1.本发明涉及微粉处理技术领域，特别涉及一种高纯度碳化硅微粉的生产方法。
背景技术：
2.近年来随着电子信息产业及太阳能光伏产业的迅猛发展，硅晶片的需求量持续增加；集成电路用基板、太阳能电池基板的薄片状产品的切割制备也在同步增加，目前采用多线切割原理，用钢丝带动由碳化硅磨料构成的砂浆对高纯度的单晶硅或多晶硅棒进行切割；作为硅晶片线切割加工的关键性材料，碳化硅微粉的需求量也相应地持续增长；碳化硅是利用石英砂和石油焦炭或无烟煤在冶炼电炉高温作用下，所形成的一种化合产物，根据外观颜色分为绿色和黑色两种，晶体结构为六方晶系，其耐高温，化学稳定性好，导热好，硬度高，机械强度高，密度大，且具有相当尖锐的切削刃和自锐性，切削能力强，因而广泛应用于工业磨料磨削、耐火材料、钢铁冶炼、军工航天等众多领域，而碳化硅微粉的生产工艺是用于生产碳化硅微粉的技术，随着科技的进步，人们对碳化硅微粉的生产工艺有了更高的要求。
3.现有的碳化硅微粉的生产工艺资源利用率低，容易造成资源浪费，且不能够提高生产的碳化硅微粉的纯度，导致生产的碳化硅微粉的质量不高。
技术实现要素：
4.发明的目的在于提供一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，解决了背景技术中的问题。
5.本发明是这样实现的，一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，该高纯度碳化硅微粉的生产方法包括以下步骤：
6.s1：取碳化硅原料，将碳化硅原料进行破碎得到碳化硅颗粒；
7.s2：将粉碎后得到的碳化硅颗粒与水混合并打浆得到碳化硅浆；
8.s3：将碳化硅浆倒入研磨机并加入研磨介质；
9.s4：将研磨后的碳化硅浆进行提纯；
10.s5：提纯后的碳化硅浆通过水洗、脱水以及烘干后，破团得到碳化硅微粉；
11.s6：将得到的碳化硅微粉配置成碳化硅微粉水溶液后加入分散剂，加热并进行第一次搅拌；
12.s7：向第一次搅拌后的碳化硅微粉水溶液中加入碳捕集剂并进行第二次搅拌；
13.s8：向第二次搅拌后的碳化硅微粉水溶液中加入絮凝剂并进行第三次搅拌；
14.s9：将第三次搅拌后的碳化硅微粉水溶液静置，当溶液上部碳化硅絮凝沉降后捞取出漂浮的碳颗粒；
15.s10：将溶液进行第二次脱水以及烘干后破团，得到高纯度碳化硅微粉。
16.本发明的进一步技术方案是：s1中所述的破碎，采用反击式破碎机、冲击式破碎机、圆锥破碎机中的一种。
25min；步骤s7中所述的碳捕集剂为：油酸，步骤s7中所述的第二次搅拌的搅拌速度为25-45r/min，所述的第二次搅拌的时间为18-28min；步骤s8中所述的絮凝剂为：聚丙烯酰胺，步骤s8中所述的第三次搅拌的搅拌速度为30-40r/min，所述的第三次搅拌的时间为5-10min；步骤s8中所述的静置时间为：15-25min；所述烘干的温度为：110-140℃，烘干的时间为24h-36h；本发明的高纯度碳化硅微粉的生产方法，采用表面圆滑的单晶体碳化硅作为研磨介质，具有硬度高、球形不易破碎研磨效果好、研磨介质消耗少等优点，因此采用单晶碳化硅研磨球加工高纯度超细碳化硅微粉，无二次污染，并且加入分散剂将碳化硅微粉高度分散，使碳化硅与碳分离开，取出后进一步提高碳化硅微粉的纯度，且步骤简便，生产效率高。
36.实施例二：一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，该高纯度碳化硅微粉的生产方法包括以下步骤：
37.s1：取碳化硅原料，将碳化硅原料进行破碎得到碳化硅颗粒；
38.s2：将粉碎后得到的碳化硅颗粒与水混合并打浆得到碳化硅浆；
39.s3：将碳化硅浆倒入研磨机并加入研磨介质；
40.s4：将研磨后的碳化硅浆进行提纯；
41.s5：提纯后的碳化硅浆通过水洗、脱水以及烘干后，破团得到碳化硅微粉；
42.s6：将得到的碳化硅微粉配置成碳化硅微粉水溶液后加入分散剂，加热并进行第一次搅拌；
43.s7：向第一次搅拌后的碳化硅微粉水溶液中加入碳捕集剂并进行第二次搅拌；
44.s8：向第二次搅拌后的碳化硅微粉水溶液中加入絮凝剂并进行第三次搅拌；
45.s9：将第三次搅拌后的碳化硅微粉水溶液静置，当溶液上部碳化硅絮凝沉降后捞取出漂浮的碳颗粒；
