一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种具有纳米?亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。该复合陶瓷重量百分比计，包括碳化硼70?95％，硼化锆30?5％，其中硼化锆的晶粒尺寸在1μm以下，相对密度99％以上，维氏硬度34?38GPa，断裂韧性6.8?7.5MPa.m1/2，抗弯强度520?600MPa，它由原料碳化硼、碳化锆和硼三元混合粉体经低压慢速?高压快速分段式固相反应烧结工艺制备而成，所述原料按重量百分比计，包括碳化硼55.13％?92.52％，碳化锆27.35％?4.56％，硼17.52％?2.92％。本发明可在较低温度下通过固相反应烧结制备出具有高韧性、高硬度和较好导电性能的可加工碳化硼?碳化锆复合陶瓷，从而解决碳化硼?硼化锆复合陶瓷烧结温度过高、添加相晶粒过大的缺点。
【专利说明】
-种具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷 及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明设及碳化棚复合陶瓷及其制备方法，尤其设及一种具有纳米-亚微米尺度 添加相的高性能碳化棚-棚化错复合陶瓷的制备方法，属于陶瓷材料技术领域。
【背景技术】
[0002] 碳化棚陶瓷除了具有耐磨损、抗腐蚀、耐高溫等特点外，其最为突出的优点就是兼 具超高硬度(室溫下硬度位居第Ξ;高溫下硬度成为第一)和轻质性(密度只有2.52g/cm3， 低于大多数结构材料)于一体，是一种重要的结构工程材料。因此，碳化棚在现代工业、航空 航天和国防建设领域中具有十分重要的应用前景。然而，碳化棚自身的晶体结构决定了其 断裂初性较低（只有2.2MPa.ml/2左右，低于大多数结构材料）、致密化烧结溫度过高(无压烧 结需超过2200°C的高溫）、可加工性能差，运严重阻碍了碳化棚陶瓷的批量化制备和广泛应 用。
[0003] 棚化错具有硬度高、导电性好，与碳化棚热膨胀系数差异大的特点，将棚化错引入 到碳化棚陶瓷基体中制备成碳化棚-棚化错复合陶瓷，可在保证碳化棚高硬度的同时，大幅 度提高其强度、断裂初性和可加工性能(棚化错加入可提高碳化棚导电性能，从而使其可采 用电火花切割工艺加工）。因此，棚化错是碳化棚陶瓷的理想增强体。然而，由于棚化错也是 耐高溫陶瓷，其自身烧结溫度也高，因此，棚化错的加入对降低碳化棚陶瓷烧结溫度效果有 限，复合陶瓷依然需要较高的烧结溫度。此外，工业生产的棚化错价格昂贵、粒径较大，使用 大粒径棚化错直接与碳化棚粉混合后直接烧结，无法获得具有纳米或亚微米尺寸的棚化错 增强颗粒，且高的烧结溫度导致碳化棚和棚化错晶粒异常长大，从而限制碳化棚-棚化错复 合陶瓷发挥其应有的优异性能。由此可见，虽然理论上来说棚化错是碳化棚陶瓷的理想增 强体，但是由于制备技术的限制，导致碳化棚-碳化错复合陶瓷烧结溫度高、增强相晶粒较 大，难W在较低溫度下制备出密实的、具有纳米或亚微米尺度增强相的陶瓷块体，因此，其 力学性能无法实现其应有的效果。
[0004] 如中国发明专利申请（申请号：201110445242.8申请日：2011-12-28)公开了一种 碳化棚-棚化错复合陶瓷及其制备方法，该方法W60-95VO1 %的碳化棚粉体(0.5-10皿)为 基体和5-40VO1 %的棚化错粉体(0.5-5μπι)为增强相，直接混料后通过热压烧结工艺制备而 成。烧结参数为:在真空或氣气气氛下烧结，升溫速率大约20°C/min,烧结溫度1900-2100 °C，烧结压力20-40M化，烧结时间为20-60min。所获取的碳化棚-棚化错复合陶瓷的性能如 下:相对密度大于95 %，抗弯强度为401-497.8MPa，显微硬度为32-35G化，从附图上看，其棚 化错增强相的晶粒尺寸大于3WI1。
【发明内容】
[0005] 本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种具有纳 米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷及其制备方法，工艺简单、烧结耗时短、烧 结溫度低、对添加相原料粒径要求较低，所制备的碳化棚复合陶瓷拥有高密实度、高硬度、 高强度、高的断裂初性和好的可加工性能。
[0006] 本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：
[0007] -种具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷，按重量百分比计，包 括碳化棚70-95%，棚化错30-5%，其中添加相棚化错的晶粒尺寸分布在UimW下，且部分棚 化错的晶粒尺寸分布在500-800nm之间、lOOnm W下。
