包含非对称二芳基氨基芴单元的聚合物的制作方法
【专利摘要】包含一种或多种任选取代的式(I)重复单元的聚合物：其中每个Ar1独立地代表取代或未取代的芳族或杂芳族基团；每个Ar2独立地代表取代或未取代的芳族或杂芳族基团；n和m在每次出现时为至少1；并且R1和R2为取代基，其中R1和R2不同。
【专利说明】包含非对称二芳基氨基芴单元的聚合物发明领域
[0001]本发明涉及聚合物，特别涉及电荷传输和/或发光聚合物；用于制造所述聚合物的单体；制造所述聚合物的方法；含所述聚合物的组合物；包含所述聚合物的有机电子器件；以及制造所述器件的方法。
[0002]发明背景
[0003]对于在器件例如有机发光二极管(OLED)、有机光响应器件(特别是有机光伏器件和有机光传感器)、有机晶体管和存储器阵列器件中的应用，含有活性有机材料的电子器件正引起越来越多的关注。含有活性有机材料的器件提供诸如低重量、低功率消耗和柔性的益处。此外，可溶有机材料的使用允许在器件制造中利用溶液加工，例如喷墨印刷或者旋涂O
[0004]OLED可以包含带有阳极的基底、阴极以及介于阳极和阴极之间的一个或多个有机发光层。
[0005]在器件工作期间空穴通过阳极被注入器件并且电子通过阴极被注入器件。发光材料的最高已占分子轨道(HOMO)中的空穴和最低未占分子轨道(LUMO)中的电子结合从而形成激子，所述激子以光的形式释放其能量。
[0006]合适的发光材料包括小分子、聚合物和树枝状分子(dendrimeric)材料。示例性的发光聚合物包括聚亚芳基亚乙烯基类例如聚(对亚苯基亚乙烯基)和聚亚芳基类例如聚芴类。
[0007]W02005/049546公开了具有下式的重复单元的聚合物:
[0008]
【权利要求】
1.包含一种或多种任选取代的式(I)重复单元的聚合物:
其中每个Ar1独立地代表取代或未取代的芳族或杂芳族基团；每个Ar2独立地代表取代或未取代的芳族或杂芳族基团；n和m在每次出现时为至少I ;并且R1和R2为取代基，其中R1和R2不同。
2.根据权利要求1的聚合物，其中R1通过SP2杂化碳原子结合至芴环并且R2通过SP3杂化碳原子结合至荷单元。
3.根据权利要求2的聚合物，其中R2是取代或未取代的支化、直链或环状的烷基，任选为Cu烷基，其中一个或多个非邻近的C原子可以被O、S、NR5、C = O或-COO-替换以及一个或多个H原子可以被F或D替换，并且R5是H或取代基。
4.根据权利要求2或3的聚合物，其中R1通过基团-(Ar3)y结合至芴单元，其中Ar3在每次出现时为取代或未取代的芳族或杂芳族基团为至少1，任选为1、2或3 ;并且当y大于2时-(Ar3) y形成Ar3基团的直链或支化链。
5.根据权利要求4的聚合物，其中Ar3或者在y大于2的情形中至少一个Ar3是取代或未取代的芳族或杂芳族基团。
6.根据权利要求5的聚合物，其中Ar3在每次出现时为取代或未取代的苯基。
7.根据权利要求4、5或6的聚合物，其中Ar3取代有一个或多个取代基，任选为一个或多个选自于如下的取代基:F ；CN ；N02 ；NR52 ;可交联基团；以及CV2tl烷基，其中一个或多个非邻近C原子可以被任选取代的芳基或杂芳基、O、S、NR5、C = O或-C00-替换，并且其中一个或多个H原子可以被F或D替换，以及R5是H或取代基。
8.根据任一前述权利要求的聚合物，其中每个η独立地为1-3，优选为I。
9.根据任一前述权利要求的聚合物，其中每个m独立地为1-3，优选为I。
10.根据任一前述权利要求的聚合物，其中每个Ar1和Ar2独立地为未取代或取代的苯基。
11.根据任一前述权利要求的聚合物，其中每个Ar1是未取代的。
12.根据任一前述权利要求的聚合物，其中至少一个Ar2取代有一个或多个选自如下的取代基:f;cn;no2 ；nr52 ;可交联基团；(ν2(ι烷基，其中一个或多个非邻近C原子可以被任选取代的芳基或杂芳基、O、S、NR5, C = O或-C00-替换，并且其中一个或多个H原子可以被F或D替换，以及R5是H或取代基。
