一种噁二唑取代的有机发光材料及OLED器件的制作方法

本发明涉及oled器件领域，具体地说，涉及一种噁二唑取代的有机发光材料及具有其的oled器件。
背景技术：
：有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)又称为有机电激光显示、有机发光半导体、有机发光装置。oled显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等较多的优点。能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，以经典的有机电致发光器件为例，其层叠结构包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极。为了实现有机发光装置的优异性能，构成有机材料层的材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等，应当是稳定的并且具有优良的效率。当有机发光器件通过真空沉积制造时，操作或储存处于高温的条件，会使得发射的光的改变，发光效率降低，驱动电压增加，同时寿命的缩短。为了防止这些问题，需要开发具有高的玻璃化转变温度和能够降低驱动电压的新型电子传输材料。迄今为止，噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物和铝络合物广泛用作电子传输材料。因此，本发明提供了一种新型的噁二唑取代的有机发光材料及具有其的oled器件。技术实现要素：针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种噁二唑取代的有机发光材料及具有其的oled器件，其具有高电荷转移能力和高玻璃化转变温度，并且可以防止器件制作过程中材料的结晶。根据本发明的一个方面，提供了一种噁二唑取代的有机发光材料，具有式i所示的结构的化合物：其中，x分别独立的为o、s、取代或未取代的c1-c50烷基基团，l为芳环或芳杂环，n值为0-3，r1-r4分别独立的为氢、氘、取代或未取代的c6-c60芳基基团、取代或未取代的c6-c60杂芳基基团、取代或未取代的c1-c50烷基基团。优选的：所述n＝0。优选的：所述x为o，所述式i所示的结构的化合物为：优选的：所述x为s，所述式i所示的结构的化合物为：优选的：所述x为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基或它们的组合。优选的：所述x为丙烷，所述式i所示的结构的化合物为：优选的：所述r1-r4分别独立的为苯基、萘基、蒽基、菲基、醌基、芴基、螺芴基或它们的组合。优选的：所述r1-r4分别独立的为呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、苯并呋喃基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基或它们的组合。优选的：所述r1-r4分别独立的为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基或它们的组合。根据本发明的另一个方面，还提供一种oled器件，所述oled器件中镀有包括根据上述任一项所述的噁二唑取代的有机发光材料。优选的，所述噁二唑取代的有机发光材料应用于电子传输材料。本发明的一种噁二唑取代的有机发光材料及具有其的oled器件，其具有高电荷转移能力和高玻璃化转变温度，并且可以防止器件制作过程中材料的结晶。具体实施方式现在将参考实施例更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在本发明的实施例中，提供了一种噁二唑取代的有机发光材料及具有其的oled器件，具有式i所示的结构的化合物：其中，优选n＝0，并优选x分别独立的为o、s、取代或未取代的c1-c50烷基基团，l为芳环或芳杂环，n值为0-3，r1-r4分别独立的为氢、氘、取代或未取代的c6-c60芳基基团、取代或未取代的c6-c60杂芳基基团、取代或未取代的c1-c50烷基基团。并优选r1-r4分别独立的为苯基、萘基、蒽基、菲基、醌基、芴基、螺芴基，或呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、苯并呋喃基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基，或甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基，或它们的组合。本发明的实施例通过噁二唑取代的含硫螺环结构的化合物，制备用于oled器件的电子传输材料，具有高电荷转移能力和高玻璃化转变温度，并且可以防止器件制作过程中材料的结晶。下面具体实施例描述本发明：实施例1制备方程式为：化合物1步骤为：将5g化合物1，8g无水磷酸钾粉末，100ml无水1,4-二氧六环和0.6gpd(pph3)4加入200ml三口瓶中，抽真空补氮气30min。