一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构的制作方法

文档序号:9061759阅读:330来源:国知局
一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种氯化氢合成炉,特别涉及一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构。
【背景技术】
[0002]氯化氢合成炉用于将氯气、氢气燃烧制得氯化氢气体。氯气与氢气燃烧时释放出大量反应热,其火焰中心区温度达到2500 0C以上,生成的氯化氢气体温度在2000 0C以上,即每合成I千克气态氯化氢约放出605KC舰热量,这些热量利用起来相当可观。
[0003]目前市场上有两类氯化氢合成炉,第一类是广泛采用的全石墨制合成炉,其由石墨内筒体及钢制外壁构成,由上至下依次分为顶节筒体、冷却段筒体、炉外筒体以及炉内筒体,冷却段筒体与炉外筒体连接时,通过法兰连接,反应时在反应筒体与外壁夹层之间通冷却水进行余热的吸收利用。由于冷却段筒体与炉外筒体通过下法兰连接,该连接处的法兰面与石墨接触的区域密封效果差,冷却段的冷凝酸易沿着下法兰的上端面与石墨接触的间隙蔓延至下端的炉外筒体上,使得炉外筒体的钢制壳体发生腐蚀。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种避免冷却段筒体下法兰固定区域冷凝酸渗漏出去的氯化氢合成炉防泄漏导流结构。
[0005]为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构,所述合成炉分为上、中、下三段,上、中、下段均由石墨筒体及套在筒体外的钢制壳体构成,该上中下三段钢制壳体通过法兰连接,其内部石墨筒体连接导通,所述上段筒体内设置有石墨换热块,该石墨换热块延伸至上段筒体的底部;
[0006]其创新点在于:所述合成炉中段筒体的顶部与合成炉上段筒体底部由一下法兰连接,所述石墨换热块下端面具有数个沿石墨换热块直径方向由内至外依次间隔设置的环形凹槽,且每相邻两个环形凹槽间形成一凸起的倒三角形的内导流环,其中最外一侧的环形凹槽的外圆周与靠近下法兰的内圆周,且环形凹槽的外圆周与下法兰的内圆周之间具有一凸起的外导流环,同时环形凹槽的上端面高于下法兰的上端面设置,下端面与下法兰的下端面齐平。
[0007]进一步地,所述内导流环为一底长8mm,高为4mm的倒三角形。
[0008]进一步地,所述外导流环的高度为8mm。
[0009]本实用新型的优点在于:
[0010]本实用新型的防泄漏导流结构为在石墨换热块下端面上设置导流环,通过这些导流环将石墨换热块内壁盐酸引流至每个导流环的顶端,导流环为倒三角形,盐酸会沿环形凸体的尖端滴至中段筒体内,避免盐酸蔓延至下法兰的下法兰面后进一步与下段筒体的钢制壳体接触而腐蚀钢制壳体,提高了合成炉的使用寿命。
【附图说明】
[0011]图1为氯化氢合成炉的结构示意图。
[0012]图2为本实用新型氯化氢合成炉防泄漏导流结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]如图1和图2所示,本实用新型公开了一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构,合成炉分为上段a、中段b、下段C,上段a、中段b、下段c均由石墨筒体及套在筒体外的钢制壳体构成,该上段a、中段b、下段c钢制壳体通过法兰连接,其内部石墨筒体连接导通,上段a筒体内设置有石墨换热块1,该石墨换热块I延伸至上段a筒体的底部;
[0014]中段b筒体的顶部与上段a筒体底部由一下法兰2连接,石墨换热块I下端面具有数个沿石墨换热块直径方向由内至外依次间隔设置的环形凹槽3,且每相邻两个环形凹槽3间形成一凸起的倒三角形的内导流环4,其中最外一侧的环形凹槽3的外圆周与靠近下法兰I的内圆周,且环形凹槽3的外圆周与下法兰I的内圆周之间具有一凸起的外导流环5,同时环形凹槽3的上端面高于下法兰I的上端面设置,下端面与下法兰I的下端面齐平。
[0015]本实施例中,为了提高环形凸体的引流效果,内导流环4为一底长8mm,高为4mm的倒三角形,外导流环5的高度为8mm。
[0016]工作原理,本实用新型的防泄漏导流结构通过导流环将石墨换热块内壁盐酸引流至每个导流环的顶端,导流环为倒三角形,盐酸会沿环形凸体的尖端滴至中段筒体内,避免盐酸蔓延至下法兰的下法兰面后进一步与下段筒体的钢制壳体接触而腐蚀钢制壳体,提高了合成炉的使用寿命。
[0017]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构,所述合成炉分为上、中、下三段,上、中、下段均由石墨筒体及套在筒体外的钢制壳体构成,该上中下三段钢制壳体通过法兰连接,其内部石墨筒体连接导通,所述上段筒体内设置有石墨换热块,该石墨换热块延伸至上段筒体的底部; 其特征在于:所述合成炉中段筒体的顶部与合成炉上段筒体底部由一下法兰连接,所述石墨换热块下端面具有数个沿石墨换热块直径方向由内至外依次间隔设置的环形凹槽,且每相邻两个环形凹槽间形成一凸起的倒三角形的内导流环,其中最外一侧的环形凹槽的外圆周与靠近下法兰的内圆周,且环形凹槽的外圆周与下法兰的内圆周之间具有一凸起的外导流环,同时环形凹槽的上端面高于下法兰的上端面设置,下端面与下法兰的下端面齐平。2.根据权利要求1所述的氯化氢合成炉防泄漏导流结构,其特征在于:所述内导流环为一底长8mm,高为4mm的倒三角形。3.根据权利要求1所述的氯化氢合成炉防泄漏导流结构,其特征在于:所述外导流环的高度为8mm。
【专利摘要】本实用新型涉及一种氯化氢合成炉防泄漏导流结构,所述下段筒体的顶部与上段筒体底部由一下法兰连接,所述石墨换热块下端面具有数个沿石墨换热块直径方向由内至外依次间隔设置的环形凹槽,且每相邻两个环形凹槽间形成一凸起的倒三角形的内导流环,其中最外一侧的环形凹槽的外圆周与靠近下法兰的内圆周,且环形凹槽的外圆周与下法兰的内圆周之间具有一凸起的外导流环,同时环形凹槽的上端面高于下法兰的上端面设置,下端面与下法兰的下端面齐平。本实用新型的优点在于:本实用新型的防泄漏导流结构避免了盐酸蔓延至下法兰的下法兰面后进一步与下段筒体的钢制壳体接触而腐蚀钢制壳体,提高了合成炉的使用寿命。
【IPC分类】C01B7/01
【公开号】CN204714517
【申请号】CN201520317087
【发明人】缪世阳, 刘仍礼, 杨华, 陆俊
【申请人】南通星球石墨设备有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年5月18日
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