电子级多晶硅还原炉的制作方法

技术特征：

1.一种电子级多晶硅还原炉，包括底盘和罩在所述底盘上的钟罩式炉体，所述底盘上设有多对电极、多个喷嘴和至少一个排气口，其特征在于，所述多个喷嘴按由内向外半径依次增大的n层同心圆分层排列，其中n为2或3；所述同心圆以所述底盘中心为中心点，所述喷嘴为直管；同心圆半径从小至大依次为第1喷嘴层、……第n喷嘴层，位于第1喷嘴层上的喷嘴出口方向与所述底盘垂直，位于其余喷嘴层的喷嘴出口方向朝向还原炉垂直中心线且与所述底盘成75～85度夹角。

2.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述第1喷嘴层的喷嘴内径为10～15mm，所述其余喷嘴层的喷嘴内径为5～10mm。

3.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述多对电极按由内向外半径依次增大的m层同心圆分层排列，其中m为2或3，所述同心圆以所述底盘中心为中心点，同心圆半径从小至大依次为第1电极层、……第m电极层，喷嘴层和电极层交错排列，第1喷嘴层位于第1电极层和底盘中心之间。

4.根据权利要求3所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述m为2，所述多对电极为12对电极，第1电极层均匀分布4对电极，所述4对电极形成第1正方形，第2电极层均匀分布8对电极；所述n为2，所述多个喷嘴为8个，第1喷嘴层和第2喷嘴层分别均匀分布4个喷嘴，所述第1喷嘴层的4个喷嘴形成第2正方形，所述第2喷嘴层的4个喷嘴形成第3正方形；所述第1正方形、第2正方形和第3正方形的4条边相互平行。

5.根据权利要求4所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述第1喷嘴层的半径比第1电极层的半径小50～75mm，所述第2喷嘴层的半径为第1电极层和第2电极层的半径平均值。

6.根据权利要求3所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述m为3，所述多对电极为24对电极，第1电极层均匀分布4对，所述4对电极形成第1正方形，第2电极层均匀分布8对电极，第3电极层均匀分布12对电极；所述n为3，所述多个喷嘴为16个，第1喷嘴层和第2喷嘴层分别均匀分布4个喷嘴，第3喷嘴层均匀分布8个喷嘴，所述第1喷嘴层的4个喷嘴形成第2正方形，所述第2喷嘴层的4个喷嘴形成第3正方形；所述第1正方形、第2正方形和第3正方形的4条边相互平行。

7.根据权利要求6所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述第1喷嘴层的半径比第1电极层的半径小50～75mm，所述第2喷嘴层的半径为第1电极层和第2电极层半径的平均值，所述第3喷嘴层的半径为第2电极层和第3电极层半径的平均值。

8.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉体的材质为银钢复合板。

9.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述喷嘴与所述底盘螺纹连接。

10.根据权利要求1所述的一种电子级多晶硅还原炉，其特征在于，所述至少一个排气口设在第1喷嘴层和第1电极层之间。