一种低位错单晶硅棒的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种低位错单晶硅棒。
【背景技术】
[0002]低位错单晶硅棒主要是用于生产硅半导体材料，目前在太阳能硅片加工行业，整个切割过程是钢线带着砂浆高速运动完成对硅料的切割，硅片经过切割后边缘表面有稜角毛刺崩边甚至有裂缝或其它缺陷，边缘表面比较粗糙。另外，由于硅片四角为直角，在运输、加工过程中更容易造成缺角、崩碎等现象，严重影响硅片生产的良品率。
【实用新型内容】
[0003]针对上述技术问题，本实用新型公开一种低位错单晶硅棒，包括:硅棒本体以及设置在所述硅棒本体外表面的保护层，所述硅棒本体的底部设置有水平底座，所述硅棒本体的横截面的各个角均是圆弧形角，所述圆弧形角的弧度为90度；所述硅棒本体的一端的横截面上设置有一凸块，所述硅棒本体的另一端的横截面上设置有一凹槽。
[0004]优选地，所述圆弧形角的半径是15_。
[0005]优选地，所述娃棒本体的长度为100mm。
[0006]优选地，所述保护层为PET保护层。
[0007]本实用新型的有益效果是:将硅棒的角进行弧形设计，能够在运输过程中避免出现崩碎的现象；在硅棒外表面包覆保护层，能够有效地保护硅棒外表面，提高良品率；采用凸块和凹槽的对接方式，能够有效地提高太阳能电池片的成品率，使其在切割过程中更加稳定。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型所述低位错单晶硅棒的结构示意图。
[0009]其中，硅棒本体I ;保护层2 ;水平底座3 ;圆弧形角4 ;凸块5。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0011]如图所示，本实用新型公开一种低位错单晶硅棒，包括:硅棒本体I以及设置在所述硅棒本体I外表面的保护层2，所述硅棒本体I的底部设置有水平底座3，所述硅棒本体I的横截面的各个角均是圆弧形角4，所述圆弧形角4的弧度为90度；所述硅棒本体I的一端的横截面上设置有一凸块5，所述硅棒本体I的另一端的横截面上设置有一凹槽。所述圆弧形角4的半径是15mm。所述硅棒本体I的长度为100mm。所述保护层2为PET保护层。将硅棒的角进行弧形设计，能够在运输过程中避免出现崩碎的现象；在硅棒外表面包覆保护层，能够有效地保护硅棒外表面，提高良品率；采用凸块和凹槽的对接方式，能够有效地提高太阳能电池片的成品率，使其在切割过程中更加稳定。
[0012]尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【主权项】
1.一种低位错单晶硅棒，其特征在于，包括:硅棒本体以及设置在所述硅棒本体外表面的保护层，所述硅棒本体的底部设置有水平底座，所述硅棒本体的横截面的各个角均是圆弧形角，所述圆弧形角的弧度为90度；所述硅棒本体的一端的横截面上设置有一凸块，所述硅棒本体的另一端的横截面上设置有一凹槽。
2.根据权利要求1所述的低位错单晶硅棒，其特征在于:所述圆弧形角的半径是15_。
3.根据权利要求1所述的低位错单晶硅棒，其特征在于:所述硅棒本体的长度为10mm0
4.根据权利要求1所述的低位错单晶硅棒，其特征在于:所述保护层为PET保护层。
【专利摘要】本实用新型公开一种低位错单晶硅棒，包括：硅棒本体以及设置在所述硅棒本体外表面的保护层，所述硅棒本体的底部设置有水平底座，所述硅棒本体的横截面的各个角均是圆弧形角，所述圆弧形角的弧度为90度；所述硅棒本体的一端的横截面上设置有一凸块，所述硅棒本体的另一端的横截面上设置有一凹槽。所述低位错单晶硅棒将硅棒的角进行弧形设计，能够在运输过程中避免出现崩碎的现象；在硅棒外表面包覆保护层，能够有效地保护硅棒外表面，提高良品率；采用凸块和凹槽的对接方式，能够有效地提高太阳能电池片的成品率，使其在切割过程中更加稳定。
【IPC分类】C30B29-06
【公开号】CN204474792
【申请号】CN201420840264
【发明人】张忠安
【申请人】江西豪安能源科技有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2014年12月26日