>[0019]图1是本实用新型具有14个凹槽的生长4英寸外延片的石墨基盘结构示意图。
[0020]图2是本实用新型在硅衬底上生长GaN基外延片设计使用的Ring石墨基盘凹槽截面图及外延片翘曲现象状态示意图。
[0021]附图标记说明
[0022]石墨盘的盘体21石墨盘表面26
[0023]凹槽环形上凸底面22硅衬底27
[0024]第一侧壁23长度 L21、L22
[0025]圆台24高度 H21、H22、H23
[0026]第二侧壁25
【【具体实施方式】】
[0027]下面将结合附图对本实用新型作进一步详述。
[0028]实施例一:
[0029]参考图2是本实用新型提供的改善MOCVD机台中4英寸硅基氮化物内、外圈波长均值所使用的石墨盘，石墨盘包括石墨盘的盘体21及分布于盘体21上表面用于安放4英寸硅衬底的多个凹槽。在具体实施例中，该凹槽直径大小为可放置2英寸、4英寸、6英寸、8英寸甚至直径更大的硅衬底27。
[0030]本实施例中多个凹槽在盘体21上基本呈圆周分布的，可根据其在盘体上的分布分为内圈和外圈，且外圈的直径大于内圈的直径。
[0031]本实施例中内和外圈每个凹槽中包括:槽体21、底面22、第一侧壁23、圆台24以及第二侧壁25，其中，底面22为位于槽体底部，且底面为环形、向上拱形凸起;第一侧壁23自底面边缘背离石墨盘盘体弯折延伸而成；圆台24自第一侧壁23的顶端向外弯折延伸而成;第二侧壁25自圆台边缘背离石墨盘盘体21弯折延伸而成，第二侧壁25的顶端与槽体表面26内边缘相接。
[0032]在本实施例中，内圈凹槽和外圈凹槽的环形上凸底面22高度值H21取值为30um，内圈凹槽的圆台24的高度值H22为60um、外圈凹槽的圆台24高度值比内圈凹槽的低3um。
[0033]实施例二:
[0034]参考图2是本实用新型提供的改善MOCVD机台中4英寸硅基氮化物内、外圈波长均值所使用的石墨盘，其特征在于，石墨盘包括石墨盘的盘体21及分布于盘体21上表面用于安放4英寸硅衬底的多个凹槽。在具体实施例中，该凹槽直径大小为可放置2英寸、4英寸、6英寸、8英寸甚至直径更大的硅衬底27。
[0035]本实施例中多个凹槽在盘体21上基本呈圆周分布的，可根据其在盘体上的分布分为内圈和外圈，且外圈的直径大于内圈的直径。
[0036]本实施例中内和外圈每个凹槽中包括:槽体21、底面22、第一侧壁23、圆台24以及第二侧壁25，其中，底面22为位于槽体底部，且底面为环形、向上拱形凸起;第一侧壁23自底面边缘背离石墨盘盘体弯折延伸而成；圆台24自第一侧壁23的顶端向外弯折延伸而成;第二侧壁25自圆台边缘背离石墨盘盘体21弯折延伸而成，第二侧壁25的顶端与槽体表面26内边缘相接。
[0037]在本实施例中，内圈凹槽和外圈凹槽的圆台24高度值H22取值为10um，内圈凹槽的环形上凸底面22高度值H21为50um、外圈凹槽的环形上凸底面22高度值21比内圈凹槽的高 8um0
【主权项】
1.一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘包括石墨盘的盘体21及分布于所述盘体21上表面用于安放硅衬底的多个凹槽，且所述多个凹槽在所述盘体21上基本呈圆周分布的，可根据其在盘体上的分布分为内圈和外圈，且所述外圈的直径大于所述内圈的直径； 每个所述凹槽中包括:槽体、底面、第一侧壁以及用于放置所述硅衬底的圆台，其中，所述底面为位于所述槽体底部，且所述底面为向上拱形凸起的环形;所述第一侧壁于所述槽体内部自所述底面边缘背离所述石墨盘盘体弯折延伸而成;所述圆台于所述槽体内部自所述第一侧壁的顶端向外弯折延伸而成； 位于所述内圈和外圈中凹槽的环形上凸底面高度值相同，位于所述内圈中凹槽的圆台的高度值比位于所述外圈中凹槽的高2-30um;或， 位于所述内圈和外圈中凹槽的圆台高度值相同，位于所述外圈中凹槽的环形上凸底面高度值比内圈凹槽的高2-30umo2.根据权利要求1所述的石墨盘，其特征在于， 位于所述内圈和外圈中凹槽的环形上凸底面高度值相同，且所述环形上凸底面高度值范围为5-1 OOum，位于所述内圈中凹槽的圆台高度值比位于所述外圈中凹槽的高2-30um，且所述内圈和外圈中凹槽的圆台高度值范围为30-130um。3.根据权利要求1所述的的石墨盘，其特征在于， 位于所述内圈和外圈中凹槽的圆台高度值相同，且所述圆台的高度值范围为30-130um，位于所述内圈中凹槽的环形上凸底面高度值比位于所述外圈中凹槽的高2-30um，且所述内圈和外圈中凹槽的环形上凸底面高度值范围为5-100um。4.如权利要求1-3任意一项所述的石墨盘，其特征在于， 所述凹槽中还包括第二侧壁，所述第二侧壁于所述槽体内部自所述圆台边缘背离所述石墨盘盘体弯折延伸而成，且所述第二侧壁的顶端与所述槽体表面内边缘相接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘，涉及MOCVD用石墨盘的技术领域。该石墨盘包括石墨盘盘体及分布于盘体上表面用于放置硅衬底的多个圆形凹槽；每个凹槽中包括：槽体、环形上凸底面、第一侧壁、圆台以及第二侧壁。所述凹槽在盘体上的分布分为内与外圈；所述内和外圈凹槽的环形上凸底面高度值相同时外圈凹槽的圆台高度值比内圈凹槽的低2-30um，或者，所述内和外圈凹槽的圆台高度值相同时外圈凹槽的环形上凸底面高度值比内圈凹槽的高2-30um。本实用新型能有效缩小MOCVD中硅基氮化物各圈波长均值差异较大的现象，提高硅衬底GaN基外延生长的波长均匀性与良率，并且延长MOCVD设备中一些零部件的使用寿命。
【IPC分类】C30B25/12, C30B29/40
【公开号】CN205313714
【申请号】CN201521133082
【发明人】刘小平, 孙钱, 孙秀建, 黄应南, 詹晓宁, 吕小翠, 张晗芸
【申请人】晶能光电（常州）有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月30日