技术总结
本实用新型公开了一种电子级多晶硅还原炉，还原炉包括底盘和罩在底盘上的炉体，底盘上设有多对电极、多个喷嘴和至少一个排气口，多个喷嘴按由内向外半径依次增大的n层同心圆分层排列；喷嘴为直管；同心圆半径从小至大依次为第1喷嘴层、……第n喷嘴层，位于第1喷嘴层上的喷嘴出口方向与底盘垂直，位于其余喷嘴层的喷嘴出口方向朝向还原炉垂直中心线且与底盘成75～85度夹角。喷嘴新的排列方式，有效保证了还原炉内气体和温度分布均匀，降低了炉体内的流动死区和局部高温区本实用新型可以将爆米花料比例控制在0～10％，还原电耗在50～65Kw*h/Kg Si。
技术研发人员：高召帅;李钊;吴锋;于跃;吴鹏
受保护的技术使用者：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
文档号码：201721264719
技术研发日：2017.09.29
技术公布日：2018.04.17