[0008] 上述具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷，其相对密度99% W 上，维氏硬度34-38G化，断裂初性6.8-7.5MPa. ml/2，抗弯强度520-600MPa。
[0009] 上述具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷的制备方法，它由原 料碳化棚、碳化错和棚Ξ元混合粉体经低压慢速-高压快速分段式固相反应烧结工艺制备 而成，所述原料按重量百分比计，包括碳化棚55.13%-92.52 %，碳化错27.35%-4.56 %，棚 17.52%-2.92%。
[0010] 优选地，上述具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷的制备方法， 包括W下步骤：
[001。 ① W重量百分比计，称量原料碳化棚粉体55.13%-92.52%，碳化错粉体4.56%- 27.35 %，棚粉2.92% -17.52 %，其中原料按反应方程xB4C+ZrC+6B-( 1+x)B4C+Z巧2完全反 应配比，（即碳化棚粉体、碳化错、棚粉的物质的量之比为X: 1:6)，且3.7<x<37.3;
[0012] ②将步骤①所述称量好的原料粉体湿磨混合均匀得到混合料，所得混合料经过 滤、除去磨球、干燥得到Ξ元混合粉体；
[0013] ③将所得Ξ元混合粉体通过放电等离子烧结进行低压慢速-高压快速分段烧结， 即可得到具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷。
[0014] 按上述方案，所述湿磨W乙醇作为分散介质，磨球采用碳化错球。
[0015] 按上述方案，所述干燥采用喷雾干燥。
[0016] 按上述方案，所述低压慢速-高压快速分段烧结的具体工艺为：120(TCW下，升溫 速率20-30 °C /min，压力 10-20MPa，在 1200 °C 保溫 3-5min; 1200 °C W 上，升溫速率300-500 °C / min,压力 80-100MPa，烧结溫度为 1700-1800°C，保溫 5-lOmin。
[0017] 按上述方案，所述碳化棚粉体平均粒径为0.5-3um，纯度大于96%;碳化错粉体平 均粒径为0.5-10皿，纯度大于98 % ;棚粉平均粒径为0.8-10皿，纯度大于99 %。
[0018] 按上述方案，所述放电等离子烧结中采用石墨模具，整个烧结过程在真空气氛或 惰性气氛中烧结。
[0019] 本发明的基本原理是:本发明W碳化棚粉体为基体，碳化错粉体和棚粉为添加相 原料，在升溫过程中，碳化棚先与碳化错反应生成非化学计量的B4C1-X、目标增强相棚化铁 和附加产物碳。碳的存在会降低碳化棚陶瓷的硬度和机械性能，需要除去，而原料中棚粉的 添加能有效除去副产物碳。随溫度继续增加，副产物碳和棚粉反应生成碳化棚(正好是基体 相），即棚粉的加入不仅将有害产物碳除去，而且还生成了基体相碳化棚，不会引入其他杂 物相，保证最终产品碳化棚-棚化错复合陶瓷的物相纯度。此外，碳化棚与碳化错原位反应 生成非化学计量的B4C1-X，导致碳化棚晶格常数的改变，产生结构缺陷，有利于随后烧结致 密化完成。再者，增强相棚化错是由原位反应形成的，具有晶粒小（纳米或亚微米尺寸）、结 晶度好、与基体相界面相容性好、能抑制基体碳化棚晶粒长大的优点，有利于通过细晶强化 机制和渗滤理论提高复合陶瓷的力学和导电性能。
[0020]烧结制度上看，本发明采用低压慢速-高压快速分段式固相反应烧结工艺。在低溫 阶段，为原料反应阶段，该阶段施加一个合适压力，使原料颗粒之间充分接触，同时采用慢 的升溫速率，保证原料之间原位反应进行完全，生成目标产物。之后，采用快速升溫、短时间 保溫和高的压力，能够有效抑制升溫和烧结过程中物质的传质过程，使形成的亚微米级添 加相晶粒来来不及长大，就被高压压制成了陶瓷块体，其主要致密化机制不再是物质传输， 而是红热状态样品在高压下产生晶界滑移和塑形变形，从而实现快速致密化。加之原位反 应生成非化学计量的B4C1-X的自身特点也有利于烧结致密化完成，因此，本发明的原料反应 体系结合低压慢速-高压快速分段式反应烧结工艺可W在较低溫度下制备出具有纳米-亚 微米尺寸增强相的高性能可加工碳化棚-棚化错复合陶瓷。
[0021 ]与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
[0022] 第一，本发明通过固相原位反应，在没有液体和气体产生的情况下，原位形成具有 纳米-亚微米尺寸的棚化错增强颗粒，同时通过棚粉将副产物碳转化成基体相碳化棚，不但 能提高基体的力学性能，还能避免其他杂质物相的生成，保证了碳化棚-棚化错复合陶瓷的 组分纯度。
[0023] 第二，本发明所述复合陶瓷中，第二相棚化错和部分基体相碳化棚都通过原位反 应生成的，具有纯度高、晶粒细小、与基体相界面相容性好、分布均匀的特点，能有效有提高 复合陶瓷的力学性能，从而保证复合陶瓷材料的使用可靠性。