13.根据任一前述权利要求的聚合物，其中m为I并且至少一个Ar2取代有至少两个取代基，任选地2或3个取代基。
14.根据任一前述权利要求的聚合物，其中与Ar2-N键成邻位的至少一个(Ar2)m的至少一个位置被取代。
15.根据任一前述权利要求的聚合物，其中该聚合物包含至少一种共聚重复单元。
16.根据权利要求15的聚合物，其中该聚合物包含式(IV)的共聚重复单元:
其中R5在每次出现时是相同或不同的并且是H或取代基，并且其中两个基团R5可以连接形成环。
17.根据任一前述权利要求的聚合物，其中该聚合物包含式(Ib)的重复单元:
其中Ar1、Ar2、R1、R2、n和m如任一前述权利要求中所定义。
18.根据任一前述权利要求的聚合物，其中该聚合物是可交联的。
19.根据权利要求18的聚合物，其中式(I)重复单元和/或一种或多种共聚重复单元取代有至少一个可交联基团。
20.根据权利要求19的聚合物，其中所述至少一个可交联基团在每次出现时独立地选自双键基团和苯并环丁烷基团。
21.一种有机电子器件，该有机电子器件包含半导体层，其中该半导体层包含根据任一前述权利要求的聚合物。
22.根据权利要求21的有机电子器件，其中该器件是在阳极和阴极之间包含该半导体层的有机发光器件。
23.根据权利要求22的有机电子器件，其中该半导体层是发光层。
24.根据权利要求22的有机电子器件，其中该半导体层是介于阳极和发光层之间的空穴传输层。
25.配制物，该配制物包含根据权利要求1-20任一项的聚合物和至少一种溶剂。
26.形成根据权利要求21-24任一项的有机电子器件的方法，该方法包括步骤:通过沉积权利要求25的配制物并蒸发所述至少一种溶剂来形成所述半导体层。
27.式(II)的单体:
其中Ar1、Ar2、R1、R2、n和m如权利要求1_20任一项所定义，并且每个L代表反应性离去基团。
28.根据权利要求27的单体，其中每个L是能够参与过渡金属介导的交叉偶联反应的基团。
29.根据权利要求28的单体，其中每个L独立地选自如下:?素，优选Br或I;硼酸和硼酸酯；以及磺酸酯。
30.形成根据权利要求1-20任一项的聚合物的方法，该方法包括步骤:使根据权利要求27-29任一项的单体聚合。
31.根据权利要求30的方法，其中在金属催化剂的存在下进行所述聚合。
32.根据权利要求31的方法，其中所述金属催化剂选自于镍催化剂和钯催化剂。
33.包含根据式(III)重复单元的聚合物:
其中每个Ar1独立地代表取代或未取代的芳族或杂芳族基团；每个Ar2独立地代表取代或未取代的芳族或杂芳族基团；n和m在每次出现时为至少I ;以及R3和R4为取代基，其中R3和R4至少之一是取代或未取代的芳基或杂芳基。
34.根据权利要求33的聚合物，其中R3和R4均代表取代或未取代的芳基或杂芳基。
35.根据权利要求33或34的聚合物，其中R3和R4至少之一具有式(Ar6)z，其中Ar6在每次出现时代表未取代或取代的芳族或杂芳族基团并且z为至少1，任选为1、2或3。
36.根据权利要求35的聚合物，其中Ar6是未取代或取代的苯基。
37.根据权利要求35或36的聚合物，其中至少一个Ar6取代有一个或多个选自如下的取代基:F ；CN ；N02 ；NR52 ;可交联基团；和C1J烷基，其中一个或多个非邻近C原子可以被任选取代的芳基或杂芳基、0、S、NR5、C = O或-COO-替换，并且其中一个或多个H原子可以被F或D替换，并且R5是H或取代基。
【文档编号】C08G61/12GK104053747SQ201380005584
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年1月16日 优先权日:2012年1月16日
【发明者】R·佩金顿, S·B·海登海恩, M·J·麦基尔南 申请人:剑桥显示技术有限公司, 住友化学株式会社