技术特征：1.一种碳化硅基板，所述碳化硅基板包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面，并且所述碳化硅基板由具有4h多型的碳化硅制成，其中，
所述第一主表面的最大直径为140mm以上，
所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面，并且
在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm-1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm-1以下。
2.根据权利要求1所述的碳化硅基板，其中，所述碳化硅基板的厚度为300μm以上且600μm以下。
技术总结本公开的碳化硅基板为包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面的碳化硅基板，并且由具有4H多型的碳化硅制成。所述第一主表面的最大直径为140mm以上。所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面。在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm‑1以下。
技术研发人员：冲田恭子;本家翼
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2018.10.29
技术公布日：2020.10.16