本发明涉及绝缘料制备方法，尤其涉及一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法。
背景技术：
无卤低烟阻燃交联聚烯烃材料的使用温度一般为70℃～90℃；JBT/10707中对无卤低烟阻燃交联聚烯烃电缆料的要求老化条件为100℃；在一些特殊使用场合会有耐热105℃、125℃、135℃，甚至150℃使用要求，这时就需要将聚烯烃交联才能达到在较高温度下不熔化的要求，满足高温下使用及过载短路的瞬间高温的使用状态；同时因为在高温下使用对耐热老化，阻燃和绝缘又有较高要求，因此还需提高耐热老化性能，阻燃和绝缘性能。
交联聚烯烃材料可以使用2种方式交联，一种是添加交联剂，在高温下电缆料直接交联，这种方式不适应于电缆料的生产，电缆料交联后没有办法进行电缆生产；另一种是添加交联剂和交联助剂，在生产电缆后通过辐照的方式交联，根据电线电缆产品的厚度、结构确定，辐照剂量为8-12焦耳/千克。
技术实现要素：
本发明目的是提供一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法，解决了以上技术问题。
为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本发明所采用的技术方案是：一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法；其特征在于：按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE20-25份，EVA树脂15-20份，阻燃硅烷1-2份，氢氧化铝30-50份，氢氧化镁0-10份，纳米级陶瓷5-8份，白炭黑0.5份，液体交联剂3-5份，交联助剂0.2-0.5份，抗氧剂0.2-0.3份，其他加工助剂1-2份。
作为优选的技术方案：按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE23份，EVA树脂17份，阻燃硅烷1.5份，氢氧化铝40份，氢氧化镁5份，纳米级陶瓷6.5份，白炭黑0.5份，液体交联剂4份，交联助剂0.35份，抗氧剂0.25份，其他加工助剂1.5份。
作为优选的技术方案：包括以下步骤：
步骤①：前处理；将氢氧化铝和氢氧化镁，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷到110℃；将纳米级陶瓷和白炭黑，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷和1%的聚乙烯蜡，搅拌到140℃；
步骤②：密炼；将配置好的原料密炼到110-120℃；
步骤③：双螺杆挤出；对原料进行塑化；
步骤④：单螺杆挤出造粒；对塑化后原料进行挤出造粒；
步骤⑤：风冷；将步骤④形成的高温颗粒通过震动筛，利用冷风进行冷却；
步骤⑥：包装。
作为优选的技术方案：所述的HDPE为高密度聚乙烯树脂；所述的EVA树脂为乙烯-醋酸乙烯脂共聚物，其中VA醋酸乙烯脂含量为28。
作为优选的技术方案：所述的HDPE高密度聚乙烯树脂与EVA树脂重量份总和为40份。
作为优选的技术方案：所述的步骤①，所述的纳米级陶瓷作为提高体积电阻率的成分；所述的白炭黑作为加工助剂。
作为优选的技术方案：所述的步骤③，双螺杆挤出设置有6个工段，温度依次设置为:100-110℃、105-115℃、110-120℃、110-120℃、110-120℃、105-115℃。
作为优选的技术方案：所述的步骤④，单螺杆挤出造粒设置有4个工段，温度依次设置为:110-120℃、120-130℃、130-140℃、130-140℃。
本发明的有益效果是：一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法，按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE20-25份，EVA树脂15-20份，阻燃硅烷1-2份，氢氧化铝30-50份，氢氧化镁0-10份，纳米级陶瓷5-8份，白炭黑0.5份，液体交联剂3-5份，交联助剂0.2-0.5份，抗氧剂0.2-0.3份，其他加工助剂1-2份，并采用完善的制备方法，不但使得绝缘料具备低烟无卤、阻燃，耐高温，绝缘等特性，而且提高了绝缘产品的辐照交联度，辐照剂量为8-12焦耳/千克，绝缘产品的体积电阻率超过标准一个数量级，耐温等级可达到125℃。
具体实施方式
下面对本发明进一步描述；
一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法；按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE20-25份，EVA树脂15-20份，阻燃硅烷1-2份，氢氧化铝30-50份，氢氧化镁0-10份，纳米级陶瓷5-8份，白炭黑0.5份，液体交联剂3-5份，交联助剂0.2-0.5份，抗氧剂0.2-0.3份，其他加工助剂1-2份；所述的HDPE为高密度聚乙烯树脂；所述的EVA树脂为乙烯-醋酸乙烯脂共聚物，其中VA醋酸乙烯脂含量为28；所述的HDPE高密度聚乙烯树脂与EVA树脂重量份总和为40份。
包括以下步骤：
步骤①：前处理；将氢氧化铝和氢氧化镁，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷到110℃；将纳米级陶瓷和白炭黑，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷和1%的聚乙烯蜡，搅拌到140℃；所述的纳米级陶瓷作为提高体积电阻率的成分；所述的白炭黑作为加工助剂；
