专利名称：电子材料组成物的制作方法
技术领域：
本发明是有关一种电子材料组成物，尤其是有关一种具有介电常数低 (LowDielectric constant) R^MiS^^l· (Low Dissipation factor) ^ ^ 材料组成物，而由该电子材料可制作应用于高频的铜箔基板。
背景技术：
电子产业在传统上将使用的铜箔基板材料视为电子元件的安装及电路互连的支 撑材料，对铜箔基板材料的要求是以不影响线路的导电功能为主，然而电子产品发展至今， 对铜箔基板材料的要求不再只是“支撑材”的功能，在电路的讯号传输上系统业者也不断要 求更为快速的讯号传输时间且又可获得更清晰的传输讯号，且由于环保意识日渐抬头，故 无卤素材料的需求也与日俱增，所以为了满足加速讯号传输时间且又可获得更清晰的传输 讯号以及无卤素存在的需求，各种研发工作针对此需求已陆续展开。一般应用于高频的铜箔基板材料需要具有介电常数低及散逸因子小这两种特性， 而为使基板材料能达此水平，先前的高频的铜箔基板材料是以环氧树脂搭配具低介电常数 及低散逸因子来达此效果，如通用电气公司(GeneralElectric Co.)所提出的美国专利 USPTO 5001010、5096771、5141791、5262491、5308565、5834565 及 6352782 是以环氧树脂 搭配聚苯氧材料方式达成低介电常数的需求，如日立化成所提出美国专利USPT07538150 则以环氧树脂搭配聚氧代氮代苯并环己烷(Polybenzoxazine)并搭配含氮环结构的酚醛 树脂以达成无卤素且具低散逸因子的效果。台耀科技先前提出的专利1290945，是以苯乙 烯-马来酸酐共聚物(Styrene Maleic Anhydride Copolymer)搭配氧代氮代苯并环己烷 (Benzoxazine)，并使用含磷环氧树脂来形成高频的无卤素电子材料，但因含磷环氧树脂种 类选择性少，使用上会受到限制。且制作环氧树脂时会有卤素“氯”的残留，往往造成材料 中氯含量偏高因此，目前特别开发一配方，其可用于制作介电常数低、散逸因子小且无环氧树脂 中卤素残留，并搭配阻燃剂，使材料能通过UL 94V-0耐燃测试的无卤素铜箔基板。
发明内容
因此，目前特别开发一配方，其可用于制作介电常数低、散逸因子小且无环氧树脂 中卤素残留，并搭配阻燃剂，使材料能通过UL 94V-0耐燃测试的无卤素铜箔基板，该电子 材料组成物包括(a)苯乙烯-马来酸酐共聚物(Styrene-Maleic anhydride Copolymer)作为硬化
剂，其结构式如下所示
权利要求
1. 一种电子材料组成物，包括(a)苯乙烯-马来酸酐共聚物(Styrene-Maleic anhydride Copolymer)作为硬化剂， 其结构式如下所示
2.如权利要求1所述的电子材料组成物，更包括(d)添加剂，该添加剂包括增韧剂、填 充剂、分散剂和稀释剂中的一种或多种。
3.如权利要求2所述的电子材料组成物，其中，该苯乙烯-马来酸酐共聚物的含量，以 该电子材料组成物的总重计是介于10至40重量％之间；该聚氧代氮代苯并环己烷的含量， 以该电子材料组成物的总重计是介于5至60重量％之间；该阻燃剂的含量，以该电子材料 组成物的总重计是介于5至30重量％之间该增韧剂的含量，以该电子材料组成物的总重 计是介于0至5重量％之间；该填充剂的含量，以该电子材料组成物的总重计是介于5至30 重量％之间；以及该分散剂的含量，以该电子材料组成物的总重计是介于0. 5至3重量％之间。
4.如权利要求2所述的电子材料组成物，其中，该增韧剂是选自环氧化的羧基封端的 丁二烯-丙烯腈橡胶、胺基封端的丁二烯-丙烯腈橡胶、以及羧基封端的丁二烯-丙烯腈橡 胶所成组群。