保持101℃下，加入8.5g1,3,4-噁二唑硼酸，避光回流反应24h。冷却至室温后，沉淀出固体，过滤，经过色谱柱层析，得到2.3g产物(产率46％)。最终产物经分析得出：tg(dsc)110℃，纯度99.9％，1hnmr(400mhz，dmso)δ7.78(s,4h),7.66(s,4h),7.40(d,4h),7.04(d,4h)。实施例2制备方程式为：化合物2步骤为：将5g化合物2，8g无水磷酸钾粉末，100ml无水1,4-二氧六环和0.6gpd(pph3)4加入200ml三口瓶中，抽真空补氮气30min。保持101℃下，加入8.5g1,3,4-噁二唑硼酸，避光回流反应24h。冷却至室温后，沉淀出固体，过滤，经过色谱柱层析，得到2.2g产物(产率42％)。最终产物经分析得出：tg(dsc)113℃，纯度99.9％，1hnmr(400mhz，dmso)δ7.78(s,4h),7.76(s,2h),7.60(d,2h),7.50(m,4h),7.32(d,2h),7.24(d,2h)。实施例3制备方程式为：化合物3步骤为：将5g化合物3，8g无水磷酸钾粉末，100ml无水1,4-二氧六环和0.6gpd(pph3)4加入200ml三口瓶中，抽真空补氮气30min。保持101℃下，加入8.5g1,3,4-噁二唑硼酸，避光回流反应24h。冷却至室温后，沉淀出固体，过滤，经过色谱柱层析，得到2.1g产物(产率41％)。最终产物经分析得出：tg(dsc)115℃，纯度99.9％，1hnmr(400mhz，dmso)δ7.76(s,2h),7.60(d,2h),7.50(d,4h),7.48(d,8h),7.32(m,10h),7.24(d,2h),7.22(m,4h)。实施例4制备方程式为：化合物4步骤为：在200ml三口瓶中，依次加入4.5g化合物4，8g无水磷酸钾粉末，100ml无水1,4-二氧六环，0.75gpd(pph3)4，搅拌均匀后，边抽真空边补氮气30min。保持101℃下反应，加入8.5g1,3,4-噁二唑硼酸，避光回流反应24h。冷却至室温后，沉淀出固体，过滤，经过色谱柱层析，得到1.9g产物(产率40％)。最终产物经分析得出：tg(dsc)108℃，纯度99.9％，1hnmr(400mhz，dmso)δ7.78(s,4h),7.76(s,2h),7.62(s,2h),7.60(d,2h)，7.50(d,2h)，7.36(d,2h)，7.25(d,2h)，1.67(s,6h)。实施例5制备方程式为：化合物5步骤为：在200ml三口瓶中，依次加入4.5g化合物5，8g无水磷酸钾粉末，100ml无水1,4-二氧六环，0.75gpd(pph3)4，搅拌均匀后，边抽真空边补氮气30min。保持101℃下反应，加入8.5g1,3,4-噁二唑硼酸，避光回流反应24h。冷却至室温后，沉淀出固体，过滤，经过色谱柱层析，得到2.1g产物(产率46％)。最终产物经分析得出：tg(dsc)114℃，纯度99.9％，1hnmr(400mhz，dmso)δ7.76(s,2h)，7.62(s,2h)，7.60(d,2h),7.50(d,2h),7.48(d,8h)，7.36(d,2h)，7.32(m,8h)，7.25(d,2h)，7.22(m,4h)，1.67(s,6h)。对照例器件测试提供一种oled器件，其由上到下依次包括：阳极(80nm)/空穴注入层(10nm)/空穴传输层(100nm)/发光层(20nm)/电子传输层(30nm)/阴极(20nm)。其中，阳极使用材料为ito(氧化铟锡膜导电玻璃)，空穴注入层材料为npb:f4-tcnq(5％)，空穴传输层材料为npb，发光层材料为tcta:ir(ppy)3(7％)，电子传输层材料为本发明的实施例和对照例，阴极材料为mg/ag。器件结构如下表1所示：表1：器件结构表性能测试将本发明实施例和对照例构成的器件进行性能测试，器件性能(光度效率le，驱动电压v)数据在1000nits亮度下测得，寿命(lt95)数据在电流密度40ma/cm2条件下计算得到从初始亮度(100％)降低到97％的时间。结果如下表2中所示：表2：性能测试结果表颜色发光效率le(cd/a)电压v(v)lt95(相对值a.u.)实施例1绿色784.0173实施例2绿色833.9182实施例3绿色844.0180实施例4绿色803.8179实施例5绿色793.6166对照例绿色535.4113从表2结果可以看出，相较于对照例，本发明实施例1-5制备的发光器件具有更好的光度效率、更高的驱动电压，并在高温下具有更长的lt95寿命，因此，具备更高的电荷转移能力和更好的热稳定性。综上，本发明的一种噁二唑取代的有机发光材料及具有其的oled器件，具有高电荷转移能力和较好的热稳定性，能够很好的适用于有机发光器件的高效率和操作或储存时的稳定性。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属
技术领域：
的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。当前第1页12