一种晶片的黑化方法及黑化后晶片与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种晶片的黑化方法，晶片包括钽酸锂晶片或者铌酸锂晶片，该方法可使晶片的导电率增大，黑化程度更高且更均匀，该方法在高温环境中，将还原材料不与晶片直接接触进行黑化反应，解决了钽酸锂晶片或者铌酸锂晶片黑化效果不佳、黑化均匀度低的技术问题，得到低透光率，且透光率均匀分布。

技术研发人员：陈铭欣;杨孟学;王学武;吴柯宏;刘明章;王士玮;林飞
受保护的技术使用者：福建晶安光电有限公司
技术研发日：2018.02.02
技术公布日：2019.08.16