46.s10：将溶液进行第二次脱水以及烘干后破团，得到高纯度碳化硅微粉；s1中所述的破碎，采用反击式破碎机、冲击式破碎机、圆锥破碎机中的一种；步骤s3中所述的研磨机采用强压磨粉机、超细磨粉机、气流磨粉机中的一种，步骤s3中所述的研磨介质为表面圆滑的单晶碳化硅；所述表面圆滑的单晶碳化硅是先将晶体碳化硅块破碎至粒径3mm单晶碳化硅，然后经整形加工得到的表面圆滑的单晶碳化硅；步骤s6中所述的分散剂为：硅酸钠，步骤s6中所述的第一次搅拌的搅拌速度为70r/min，所述的第一次搅拌的时间为20min；步骤s7中所述的碳捕集剂为：油酸，步骤s7中所述的第二次搅拌的搅拌速度为25-45r/min，所述的第二次搅拌的时间为20-25min；步骤s8中所述的絮凝剂为：聚丙烯酰胺，步骤s8中所述的第三次搅拌的搅拌速度为35r/min，所述的第三次搅拌的时间为8min；步骤s8中所述的静置时间为：20min；所述烘干的温度为：120℃，烘干的时间为30h；本发明的高纯度碳化硅微粉的生产方法，采用表面圆滑的单晶体碳化硅作为研磨介质，具有硬度高、球形不易破碎研磨效果好、研磨介质消耗少等优点，因此采用单晶碳化硅研磨球加工高纯度超细碳化硅微粉，无二次污染，并且加入分散剂将碳化硅微粉高度分散，使碳化硅与碳分离开，取出后进一步提高碳化硅微粉的纯度，且步骤简便，生产效率高。
47.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于，该高纯度碳化硅微粉的生产方法包括以下步骤：s1：取碳化硅原料，将碳化硅原料进行破碎得到碳化硅颗粒；s2：将粉碎后得到的碳化硅颗粒与水混合并打浆得到碳化硅浆；s3：将碳化硅浆倒入研磨机并加入研磨介质；s4：将研磨后的碳化硅浆进行提纯；s5：提纯后的碳化硅浆通过水洗、脱水以及烘干后，破团得到碳化硅微粉；s6：将得到的碳化硅微粉配置成碳化硅微粉水溶液后加入分散剂，加热并进行第一次搅拌；s7：向第一次搅拌后的碳化硅微粉水溶液中加入碳捕集剂并进行第二次搅拌；s8：向第二次搅拌后的碳化硅微粉水溶液中加入絮凝剂并进行第三次搅拌；s9：将第三次搅拌后的碳化硅微粉水溶液静置，当溶液上部碳化硅絮凝沉降后捞取出漂浮的碳颗粒；s10：将溶液进行第二次脱水以及烘干后破团，得到高纯度碳化硅微粉。2.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：s1中所述的破碎，采用反击式破碎机、冲击式破碎机、圆锥破碎机中的一种。3.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：步骤s3中所述的研磨机采用强压磨粉机、超细磨粉机、气流磨粉机中的一种，步骤s3中所述的研磨介质为表面圆滑的单晶碳化硅。4.根据权利要求3所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：所述表面圆滑的单晶碳化硅是先将晶体碳化硅块破碎至粒径2mm-5mm单晶碳化硅，然后经整形加工得到的表面圆滑的单晶碳化硅。5.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：步骤s6中所述的分散剂为：硅酸钠，步骤s6中所述的第一次搅拌的搅拌速度为60-80r/min，所述的第一次搅拌的时间为15-30min。6.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：步骤s7中所述的碳捕集剂为：油酸，步骤s7中所述的第二次搅拌的搅拌速度为20-50r/min，所述的第二次搅拌的时间为15-30min。7.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：步骤s8中所述的絮凝剂为：聚丙烯酰胺，步骤s8中所述的第三次搅拌的搅拌速度为20-50r/min，所述的第三次搅拌的时间为5-10min。8.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：步骤s8中所述的静置时间为：15-25min。9.根据权利要求1所述的一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，其特征在于：所述烘干的温度为：110-140℃，烘干的时间为24h-36h。
技术总结
本发明公开了一种高纯度碳化硅微粉的生产方法，该高纯度碳化硅微粉的生产方法包括以下步骤：S1：将碳化硅原料进行破碎；S2：打浆得到碳化硅浆；S3：研磨并加入研磨介质；S4：提纯；S5：水洗、脱水以及烘干后，破团得到碳化硅微粉；S6：加入分散剂，加热并进行第一次搅拌；S7：加入碳捕集剂并进行第二次搅拌；S8：加入絮凝剂并进行第三次搅拌；S9：捞取出漂浮的碳颗粒；S10：脱水以及烘干后破团，得到高纯度碳化硅微粉；本发明的生产方法生产出来的高纯度碳化硅微粉，具有硬度高、不易破碎研磨效果好、研磨介质消耗少等，可使碳化硅与碳分离开，纯的搞且步骤简便，生产效率高。生产效率高。
技术研发人员：刘骏 张海波 王钢 蔡璐 曾妮
受保护的技术使用者：湖南太子新材料科技有限公司
技术研发日：2022.02.10
技术公布日：2022/4/20