多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体而言，涉及一种多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置。
【背景技术】
[0002]多晶硅生产领域中，还原炉是生产多晶硅的核心设备。在利用还原炉生成多晶硅时，还原炉内的电流回路不可避免的会产生接地泄露电流，但如果接地泄露电流过大容易发生接地故障。所以，还原炉运行时需要精确控制好炉内温度，因为如果炉内温度过低，底座上会生长出无定型硅，使得硅棒跟还原炉的底盘连接，导致接地泄漏电流超过安全范围，发生接地故障；如果炉内温度过高，硅棒容易发生融溶，同样容易引起接地泄漏电流过大，进而发生接地故障。此外，炉内气流波动太大或者电流波动大都容易引起接地泄漏电流过大，也同样容易发生接地故障。
[0003]不论上述哪种情况导致发生的接地故障，在出现接地故障后都可能发生硅棒与炉体之间打火，甚至直接导致停机和倒棒等严重生产事故，从而降低了还原炉运行的稳定性。通过上述描述可知，导致接地故障发生率较高的一个因素就是接地泄露电流过大，在相关技术中，通过在可控硅主电路柜体内设置还原炉接地泄露电流的检测装置来检测接地泄露电流，但是上述检测装置对接地泄露电流检测的不够准确，并且可检测的电流容量较小，使得检测装置所能检测的电流限值较低，所以极易发生接地故障。此外，由于检测装置设置在可控硅主电路柜体内，所以空间狭窄，容易引起散热不良，进而导致可控硅主电路柜体内温度过高，仍旧容易使多晶硅还原炉设备产生故障。
[0004]针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型实施例提供了一种多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置，以至少解决现有技术中无法有效降低接地故障的发生率的技术问题。
[0006]根据本实用新型实施例的一个方面，提供了一种多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置，包括:接地保护线路，与多晶硅还原炉的主供电系统中变压器的次级绕组相连接；吸收电路，设置在所述接地保护线路上；第一电阻，与所述吸收电路连接，用于对流过所述接地保护线路的电流进行分流，其中，所述第一电阻的阻值可调；检测电路板，与所述第一电阻连接，用于检测通过所述第一电阻的电流，其中，在所述电流超出预设电流阈值的情况下，控制所述接地保护线路断开。
[0007]进一步地，所述接地保护线路包括:接地保护线，所述接地保护线的第一端与所述次级绕组相连接，所述接地保护线的第二端与信号地连接；保护开关，所述保护开关的第一端连接至第一节点，其中，所述第一节点为所述接地保护线的第一端与所述次级绕组之间的节点；以及硅棒，所述硅棒的第一端与所述保护开关的第二端连接，所述硅棒的第二端与所述信号地连接，其中，所述检测电路板与所述接地保护线相连接，通过控制所述保护开关来控制所述接地保护线路断开。
[0008]进一步地，所述吸收电路包括:第一电容，其中，所述第一电容的第一端连接信号地；第二电容，其中，所述第二电容的第一端与所述第一电容的第二端连接；第三电容，其中，所述第三电容的第一端与所述第二电容的第二端连接，所述第三电容的第二端与所述次级绕组连接；第二电阻，其中，所述第二电阻设置在所述第二电容和所述第三电容之间，其中，所述第一电阻连接在所述检测电路板与所述第三电容的第一端之间。
[0009]进一步地，所述检测装置还包括:温度检测装置，与所述第一电阻和所述第二电阻均连接，并与所述检测电路板连接。
[0010]进一步地，所述检测装置还包括柜体，其中，所述吸收电路、所述第一电阻、所述检测电路板和所述温度检测装置均设置在所述柜体内，其中，所述柜体设置在所述多晶硅还原炉的主供电系统的外部。
[0011 ] 进一步地，所述检测装置还包括指示灯，所述指示灯设置在所述柜体上，与所述检测电路板连接，用于显示所述检测装置的运行状态。
[0012]进一步地，所述温度检测装置包括温度传感器和/或热敏电阻。
[0013]进一步地，所述接地保护线为阻燃电缆。
[0014]进一步地，所述保护开关为设置在所述主供电系统中调压装置内的开关。
[0015]在本实用新型实施例中，采用阻值可调的第一电阻对接地保护线路的电流进行分流，在接地保护线路出现接地故障的情况下，会导致通过第一电阻的电流增大，进而检测电路板通过检测流经第一电阻的电流，并将其作为接地泄露电流检测值与预设电流阈值进行比较，在比较出前者较大情况下，可以确定出接地保护线路出现接地故障，此种情况控制接地保护线路断开，达到了避免因接地泄露电流超过安全范围导致发生接地故障的目的，进而实现了有效降低接地故障的发生率，提高多晶硅还原炉运行稳定性的技术效果，解决了现有技术中无法有效降低接地故障的发生率的技术问题。
【附图说明】
[0016]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0017]图1是根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置的示意图；以及
[0018]图2是根据本实用新型实施例可选的多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置的示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
[0020]需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0021]根据本实用新型实施例，提供了一种多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置的实施例。
[0022]图1是根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉接地泄露电流的检测装置的示意图，如图1所示，该检测装置包括接地保护线路10、吸收电路20、第一电阻30和检测电路板40，其中，接地保护线路10与多晶硅还原炉的主供电系统中变压器的次级绕组相连接；吸收电路20设置在接地保护线路上；第一电阻30与吸收电路连接，用于对流过接地保护线路的电流进行分流，其中，第一电阻的阻值可调，从而可以调节流经接地保护线路的电流；检测电路板40与第一电阻连接，用于检测通过第一电阻的电流，其中，在电流超出预设电流阈值的情况下，控制接地保护线路断开。
[0023]具体地，上述吸收电路为RC吸收电路，也可以称为RC缓冲电路。
[0024]在本实用新型实施例中，采用阻值可调的第一电阻对接地保护线路的电流进行分流，在接地保护线路出现接地故障的情况下，会导致通过第一电阻的电