步骤②：密炼；将配置好的原料密炼到110-120℃；
步骤③：双螺杆挤出；对原料进行塑化；所述的双螺杆挤出设置有6个工段，温度依次设置为:100-110℃、105-115℃、110-120℃、110-120℃、110-120℃、105-115℃；
步骤④：单螺杆挤出造粒；对塑化后原料进行挤出造粒；所述的单螺杆挤出造粒设置有4个工段，温度依次设置为:110-120℃、120-130℃、130-140℃、130-140℃；
步骤⑤：风冷；将步骤④形成的高温颗粒通过震动筛，利用冷风进行冷却；
步骤⑥：包装。
实施例1
一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法；按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE20份，EVA树脂20份，阻燃硅烷1份，氢氧化铝30份，氢氧化镁0份，纳米级陶瓷5份，白炭黑0.5份，液体交联剂3份，交联助剂0.2份，抗氧剂0.2份，其他加工助剂1份；所述的HDPE为高密度聚乙烯树脂；所述的EVA树脂为乙烯-醋酸乙烯脂共聚物，其中VA醋酸乙烯脂含量为28；所述的HDPE高密度聚乙烯树脂与EVA树脂重量份总和为40份。
包括以下步骤：
步骤①：前处理；将氢氧化铝和氢氧化镁，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷到110℃；将纳米级陶瓷和白炭黑，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷和1%的聚乙烯蜡，搅拌到140℃；所述的纳米级陶瓷作为提高体积电阻率的成分；所述的白炭黑作为加工助剂；
步骤②：密炼；将配置好的原料密炼到110℃；
步骤③：双螺杆挤出；对原料进行塑化；所述的双螺杆挤出设置有6个工段，温度依次设置为:100℃、105℃、110℃、110-℃、110℃、105℃；
步骤④：单螺杆挤出造粒；对塑化后原料进行挤出造粒；所述的单螺杆挤出造粒设置有4个工段，温度依次设置为:110℃、120℃、130℃、130℃；
步骤⑤：风冷；将步骤④形成的高温颗粒通过震动筛，利用冷风进行冷却；
步骤⑥：包装。
经过测试其体积电阻率超过标准一个数量级，耐温等级可达到125℃。
实施例2
一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法；按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE23份，EVA树脂17份，阻燃硅烷1.5份，氢氧化铝40份，氢氧化镁5份，纳米级陶瓷6.5份，白炭黑0.5份，液体交联剂4份，交联助剂0.35份，抗氧剂0.25份，其他加工助剂1.5份；所述的HDPE为高密度聚乙烯树脂；所述的EVA树脂为乙烯-醋酸乙烯脂共聚物，其中VA醋酸乙烯脂含量为28；所述的HDPE高密度聚乙烯树脂与EVA树脂重量份总和为40份。
包括以下步骤：
步骤①：前处理；将氢氧化铝和氢氧化镁，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷到110℃；将纳米级陶瓷和白炭黑，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷和1%的聚乙烯蜡，搅拌到140℃；所述的纳米级陶瓷作为提高体积电阻率的成分；所述的白炭黑作为加工助剂；
步骤②：密炼；将配置好的原料密炼到115℃；
步骤③：双螺杆挤出；对原料进行塑化；所述的双螺杆挤出设置有6个工段，温度依次设置为:105℃、110℃、115℃、115℃、115℃、110℃；
步骤④：单螺杆挤出造粒；对塑化后原料进行挤出造粒；所述的单螺杆挤出造粒设置有4个工段，温度依次设置为:115℃、125℃、135℃、135℃；
步骤⑤：风冷；将步骤④形成的高温颗粒通过震动筛，利用冷风进行冷却；
步骤⑥：包装。
经过测试其体积电阻率超过标准一个数量级，耐温等级可达到125℃。
实施例3
一种125℃无卤低烟阻燃交联聚烯烃绝缘料制备方法；按重量份计，主要由以下组分组成：HDPE25份，EVA树脂15份，阻燃硅烷2份，氢氧化铝50份，氢氧化镁10份，纳米级陶瓷8份，白炭黑0.5份，液体交联剂5份，交联助剂0.5份，抗氧剂0.3份，其他加工助剂2份；所述的HDPE为高密度聚乙烯树脂；所述的EVA树脂为乙烯-醋酸乙烯脂共聚物，其中VA醋酸乙烯脂含量为28；所述的HDPE高密度聚乙烯树脂与EVA树脂重量份总和为40份。
包括以下步骤：
步骤①：前处理；将氢氧化铝和氢氧化镁，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷到110℃；将纳米级陶瓷和白炭黑，通过高速搅拌，加入1%的阻燃硅烷和1%的聚乙烯蜡，搅拌到140℃；所述的纳米级陶瓷作为提高体积电阻率的成分；所述的白炭黑作为加工助剂；
步骤②：密炼；将配置好的原料密炼到120℃；
步骤③：双螺杆挤出；对原料进行塑化；所述的双螺杆挤出设置有6个工段，温度依次设置为:110℃、115℃、120℃、120℃、120℃、115℃；
步骤④：单螺杆挤出造粒；对塑化后原料进行挤出造粒；所述的单螺杆挤出造粒设置有4个工段，温度依次设置为:120℃、130℃、140℃、140℃；
步骤⑤：风冷；将步骤④形成的高温颗粒通过震动筛，利用冷风进行冷却；
步骤⑥：包装。
经过测试其体积电阻率超过标准一个数量级，耐温等级可达到125℃。
上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的描述，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。