本发明涉及薄膜材料技术领域，更具体地，涉及一种中等硬度抗硫化性能优良的LED封装硅胶。
背景技术：
LED的硫化是使用过程中经常发生的问题，它是由于硫或含硫物质在一定温度、湿度条件下，硫与银发生化学反应生成黑色二硫化银的过程，硫化后的LED表现为支架黑化不良，光通量下降明显。因此，抗硫化是LED封装硅胶一项十分重要的性能要求。现市场上有两种封装硅胶抗硫化的技术方案：其一，有机硅改性硅树脂方案，代表产品是日本信越公司的SCR1018，SCR1018的抗硫化性能是优异的，但是其耐温不佳，最高耐温120℃；其二，单纯提高封装硅胶硬度以达到增强抗硫化性能的方案，国内很多抗硫化性能较好，封装硅胶均属于这一类型，但是上述封装硅胶普遍存在固化后易裂胶、封装硅胶与灯杯及芯片的粘结性差、LED灯珠抗冷热冲击性能差等问题。
技术实现要素：
针对上述现有技术中的不足之处，本发明的目的在于提供一种中等硬度抗硫化性能优良的LED封装硅胶，使得LED灯珠经封装后的耐温性、抗裂胶性、封装硅胶与灯杯及芯片的粘结性、抗冷热冲击性等均衡良好。
本发明的上述目的是通过以下技术方案予以实现的。
一种中等硬度抗硫化性能优良的LED封装硅胶，由重量比A:B=1：4的A、B双组分构成，所述A、B组分分别按以下重量份数配比：
A组分：由基料（1）20~40份、基料（2）60~80份及微量Pt剂加工制成；
B组分：由基料（1）60~80份、基料（3）10~30份、基料（4）8~16份、增粘剂1~3份及微量阻聚剂加工制成；
其中：
基料（1）为端侧烯基苯基硅树脂，其整体平均结构式为(PhSiO1.5)m1(Ph2SiO)m2(ViMeSiO)m3(ViMe2SiO0.5)m4，即m1摩尔苯基三烷氧基硅烷、m2摩尔二苯基二烷氧基硅烷、m3摩尔乙烯基甲基二烷氧基硅烷、m4摩尔乙烯基二甲基烷氧基硅烷；m1=18~30、m2=3~12、m3=2~10、m4=2~6；
基料（2）为含烯基硅油，其整体平均结构式为(PhMeSiO)n1(Ph2SiO)n2(ViMe2SiO0.5)n3，即n1摩尔苯基甲基二烷氧基硅烷、n2摩尔二苯基二烷氧基硅烷、n3摩尔乙烯基二甲基烷氧基硅烷；n1=1~3、n2=1~6、n3=0.5~2；
基料（3）为含硅氢基硅树脂，其整体平均结构式为(PhSiO1.5)p1(HMe2SiO0.5)p2，即p1摩尔苯基三烷氧基硅烷、p2/2摩尔含氢双封头，p1=1~3、p2=2~10；
基料（4）为端侧硅氢基硅油，其整体平均结构式为(Ph2SiO)q1(HMeSiO)q2(HMe2SiO0.5)q3，即q1摩尔二苯基二烷氧基硅烷、q2摩尔(HMeSiO)计的的高含氢硅油、q3/2含氢双封头；q1=1~3、q2=1~6、q3=0.5~2。
所述LED封装硅胶固化后形成交联密度较均衡的立体网状结构，从而使其抗硫化性、耐温性、抗裂胶性、封装硅胶与灯杯及芯片的粘结性、抗冷热冲击性等均衡良好。
优选的，所述A组分按以下重量份数配比加工制成：基料（1）30份、基料（2）70份及微量Pt剂。
优选的，所述B组分按以下重量份数配比加工制成：基料（1）66份、基料（3）20份、基料（4）12份、增粘剂2份及微量阻聚剂。
优选的，所述基料（1）中m1=23~25、m2=7~8、m3=6、m4=4；所述基料（2）中n1=2、n2=3~4、n3=1~1.5；所述基料（3）中p1=2、p2=6；所述基料（4）中q1=2~3、q2=3~4、q3=1~1.5。
与现有技术相比，本发明有益效果在于：
1）固化后的硬度在25℃时：（50±5）HD；
2）硫化腐蚀2835单晶灯珠，1g升华硫/1000ml，进行80℃*5h烘烤，光通量衰减<5%；
3）耐温性>150℃，不会产生裂胶、脱模、黄变现象；
4）抗冷热冲击：在（-40℃至125℃），进行200次回合，无死灯，（脱模、裂胶）不良率<5%；
综上所述：这种中等硬度抗硫化性能优良的LED封装硅胶，具有抵抗环境的污染、湿气、冲击、震动等的影响，可在广泛的温度，湿度及其恶劣环境条件下保持其光学特性、物理机械性能的良好。
具体实施方式
以下将结合各实施例的技术方案对本发明进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施例，都属于本发明所保护的范围。