[0024] 第Ξ，本发明采用低压慢速-高压快速分段式反应烧结工艺，可W保证原料前期充 分反应、后期低溫快速致密化，并防止晶粒长大，从而能在较低溫度下制备出具有纳米-亚 微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷。
[0025] 第四，本发明对添加相原料原始粒径要求较低、工艺简单，烧结溫度底、耗时短、可 操作性强、制品力学性能和可加工性能好，有利于实现工业化生产。
【附图说明】
[0026] 图1是本发明实施例2中原料W及复合陶瓷的XRD图，其中（a)原料粉体；（b)具有纳 米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷。
[0027] 图2是本发明实施例2所得具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷 低倍数断面沈Μ图。
[0028] 图3是本发明实施例2所得具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷 高倍数断面沈Μ图及其BSE图，其中（a)SEM图，（b)BSE图。
【具体实施方式】
[0029] 为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的 内容不仅仅局限于下面的实施例。
[0030] 实施例1
[0031] -种具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷，按重量百分比计，包 括碳化棚70%，棚化错30%，其中棚化错的晶粒尺寸在1皿W下。其制备方法为:按重量百分 比计，由55.13%的碳化棚粉体(平均粒径3um，纯度96% )，27.35%的碳化错粉体(平均粒径 lOum，纯度98% )，17.52%的棚粉(平均粒径lOum，纯度99% )经低压慢速-高压快速过分段 式反应烧结工艺制备而成。具体步骤包括：
[0032] ① W重量百分比计，称量原料碳化棚粉体55.13%，碳化错粉体27.35%，棚粉 17.52% ；
[0033] ②将步骤①所述称量好的原料粉体在滚筒球磨机中混料，W乙醇作为分散介质， 磨球的材料为碳化错，所得混合料经过滤、除去磨球、喷雾干燥得到Ξ元混合粉体；
[0034] ③将所得到的Ξ元混合粉体通过放电等离子烧结设备中进行低压慢速-高压快速 分段烧结，采用高强石墨模具，混合粉体与模具、压头之间用石墨纸隔开，整个烧结过程在 真空气氛中烧结，具体烧结工艺为：1200°C W下，升溫速率20°C/min，压力20MPa，在1200°C 保溫5min; 1200°C W上，升溫速率300°C/min，压力80MPa，烧结溫度为1800°C，保溫5min，自 然冷却，即可得到具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷。
[0035] 本实施例所得具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷样品的性能 如下:相对密度99.4%，维氏硬度34.6GPa，断裂初性7.19MPa.ml/2，抗弯强度572MPa。
[0036] 实施例2
[0037] -种具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷，按重量百分比计，包 括碳化棚70%，棚化错30%，其中棚化错的晶粒尺寸在1皿W下。其制备方法为:按重量百分 比计，由55.13%的碳化棚粉体(平均粒径lum，纯度98% )，27.35%的碳化错粉体(平均粒径 3um，纯度99% )，17.52%的棚粉(无定型棚，平均粒径2um，纯度99% )经低压慢速-高压快速 过分段式反应烧结工艺制备而成。具体步骤包括：
[003引① W重量百分比计，称量原料碳化棚粉体55.13%，碳化错粉体27.35%，棚粉 17.52% ；
[0039] ②将步骤①所述称量好的原料粉体在滚筒球磨机中混料，W乙醇作为分散介质， 磨球的材料为碳化错，所得混合料经过滤、除去磨球、喷雾干燥得到Ξ元混合粉体；
[0040] ③将所得到的Ξ元混合粉体通过放电等离子烧结设备中进行低压慢速-高压快速 分段烧结，采用高强石墨模具，混合粉体与模具、压头之间用石墨纸隔开，整个烧结过程在 氣气气氛中烧结，具体烧结工艺为：1200°C W下，升溫速率30°C/min，压力15MPa，在1200°C 保溫3min; 1200°C W上，升溫速率400°C/min，压力lOOMPa，烧结溫度为1750°C，保溫8min，自 然冷却，即可得到具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷。