5.如权利要求4所述的电子材料组成物，其中，该环氧化的羧基封端的丁二烯-丙烯腈 橡胶的环氧当量为200至lOOOg/eq，水解氯含量为500ppm以下，丙烯氰含量占该橡胶总重 的15至80%。
6.如权利要求5所述的电子材料组成物，其中，该胺基封端的丁二烯-丙烯腈橡胶的胺 当量为300至1500g/eq，丙烯氰含量占该橡胶总重的15至80%。
7.如权利要求5所述的电子材料组成物，其中，该羧基封端的丁二烯-丙烯腈橡胶中的 丙烯氰含量占该橡胶总重的15至80%。
8.如权利要求2所述的电子材料组成物，其中，该填充剂是结晶型二氧化硅(crystal silica)、熔融型二氧化硅(fuse silica)、氢氧化铝(Al (OH)3)、三氧化二铝(Al2O3)、氢氧化 镁(Mg(OH)2)、氧化镁(MgO)或黏土。
9.如权利要求2所述的电子材料组成物，其中，该分散剂是氨基硅烷偶合剂 (amino-silane)、或环氧基娃烧偶合剂(epoxy-silane)。
10.如权利要求2所述的电子材料组成物，其中，该稀释剂是选自丙酮、甲乙酮、甲基异 丁酮、环己酮、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇甲酯以及二甲基甲酰氨所成组群。
11.一种电子材料组成物所构成的铜箔基板的制造方法，包括下列步骤(a)将氧代氮代苯并环己烷加入于搅拌器内；(b)一边搅拌一边将苯乙烯-马来酸酐共聚物和阻燃剂加入该搅拌器中；(c)将步骤(b)的混合物混合均勻后，加入添加剂，使氧代氮代苯并环己烷进行聚合反应；(d)将催化剂加入该搅拌器中，继续进行搅拌而形成浆料；(e)使用稀释剂来调整该浆料至适当黏度的状态，得到清漆；(f)将该清漆披覆至补强材料上，经由加热聚合硬化而形成基板；以及(g)将该基板与铜箔进行压合，其中，该阻燃剂为具有磷成分或磷-氮成分的阻燃剂，是选自下列化合物(1)至(3)所 成组群中的至少一种化合物(1)聚甲基膦酸1，3_ 伸苯基酯(P0ly(l，3-phenylene methylphosphonate))阻燃剂， 其中，该聚甲基膦酸1，3_伸苯基酯中的磷含量占该聚甲基膦酸1，3_伸苯基酯总重的12至 18%,(2)磷腈(Polyester phosphazene)类阻燃剂，其中磷含量占该磷腈重量的12 18%，和(3)无机磷-氮粉体阻燃剂，包括聚磷酸铵(AmmoniumPolyphosphate)或三聚氰胺焦 磷酸盐(Melamine Pyrophosphate)，其磷占该无机磷-氮粉体阻燃剂重量的5 20%。
12.如权利要求11所述的由电子材料组成物所构成的铜箔基板的制造方法，其中，该 催化剂为三级胺。
13.如权利要求11所述的由电子材料组成物所构成的铜箔基板的制造方法，其中，该补强材料为玻离布、玻离席、或聚亚酰胺纤维布(aramide fiber) 0
14.如权利要求11所述的由电子材料组成物所构成的铜箔基板的制造方法，其中，该 步骤(e)的披覆方法为含浸方法。
15.如权利要求11所述的由电子材料组成物所构成的铜箔基板的制造方法，其中，该 步骤(d)是于室温下进行搅拌120分钟。
16.如权利要求11所述的由电子材料组成物所构成的铜箔基板的制造方法，其中，该 添加剂包括增韧剂、填充剂和分散剂中的一种或多种。
全文摘要
一种具有介电常数低且散逸因子小的特性的无卤素电子材料组成物，其包括(a)苯乙烯-马来酸酐共聚物；(b)聚氧代氮代苯并环己烷；(c)阻燃剂；以及(d)添加剂。该电子材料组成物可作为应用于高频的铜箔基板的材料。
文档编号C08L35/06GK102134377SQ201010105308
公开日2011年7月27日 申请日期2010年1月26日 优先权日2010年1月26日
发明者廖志伟, 徐玄浩, 陈宪德 申请人:台燿科技股份有限公司