1.一种制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供一c面蓝宝石单晶体，其表面原子级台阶方向沿着晶体的m轴方向；
(2)以步骤(1)的蓝宝石单晶体为衬底，基于气相沉积法，在蓝宝石单晶体表面生成单向排列的过渡金属硫族化合物晶粒，且晶粒不断长大、相互拼接，得到大面积的过渡金属硫族化合物单晶。
2.根据权利要求1所述的制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨。
3.根据权利要求1所述的制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的蓝宝石单晶体表面原子级台阶方向为
4.根据权利要求1所述的制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的蓝宝石单晶体根据如下加工方法获得：在蓝宝石自掏棒开始的整个加工过程中，确保对蓝宝石沿a轴方向倾斜切割，切割过程对m轴方向造成的偏差角度不得超过a轴方向倾斜角的34.6％。
5.根据权利要求1所述的制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述气相沉积法为化学气相沉积法、分子束外延法、脉冲激光沉积法或磁控溅射法。
6.根据权利要求5所述的制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法，其特征在于，步骤(2)中，采用化学气相沉积法制备所述过渡金属硫族化合物晶体：将所述切割后的蓝宝石单晶体置于气相沉积腔室中，载入过渡金属硫族化合物生长源，设定生长源反应条件，在蓝宝石单晶体衬底表面生成单向排列的过渡金属硫族化合物晶粒；然后持续不断通入生长源，过渡金属硫族化合物晶粒逐渐长大，相互拼接，得到大面积的过渡金属硫族化合物单晶。
7.权利要求1～6中任一项所述方法制备的过渡金属硫族化合物单晶。