技术特征：
技术总结
本发明公开了一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，包括如下步骤：(1)取二硫化钼粉末加热处理，向加热处理后的二硫化钼粉末中加入液氮，待液氮气化后再重复加热和加液氮步骤若干次；(2)将步骤(1)的产物与分散溶剂混合，获得第一混合溶液；(3)将步骤(2)的第一混合溶液进行水浴超声处理，获得第二混合溶液；(4)对步骤(3)得到的第二混合溶液进行离心处理，离心完成后取上层清液再次进行离心处理，离心完成后取上层清液，即可。本发明的方法制备得到的二硫化钼纳米片纯度高，制备效率高，尺寸超薄。
技术研发人员：陈润锋;王宏磊;黄维
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2019.04.15
技术公布日：2019.06.14