一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料，涉及电缆屏蔽材料技术领域，主要由低密度聚乙烯、三元乙丙橡胶、导电炭黑、气相白炭黑、对苯二甲酸二辛酯、过氧化二甲酰、抗氧剂BHT、紫外线吸收剂UV?531、纳米氢氧化镁、羧化碳纳米管、玻璃纤维、硬脂酸、硼酸锌、锗粉、SCM晶须、氢化松香季戊四醇酯制成。本发明的电缆用半导电屏蔽材料采用低密度聚乙烯为主要原料，抗张强度和抗撕裂性能好，搭配三元乙丙橡胶成分，弥补了其耐腐蚀性和耐老化性能的不足，纳米氢氧化镁、羧化碳纳米管、SCM晶须等成分提高了产品的抗燃性、耐老化性和机械强度，产品整体性能优异，使用寿命长。
【专利说明】
一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料
技术领域
[0001] 本发明涉及电缆屏蔽材料技术领域，更具体地说是一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽 材料。
【背景技术】
[0002] 电线电缆行业是电力和通信两大国民经济支柱产业的重要配套行业，在国民经济 中有着极其重要的地位，其中行业生产总量占全国总GDP的4%。至5%。，电线电缆产品起着输 送能源、传递信息的重要作用，是国民经济的"血管"和"神经"。
[0003] 半导电屏蔽材料是中高压电缆必须采用的构件之一，为适应社会的快速发展和当 前较高的交联电缆市场需求量，对半导电屏蔽材料的质量和各种性能提出了更高的要求， 现有的半导电屏蔽材料越来越不能满足社会的需求。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是为了弥补现有技术的不足，提供一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材 料。
[0005] 本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
[0006] 一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料，由以下重量份原料制成：低密度聚乙烯Togo、三元乙丙橡胶 20-30、导电炭黑 35-45、气相白炭黑 6-8、对苯二甲酸二辛酯 12-15、过氧化 二甲酰4-6、抗氧剂BHT3-5、紫外线吸收剂UV-5312-4、纳米氢氧化镁3-5、羧化碳纳米管2-4、 玻璃纤维1 -3、硬脂酸4-6、硼酸锌5-7、锗粉1 -3、SCM晶须1 -3、氢化松香季戊四醇酯6-8。
[0007] -种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料的制备方法，由以下步骤制成：
[0008] (1)按重量份称取各原料；
[0009] (2)将低密度聚乙烯、三元乙丙橡胶、导电炭黑、气相白炭黑、纳米氢氧化镁、羧化 碳纳米管、玻璃纤维、硬脂酸、硼酸锌、SCM晶须、氢化松香季戊四醇酯混合均勾，得到混合料 A；
[0010] (3)将在上述步骤（2)中的混合料A中按重量份加入对苯二甲酸二辛酯、过氧化二 甲酰、抗氧剂BHT、紫外线吸收剂UV-531，常温下低速搅拌2-3分钟，使得混合均匀，得到混合 料B;
[0011] (4)将上述步骤(3)得到的混合料B加入开炼机和密炼机或双螺杆挤出机混炼、造 粒，控制温度150-160 °C，干燥，包装即得成品。
[0012] 本发明的优点在于：
[0013] 本发明的电缆用半导电屏蔽材料采用低密度聚乙烯为主要原料，抗张强度和抗撕 裂性能好，搭配三元乙丙橡胶成分，弥补了其耐腐蚀性和耐老化性能的不足，纳米氢氧化 镁、羧化碳纳米管、SCM晶须等成分提高了产品的抗燃性、耐老化性和机械强度，产品整体性 能优异，使用寿命长。
【具体实施方式】
[0014] 实施例1
[0015] 一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料，由以下重量份(kg)原料制成:低密度聚乙烯 70、三元乙丙橡胶20、导电炭黑35、气相白炭黑6、对苯二甲酸二辛酯12、过氧化二甲酰4、抗 氧剂BHT 3、紫外线吸收剂UV-5312、纳米氢氧化镁3、羧化碳纳米管2、玻璃纤维1、硬脂酸4、 硼酸锌5、锗粉1、SCM晶须1、氢化松香季戊四醇酯6。
[0016] -种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料的制备方法，由以下步骤制成：
[0017] (1)按重量份称取各原料；
[0018] (2)将低密度聚乙烯、三元乙丙橡胶、导电炭黑、气相白炭黑、纳米氢氧化镁、羧化 碳纳米管、玻璃纤维、硬脂酸、硼酸锌、SCM晶须、氢化松香季戊四醇酯混合均勾，得到混合料 A；