[0041] 本实施例所得具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷样品的性能 如下：相对密度99.5%，维氏硬度34.2GPa，断裂初性7.23MPa.ml/2，抗弯强度593MPa。
[0042] 实施例3
[0043] 本实施例与实施例2的不同之处在于，所述复合陶瓷按重量百分比计，包括碳化棚 80%、棚化错20 %，其原料为70.09wt. %的碳化棚粉体、18.23wt. %的碳化错粉体和 11.68wt. %的棚粉。
[0044] 实施例4
[0045] 本实施例与实施例2的不同之处在于，所述复合陶瓷按重量百分比计，包括碳化棚 90%、棚化错10 %，其原料为85.04wt. %的碳化棚粉体、9.12wt. %的碳化错粉体和 5.84wt. %的棚粉。
[0046] 实施例5
[0047] 本实施例与实施例2的不同之处在于，所述复合陶瓷按重量百分比计，包括碳化棚 95 %、棚化错5 %，其原料为92.52wt. %的碳化棚粉体、4.56wt. %的碳化错粉体和 2.92wt. %的棚粉。
[0048] 本发明实施例2-5所制备的具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶 瓷的相对密度、维氏硬度、断裂初性和抗弯强度如表1所示：
[0049] 表 1 [(K)加]
[0化1 ] 实施例6
[0052] -种具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷，按重量百分比计，包 括碳化棚95%，棚化错5%，其中棚化错的晶粒尺寸在lymW下。其制备方法为:按重量百分 比计，由92.52%的碳化棚粉体(平均粒径0.加 m，纯度98% ),4.56%的碳化错粉体(平均粒 径0.5um，纯度99 % )，2.92%的棚粉(平均粒径0. Sum，纯度99 % )经低压慢速-高压快速过分 段式反应烧结工艺制备而成。具体步骤包括：
[0053] ① W重量百分比计，称量原料碳化棚粉体92.52%，碳化错粉体4.56%，棚粉 2.92%；
[0054] ②将步骤①所述称量好的原料粉体在滚筒球磨机中混料，W乙醇作为分散介质， 磨球的材料为碳化错，所得混合料经过滤、除去磨球、喷雾干燥得到Ξ元混合粉体；
[0055] ③将所得到的Ξ元混合粉体通过放电等离子烧结设备中进行低压慢速-高压快速 分段烧结，采用高强石墨模具，混合粉体与模具、压头之间用石墨纸隔开，整个烧结过程在 氣气气氛中烧结;具体烧结工艺为：1200°C W下，升溫速率30°C/min，压力lOMPa，在1200°C 保溫3min;1200°CW上，升溫速率500°C/min，压力lOOMPa，烧结溫度为1700°C，保溫lOmin， 自然冷却，即可得到具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷。
[0056] 本实施例所得具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷样品的性能 如下:相对密度99.3%，维氏硬度37. IGPa，断裂初性6.84MPa.ml/2，抗弯强度531MPa。
[0057] 下面结合图例具体介绍本发明制备的具有纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化 棚复合陶瓷的特点(包括相对密度、维氏硬度、断裂初性和抗弯强度）。
[0058] 图1是本发明实施例2中原料W及陶瓷制品的XRD图，其中图1 (a)是原始粉体的XRD 谱图，图1(b)是制备复合陶瓷样品的XRD谱图。谱图1(a)中含有明显的碳化棚、碳化错的衍 射峰，说明原始粉体中包含碳化棚和碳化错，而因为采用的棚粉为无定型棚，又因棚与其他 两相相对原子质量相差较大，因此在谱图中棚粉衍射峰被掩盖，没有显示出来；图1(b)中碳 化错的衍射峰彻底消失，强的棚化错的衍射出现，且只存在碳化棚、棚化错两种物相的衍射 峰，说明原料碳化棚、碳化错和棚经过反应烧结后完全形成了碳化棚和棚化错物相，没有其 他杂相生成。因此，本发明所采用的原料体系及其烧结方法是可行的，可W获得预期组分的 复合陶瓷制品。
[0059] 图2为实施例2获取复合陶瓷样品的低倍数断面SEM图，可W看出，样品几乎达到完 全致密，且样品断面凹凸不平，呈现出明显的沿晶断裂方式；同时添加相棚化错分布均匀， 其晶粒尺寸小于1皿。
[0060] 图3为实施例2获取复合陶瓷样品的高倍数断面SEM图及其对应的B沈图（暗灰色为 碳化棚;亮灰色为棚化错），可W看出，样品中棚化错晶粒与碳化棚基体之间呈现明显的沿 晶断裂，并有颗粒拔出现象。运是由于碳化棚与棚化错两相物质热膨胀系数严重失配所照 成的，运种断裂方式有助于基体断裂初性的提高。此外，由图3还可知:棚化错的晶粒尺寸大 约在500-800nm之间，但也存在lOOnmW下的纳米级晶粒，形成纳米-亚微米级添加相晶粒有 助于陶瓷基体力学性能的提高，从而实现低溫制备高性能碳化棚-棚化错复合陶瓷（即具有 纳米-亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷)的目标。
