一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法与流程

文档序号:19160998发布日期:2019-11-16 01:22阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液,其特征在于,包含如下体积百分比的组分:盐酸30%~70%、双氧水0%~35%、醋酸20%~70%。

2.如权利要求1所述的腐蚀液,其特征在于,包含如下体积百分比的组分:盐酸40%~60%、双氧水0%~10%、醋酸30%~60%。

3.如权利要求2所述的腐蚀液,其特征在于,包含如下体积百分比的组分:盐酸60%、双氧水10%、醋酸30%。

4.如权利要求1所述的腐蚀液,其特征在于,所述盐酸为质量分数36%~38%的盐酸,所述双氧水为质量分数30%~32%的双氧水,所述醋酸为质量分数99.7%~100%的醋酸。

5.一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀方法,其特征在于,所述腐蚀方法采用权利要求1~4任一项所述的腐蚀液。

6.如权利要求5所述的腐蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)用酒精浸泡磷化铟晶片;

(2)然后用去离子水冲洗磷化铟晶片表面;

(3)将步骤(2)冲洗后的磷化铟晶片放入腐蚀液中浸泡;

(4)然后用去离子水冲洗磷化铟晶片表面,并干燥磷化铟晶片;

(5)在日光灯下观察磷化铟晶片表面并标注孪晶分布。

7.如权利要求6所述的腐蚀方法,其特征在于,所述步骤(1)中,酒精的质量分数为80%~98%,浸泡时间为20~30min,浸泡温度为10~40℃。

8.如权利要求6所述的腐蚀方法,其特征在于,所述步骤(2)中,采用去离子水溢流漂洗或快排冲水或二者结合的方式冲洗磷化铟晶片表面,冲洗30~120s,然后手动冲水30s。

9.如权利要求6所述的腐蚀方法,其特征在于,所述步骤(3)中,浸泡温度为10~40℃,浸泡时间为30~180s,浸泡过程中磷化铟晶片在腐蚀液中均匀划动。

10.如权利要求6所述的腐蚀方法,其特征在于,所述步骤(4)中,采用去离子水溢流漂洗或快排冲水或二者结合的方式冲洗磷化铟晶片表面,冲洗30~90s,然后手动冲水20~60s;然后将磷化铟晶片在酒精中浸泡2~10s后用热氮气干燥晶片,干燥温度为40~50℃,干燥时间为30~90s;所述步骤(5)中,从磷化铟晶片正反面不同的角度观察孪晶分布。


技术总结
本发明涉及一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法,属于半导体材料领域。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液,包含如下体积百分比的组分:盐酸30%~70%、双氧水0%~35%、醋酸20%~70%。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀方法,包括以下步骤:(1)用酒精浸泡磷化铟晶片;(2)用去离子水冲洗磷化铟晶片表面;(3)将磷化铟晶片放入腐蚀液中浸泡;(4)用去离子水冲洗磷化铟晶片表面,并干燥磷化铟晶片;(5)在日光灯下观察磷化铟晶片表面并标注孪晶分布。采用本发明的腐蚀液及腐蚀方法用于磷化铟表面孪晶识别,稳定性高、重复性好、腐蚀速度可控。

技术研发人员:宋向荣;严卫东;周铁军;马金峰;刘火阳;詹晨晨
受保护的技术使用者:广东先导先进材料股份有限公司
技术研发日:2019.09.19
技术公布日:2019.11.15
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