[0019] (3)将在上述步骤（2)中的混合料A中按重量份加入对苯二甲酸二辛酯、过氧化二 甲酰、抗氧剂BHT、紫外线吸收剂UV-531，常温下低速搅拌2分钟，使得混合均匀，得到混合料 B；
[0020] (4)将上述步骤(3)得到的混合料B加入开炼机和密炼机或双螺杆挤出机混炼、造 粒，控制温度150 °C，干燥，包装即得成品。
[0021] 实施例2
[0022] 一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料，由以下重量份(kg)原料制成:低密度聚乙烯 80、三元乙丙橡胶25、导电炭黑40、气相白炭黑7、对苯二甲酸二辛酯13、过氧化二甲酰5、抗 氧剂BHT 4、紫外线吸收剂UV-5313、纳米氢氧化镁4、羧化碳纳米管3、玻璃纤维2、硬脂酸5、 硼酸锌6、锗粉2、SCM晶须2、氢化松香季戊四醇酯7。
[0023] -种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料的制备方法，由以下步骤制成：
[0024] (1)按重量份称取各原料；
[0025] (2)将低密度聚乙烯、三元乙丙橡胶、导电炭黑、气相白炭黑、纳米氢氧化镁、羧化 碳纳米管、玻璃纤维、硬脂酸、硼酸锌、SCM晶须、氢化松香季戊四醇酯混合均勾，得到混合料 A；
[0026] (3)将在上述步骤（2)中的混合料A中按重量份加入对苯二甲酸二辛酯、过氧化二 甲酰、抗氧剂BHT、紫外线吸收剂UV-531，常温下低速搅拌2分钟，使得混合均匀，得到混合料 B；
[0027] (4)将上述步骤(3)得到的混合料B加入开炼机和密炼机或双螺杆挤出机混炼、造 粒，控制温度155 °C，干燥，包装即得成品。
[0028] 实施例3
[0029] 一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料，由以下重量份(kg)原料制成:低密度聚乙烯 90、三元乙丙橡胶30、导电炭黑45、气相白炭黑8、对苯二甲酸二辛酯15、过氧化二甲酰6、抗 氧剂BHT5、紫外线吸收剂UV-5314、纳米氢氧化镁5、羧化碳纳米管4、玻璃纤维3、硬脂酸6、硼 酸锌7、锗粉3、SCM晶须3、氢化松香季戊四醇酯8。
[0030] 一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料的制备方法，由以下步骤制成：
[0031] (1)按重量份称取各原料；
[0032] (2)将低密度聚乙烯、三元乙丙橡胶、导电炭黑、气相白炭黑、纳米氢氧化镁、羧化 碳纳米管、玻璃纤维、硬脂酸、硼酸锌、SCM晶须、氢化松香季戊四醇酯混合均勾，得到混合料 A；
[0033] (3)将在上述步骤（2)中的混合料A中按重量份加入对苯二甲酸二辛酯、过氧化二 甲酰、抗氧剂BHT、紫外线吸收剂UV-531，常温下低速搅拌3分钟，使得混合均匀，得到混合料 B；
[0034] (4)将上述步骤(3)得到的混合料B加入开炼机和密炼机或双螺杆挤出机混炼、造 粒，控制温度160°C，干燥，包装即得成品。
[0035] 上述实施例1-3制得的半导电屏蔽材料的主要性能检测结果如下表所示：
[0036] 表1实施例1-3制得的半导电屏蔽材料的主要性能检测结果
【主权项】
1. 一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料，其特征在于：由以下重量份原料制成:低密度聚 乙烯70-90、三元乙丙橡胶20-30、导电炭黑35-45、气相白炭黑6-8、对苯二甲酸二辛酯12- 15、过氧化二甲酰4-6、抗氧剂BHT 3-5、紫外线吸收剂UV-531 2-4、纳米氢氧化镁3-5、羧化 碳纳米管2-4、玻璃纤维1-3、硬脂酸4-6、硼酸锌5-7、锗粉1-3、SCM晶须1-3、氢化松香季戊四 醇酯6-8。2. 根据权利要求1所述的一种电缆用半导电聚乙烯屏蔽材料的制备方法，其特征在于： 由以下步骤制成： (1) 按重量份称取各原料； (2) 将低密度聚乙烯、三元乙丙橡胶、导电炭黑、气相白炭黑、纳米氢氧化镁、羧化碳纳 米管、玻璃纤维、硬脂酸、硼酸锌、SCM晶须、氢化松香季戊四醇酯混合均匀，得到混合料A; (3) 将在上述步骤(2)中的混合料A中按重量份加入对苯二甲酸二辛酯、过氧化二甲酰、 抗氧剂BHT、紫外线吸收剂UV-531，常温下低速搅拌2-3分钟，使得混合均匀，得到混合料B; (4) 将上述步骤(3)得到的混合料B加入开炼机和密炼机或双螺杆挤出机混炼、造粒，控 制温度150-160 °C，干燥，包装即得成品。
【文档编号】C08K3/36GK105820414SQ201610256551
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年4月21日
【发明人】沈倩岚
【申请人】苏州市双虎科技有限公司