[0061] 综上，由实施例1-6可知，本发明制备出的碳化棚-棚化错复合陶瓷（即具有纳米- 亚微米尺度棚化错添加相的碳化棚复合陶瓷)具有高的密实度和优异的力学性能。对比实 施例2-5可得到如下规律:在相同的工艺条件下，随棚化错含量的增加，复合陶瓷样品的维 氏硬度逐渐降低，但最小值也大于％GPa(%-38G化之间）；断裂初性逐渐增加，最高可到 7.23MPa.mi/2(6.8-7.3MPa.mi/2之间）；抗弯强度呈增长趋势，最高可达593MPa(524-593MPa 之间）；相对密度均大于99%，说明在制备高性能碳化棚-棚化错复合陶瓷上，该发明所提出 的原料体系及其制备工艺具有较强的优势。
[0062] W上所述仅是本发明的优选实施方式，所列举的各原料都能实现本发明，各原料 的上下限取值W及其区间值都能实现本发明，本发明工艺参数(如配比、溫度、时间等）的上 下限取值W及其区间值都能实现本发明，在此不一一列举实施例。应当指出，对于本领域的 普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可W做出若干改进和变换，运些 都属于本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷，其特征在于按重量百 分比计，包括碳化硼70-95%，硼化锆30-5%，其中添加相硼化锆的晶粒尺寸在ιμπι以下。2. -种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷的制备方法，其特征在 于它由原料碳化硼、碳化锆和硼三元混合粉体经低压慢速-高压快速分段式固相反应烧结 工艺制备而成，所述原料按重量百分比计，包括碳化硼55.13 % -92.52 %，碳化锆27.35 % -4.56%，硼 17·52%-2·92%。3. -种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷的制备方法，其特征在 于包括以下步骤： ① 以重量百分比计，称量原料碳化硼粉体55 . 13 % -92.52 %，碳化锆粉体4.56%_ 27.35%，硼粉2.92%-17.52%，其中原料按反应方程xB4C+ZrC+6B -（l+x)B4C+ZrB2完全反 应配比，且3.7〈x〈37.3; ② 将步骤①所述称量好的原料粉体湿磨混合均匀得到混合料，所得混合料经过滤、除 去磨球、干燥得到三元混合粉体； ③ 将所得三元混合粉体通过放电等离子烧结进行低压慢速-高压快速分段烧结，即可 得到具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷。4. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述湿磨以乙醇作为分散介质，磨球采用碳化锆球。5. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述干燥采用喷雾干燥。6. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述低压慢速-高压快速分段烧结的具体工艺为 ：1200°C以下，升 温速率20-30°C/min，压力 10-20MPa，在 1200°C保温3-5min; 1200°C 以上，升温速率300-500 °C/min，压力 80-100MPa，烧结温度为 1700-1800°C，保温 5-10min。7. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述碳化硼粉体平均粒径为〇. 5-3um，纯度大于96 %。8. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述碳化锆粉体平均粒径为〇. 5-1 Oum，纯度大于98 %。9. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述硼粉平均粒径为〇. S-IOum，纯度大于99 %。10. 根据权利要求3所述的一种具有纳米-亚微米尺度硼化锆添加相的碳化硼复合陶瓷 的制备方法，其特征在于所述放电等离子烧结中采用石墨模具，整个烧结过程在真空气氛 或惰性气氛中烧结。
【文档编号】C04B35/64GK105948752SQ201610297343
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年5月6日
【发明人】张志晓, 张晓荣, 田仕, 王爱阳, 何强龙, 王为民, 傅正义
【申请人】河北工程大学