生长时，反应气体易从热壁圆孔流出，与钟罩内侧接触。随着钟罩维护清洗次数的增多，其内侧粗糙度逐渐变差。在温度为1000℃以上，流出的反应气体易在内侧淀积，导致钟罩观察窗处模糊，直接影响了温度的控制，进而导致外延产品参数超标，甚至报废。

钟罩观察窗模糊，测温装置检测到的温度低，为达到设定温度，功率将不断升高，反应腔内实际温度随之升高，反应气体在钟罩观察窗处淀积加剧，进而导致机台温度报警。

钟罩观察窗模糊，激光探头探测路线受到干扰，影响了基座的“找零点”定位，导致机台报警，增加了维护成本。

因此，亟待解决上述问题。

技术实现要素：

实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种能够防止反应气体从热壁圆孔流出的外延反应室专用盖板及外延反应室。

技术方案：本实用新型所述的外延反应室专用盖板，包括盖板本体，盖板本体上设有定位机构，定位机构用于将盖板本体固定在外延反应室的热壁上。

进一步，所述定位机构与盖板本体相垂直。

进一步，所述定位机构为三个定位脚。

进一步，所述定位脚与盖板本体的总厚度为2.5mm～5mm。

进一步，所述盖板本体厚度不超过2mm。

本实用新型所述的外延反应室，采用所述的盖板，盖板盖设在外延反应室的热壁圆孔处，定位机构与热壁之间固定连接。

进一步，所述定位机构设于盖板本体上远离激光探头的一端。这样盖板正对激光探头的区域就只有盖板本体，比较薄，能够有效减小激光折射的角度，不影响激光对基座的定位。

进一步，所述定位机构为三个定位脚，热壁上设有与三个定位脚相适配的三个孔，三个定位脚插入三个孔中。

有益效果：本实用新型的盖板能够盖住外延反应室的热壁圆孔，能够极大减少反应气体在钟罩观察窗上的接触与淀积，从而稳定了机台温度功率的控制，杜绝了外延片电阻率异常的产生，减少了机台温度报警。通过定位机构能够防止盖板在热壁上滑动。

附图说明

图1为现有技术的外延反应室的剖视图；

图2为本实用新型具体实施方式的盖板的俯视图；

图3为本实用新型具体实施方式的盖板的侧视图；

图4为本实用新型具体实施方式的外延反应室的剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，对本实用新型的技术方案作进一步的介绍。

图1为现有技术中的外延反应室的剖视图，包括外延反应腔，基座7安装于外延反应腔内，外延反应腔的热壁8上设有热壁圆孔81，外延反应室上还设有钟罩观察窗9，钟罩观察窗9上方设有激光探头10和测温探头13。

本具体实施方式公开了一种外延反应室专用盖板，如图2和图3所示，包括盖板本体11和三个定位脚12，定位脚12设于盖板本体11一端，并垂直于盖板本体11。盖板本体11采用石英制成，厚度为1.5mm。盖板本体11加上定位脚12的总厚度为5mm。

本具体实施方式还公开了一种外延反应室，如图4所示，包括外延反应腔，基座3安装于外延反应腔内，外延反应腔的热壁2上设有热壁圆孔21，外延反应室上还设有钟罩观察窗4，钟罩观察窗4的上方设有激光探头5和测温探头6。热壁圆孔21处设有盖板1，盖板1的三个定位脚12位于盖板1远离激光探头5的一端，这样定位脚12就不会影响激光定位。热壁2上设有三个孔，三个定位脚12插入三个孔中，这样盖板1就与热壁2之间固定了，盖板1就不会在热壁2上滑动。

虽然本发明通过实施例进行了描述，但实施例并非用来限定本发明。本领域技术人员可在本发明精神的范围内，做出各种变形和改进，所附的权利要求应包括这些变形和改进。本发明针对平板外延炉反应腔用盖板装置进行了描述，但不局限于平板外延炉用，也可用于外延等相关领域。