专利名称：化合物、树脂、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
技术领域：
本发明涉及化合物、树脂、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。
背景技术：
作为利用光刻工艺的半导体微制造，已经深入研究了使用ArF准分子激光器(波长193nm)作为曝光系统的光刻工艺。用于这种光刻工艺的光致抗蚀剂组合物通常包含酸生成剂和树脂，所述树脂的关于碱性水溶液的溶解性由于酸的作用而不同。US2007/122750公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含具有由下式表示的结构单
元的树脂
权利要求
1.一种由式(I)表示的化合物
2.根据权利要求I所述的化合物，其中T1表示单键。
3.根据权利要求I所述的化合物，其中m表示O。
4.根据权利要求I或2所述的化合物，其中L2是羰基。
5.根据权利要求I或2所述的化合物，其中L3是单键或亚甲基。
6.根据权利要求I或2所述的化合物，其中L3是亚甲基。
7.一种树脂，所述树脂包含衍生自根据权利要求I或2所述的化合物的结构单元。
8.根据权利要求7所述的树脂，所述树脂还包含衍生自具有酸不稳定基团但是不由式(I)表示的单体的结构单元。
9.根据权利要求8所述的树脂，其中所述具有酸不稳定基团但是不由式(I)表示的单体由式(al-1)或式(al-2)表示
10.根据权利要求7所述的树脂，所述树脂还包含衍生自不具有酸不稳定基团但是具有羟基金刚烷基的单体的结构单元。
11.根据权利要求10所述的树脂，其中所述不具有酸不稳定基团但是具有羟基金刚烷基的单体由式(a2_l)表示
12.根据权利要求7所述的树脂，所述树脂还包含衍生自不具有酸不稳定基团但是具有内酯环的单体的结构单元。
13.根据权利要求12所述的树脂，其中所述不具有酸不稳定基团但是具有内酯环的单体是选自由下列各项单体组成的组中的至少一种单体由式(a3_l)表示的单体、由式(a3-2)表示的单体和由式(a3_3)表示的单体
14.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含根据权利要求7所述的树脂、酸生成剂和溶剂。
15.根据权利要求14所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含具有衍生自不具有酸不稳定基团但是具有氟原子的单体的结构单元的树脂。
16.根据权利要求15所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述不具有酸不稳定基团但是具有氟原子的单体由式(a4_l)表示
17.根据权利要求14、15或16所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述酸生成剂是由式(BI)表不的盐
18.根据权利要求17所述的光致抗蚀剂组合物，其中Y表示可以具有取代基的C3-C18脂环族烃基。
19.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括以下步骤(I)至(5) (1)将根据权利要求14、15或16所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板上的步骤， (2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤， (3)将所述光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤， (4)将曝光过的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，以及 (5)将烘焙过的光致抗蚀剂膜显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
全文摘要
本发明提供化合物、树脂、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。所述化合物是由式(I)表示的化合物，其中，T1表示单键或C6-C14芳族烃基；L1表示C1-C17二价饱和烃基，其中亚甲基可以被氧原子或羰基代替；L2和L3各自独立地表示单键或C1-C6二价饱和烃基，其中亚甲基可以被氧原子或羰基代替；环W1和环W2各自独立地表示C3-C36烃环；R1和R2各自独立地表示氢原子、羟基或C1-C6烷基；R3和R4各自独立地表示羟基或C1-C6烷基；R5表示羟基或甲基；m表示0或1；并且t和u各自独立地表示0至2的整数。
文档编号C08F220/18GK102786419SQ20121015208
公开日2012年11月21日 申请日期2012年5月16日 优先权日2011年5月20日
发明者吉田勋, 市川幸司 申请人:住友化学株式会社