氮化镓晶体生长装置及其生长方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种氮化镓晶体生长装置及其生长方法。该氮化镓晶体生长装置包括反应容器，所述反应容器内设置原料区和结晶区，所述原料区和所述结晶区中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区和所述结晶区在所述反应容器的轴向上交替分布。本发明的氮化镓晶体生长装置能够提高氮化镓晶体的生长速度和结晶质量，同时能够减少原料的损失。

技术研发人员：乔焜;高明哲;林岳明
受保护的技术使用者：上海玺唐半导体科技有限公司
技术研发日：2019.07.10
技术公布日：2019.09.03