技术特征：
1.一种半导体聚合物组合物，包括：a)至少30wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物；b)至少25wt％的炭黑；和c)至少2wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物，其mfr2为至少100g/10min；条件是组分(a)和(c)不同。2.如权利要求1所述的半导体聚合物组合物，其中当根据astm d-1510-19测定时，所述炭黑的碘吸附值为至少10mg/g，例如10至300mg/g，诸如30至250mg/g，例如80至200mg/g，或100至170mg/g；和/或当根据astm d 2414-19测量时，吸油值为至少30ml/100g，例如50至300ml/100g，例如50至250ml/100g，例如70至200ml//100g，例如90至130ml/100g。3.如权利要求1或2所述的半导体聚合物组合物，其中相对于所述共聚物的总重量，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的乙酸乙烯酯含量为1至35wt％，优选1.5至32wt％，更优选2至28wt％，更优选2.5至25wt％，甚至更优选3至22wt％，诸如4至20wt％，尤其是5至19wt％，诸如10至18wt％，例如12至16wt％。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的mfr2小于乙烯乙酸乙烯酯共聚物(c)的mfr2，优选mfr2为0.01至50g/10min，更优选0.05至40g/10min，甚至更优选0.1至30g/10min，诸如0.5至20g/10min，例如1至15g/10min。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)的存在量为30至73wt％，优选30至70wt％，更优选32至68wt％，甚至更优选35至65wt％或45至60wt％。6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中炭黑(b)的存在量为25至60wt％，优选28至55wt％，更优选30至50wt％，例如35至45wt％或34至41wt％；和/或所述乙烯乙酸乙烯酯(c)的存在量为2至30wt％，优选2至20wt％，更优选5至15wt％。7.如权利要求1至7中任一项所述的半导体聚合物组合物，进一步包括至少0.1wt％的酸清除剂，优选金属硬脂酸盐，例如硬脂酸锌和/或进一步包括抗氧化剂和/或交联剂。8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中相对于所述乙烯乙酸乙烯酯的总重量，所述乙烯乙酸乙烯酯(c)的乙酸乙烯酯含量为1至45wt％，优选1至35wt％，更优选2至30wt％，甚至更优选3至25wt％，诸如5.0至20wt％，尤其是10至20wt％，例如11至19wt％。9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体聚合物组合物，其中所述乙烯乙酸乙烯酯(c)的mfr2(2.16kg，190℃)为100至1200g/10min，例如100至1000g/10min或100至800g/10min，例如250至600g/10min，例如350至550g/10min。10.一种包括半导体层的制品，所述半导体层从如上文所定义的半导体聚合物组合物获得，其中所述制品例如为电缆，例如电力电缆。11.一种制备半导体聚合物组合物的方法，包括：a)至少30wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物；b)至少25wt％的炭黑；和c)至少2wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物，具有至少100g/10min的mfr2和/或至少0.1wt％
的酸清除剂；所述方法包含在低于240℃的温度下配混(a)至(c)，条件是当存在时，乙烯乙酸乙烯酯共聚物(c)不同于乙烯乙酸乙烯酯共聚物(a)。12.如权利要求11所述的方法，其中所述半导体聚合物组合物包括mfr2至少为100g/10min的乙烯乙酸乙烯酯共聚物和作为组分(c)的酸清除剂。13.如权利要求11或12所述的方法，其中所述酸清除剂是金属硬脂酸盐，优选硬脂酸锌。14.如权利要求11至13中任一项所述的方法，其中所述半导体聚合物组合物如权利要求2至8中任一项所定义。15.mfr2至少为100g/10min的乙烯乙酸乙烯酯共聚物和/或酸清除剂用于降低半导体聚合物组合物的配混温度的用途。
技术总结
本发明提供了一种半导体聚合物组合物，包含a)至少30wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物；b)至少25wt％的炭黑；和c)至少2wt％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物，其MFR2至少为100g/10min；条件是组分(a)和(c)不同。组分(a)和(c)不同。
技术研发人员：丹尼尔
受保护的技术使用者：博里利斯股份公司
技术研发日：2020.09.11
技术公布日：2022/6/21