本发明中所述Pt剂、增粘剂、阻聚剂均为市场上销售购得；Pt剂、阻聚剂的用量采用本领域的常规用量，均可以制得本发明所述产品。
以下具体实施方式中所述LED封装硅胶的制备均采用现有制备方法，各实施例及对比例的制备步骤相同。
实施例1
一种中等硬度抗硫化性能优良的LED封装硅胶，由重量比A:B=1：4的A、B双组分构成，所述A、B组分分别按以下重量份数配比：
A组分：由基料（1）30份、基料（2）70份及0.3份Pt剂加工制成；
B组分：由基料（1）66份、基料（3）20份、基料（4）12份、增粘剂2份及0.1份阻聚剂加工制成；
其中：
基料（1）为端侧烯基苯基硅树脂，其整体平均结构式为(PhSiO1.5)m1(Ph2SiO)m2(ViMeSiO)m3(ViMe2SiO0.5)m4，即m1摩尔苯基三烷氧基硅烷、m2摩尔二苯基二烷氧基硅烷、m3摩尔乙烯基甲基二烷氧基硅烷、m4摩尔乙烯基二甲基烷氧基硅烷；m1=24、m2=7.5、m3=6、m4=4；
基料（2）为含烯基硅油，其整体平均结构式为(PhMeSiO)n1(Ph2SiO)n2(ViMe2SiO0.5)n3，即n1摩尔苯基甲基二烷氧基硅烷、n2摩尔二苯基二烷氧基硅烷、n3摩尔乙烯基二甲基烷氧基硅烷；n1=2、n2=3.5、n3=1.5；
基料（3）为含硅氢基硅树脂，其整体平均结构式为(PhSiO1.5)p1(HMe2SiO0.5)p2，即p1摩尔苯基三烷氧基硅烷、p2/2摩尔含氢双封头，p1=2、p2=6；
基料（4）为端侧硅氢基硅油，其整体平均结构式为(Ph2SiO)q1(HMeSiO)q2(HMe2SiO0.5)q3，即q1摩尔二苯基二烷氧基硅烷、q2摩尔(HMeSiO)计的的高含氢硅油、q3/2含氢双封头；q1=2.5、q2=3.5、q3=1。
实施例2
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，所述A组分：由基料（1）20份、基料（2）80份及0.3份Pt剂加工制成；B组分：由基料（1）80份、基料（3）10份、基料（4）8份、增粘剂2份及0.1份阻聚剂加工制成；其它相同。
实施例3
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，所述A组分：由基料（1）40份、基料（2）60份及0.3份Pt剂加工制成；B组分：由基料（1）60份、基料（3）23份、基料（4）16份、增粘剂1份及0.1份阻聚剂加工制成；其它相同。
实施例4
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，所述基料（1）中m1=18、m2=12、m3=10、m4=2；其它相同。
实施例5
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，所述基料（2）中n1=2、n2=6、n3=2；其它相同。
实施例6
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，所述基料（3）中p1=3、p2=4；其它相同。
实施例7
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，所述基料（4）中q1=1、q2=6、q3=0.5；其它相同。
对比例1
本实施例的LED封装硅胶与实施例1基本相同，不同之处在于，A、B双组分的重量比为A:B=1：1；其它相同。
对比例2
一种中等硬度抗硫化性能优良的LED封装硅胶大体与实施例相同，由重量比A:B=1：4的A、B双组分构成，所述A、B组分分别按以下重量份数配比：
A组分：由基料（1）30份、基料（2）70份及0.3份Pt剂加工制成；
B组分：由基料（1）50份、基料（3）23份、基料（4）25份、增粘剂2份及0.1份阻聚剂加工制成；
其中：基料（1）中m1=16、m2=7.5、m3=6、m4=10；其它相同。
将实施例1~7与对比例1~2制得的LED封装硅胶进行性能测试，结果见下表：
注：*硫化腐蚀条件为：硫化腐蚀2835单晶灯珠，1g升华硫/1000ml，进行80℃*5h烘烤；**冷热冲击条件为：在（-40℃至125℃），进行200次回合。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案。