一种导电防腐芯片的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种导电防腐芯片，所述芯片上设有涂层，所述涂层包括由上至下依次叠加的三层导电防腐涂层，所述三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂40-60份、硅藻土20-45份、碳纤维2-5份、三氧化二锑6-12份、氢氧化钠2-4份、石英粉5-10份、硫酸镁1-2份、纳米二氧化硅0.5-2.5份、三乙醇胺6-10份、硬脂酸1-2份、甲苯30-35份、乙酸乙酯20-40份；本发明提供一种导电防腐芯片，该涂层不仅拥有高效的导电性能，而且能够兼顾防腐、耐高温性能。
【专利说明】-种导电防腐芯片
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体领域，尤其是一种导电防腐芯片。
【背景技术】
[0002] 传感器中的芯片是半导体元件产品的统称，是集成电路的载体，由晶圆分割而成。 现有用于芯片上的涂层起不到很好的导电阻燃作用，而且由于现有的涂层中大部分是环氧 体系，其中环氧树脂的醚键收到紫外线的照射很容易断裂，引起涂层的老化。
[0003] 申请公布号为CN 103849297 A，名称为"一种导电涂料"主要由重量百分比为水 性聚酯树脂15-20%、二氧化钛粉末10-15%、硫化锌半导体纳米粉末10-15%、二氧化硅粉末 5-8%、添加剂9-15%以及水20-30%经调和制成，其中：所述的添加剂是由蜡助剂、改性脲 溶液以及分散剂组成。
[0004] 申请公布号为CN 103773181 A，名称为"磁屏蔽导电涂料"包括按照质量份数计 的如下原料：环氧树脂30-35份、硅酮橡胶22-28份、银粉5-9份、炭黑5-8份、铜粉 4-6份、乙酸乙酯5-8份、丙三醇3-4份、羧甲基纤维素钠1-3份、聚乙烯醇2-4份、乙醇 40-50 份、水 10-12 份。
[0005] 以上的发明创造虽然在一定程度能够提高导电效率，但是导电效果不明显，而且 只是具有单一的导电性能，无法兼顾其他防腐等性能。
【发明内容】
[0006] 本发明针对现有技术的不足，提供一种导电防腐芯片，该涂层不仅拥有高效的导 电性能，而且能够兼顾防腐、耐高温性能。
[0007] 为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为： 一种导电防腐芯片，所述芯片上设有涂层，所述涂层包括由上至下依次叠加的三层导 电防腐涂层，所述三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂40-60 份、硅藻土 20-45份、碳纤维2-5份、三氧化二锑6-12份、氢氧化钠2-4份、石英粉5-10份、 硫酸镁1-2份、纳米二氧化硅0. 5-2. 5份、三乙醇胺6-10份、硬脂酸1-2份、甲苯30-35份、 乙酸乙酯20-40份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂45-60份、硅藻土 22-45份、碳纤维3-5份、三氧化二锑7-12份、氢氧化 钠2. 5-4份、石英粉6-10份、硫酸镁1. 5-2份、纳米二氧化硅1-2. 5份、三乙醇胺7-10份、 硬脂酸1. 5-2份、甲苯32-35份、乙酸乙酯22-40份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂40份、硅藻土 20份、碳纤维2份、三氧化二锑6份、氢氧化钠2份、石英 粉5份、硫酸镁1份、纳米二氧化硅0. 5份、三乙醇胺6份、硬脂酸1份、甲苯30份、乙酸乙 酯20份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂45份、硅藻土 24份、碳纤维2份、三氧化二锑7份、氢氧化钠2. 5份、石 英粉6份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅1份、三乙醇胺7份、硬脂酸1. 5份、甲苯31份、乙 酸乙酯22份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂48份、硅藻土 28份、碳纤维3份、三氧化二锑8份、氢氧化钠3份、石英 粉7份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅1. 5份、三乙醇胺8份、硬脂酸1份、甲苯32份、乙酸 乙酯28份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂52份、硅藻土 35份、碳纤维4份、三氧化二锑9份、氢氧化钠3份、石英 粉8份、硫酸镁2份、纳米二氧化硅2份、三乙醇胺9份、硬脂酸1份、甲苯33份、乙酸乙酯 32份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂58份、硅藻土 40份、碳纤维4份、三氧化二锑11份、氢氧化钠4份、石 英粉9份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅2. 5份、三乙醇胺9份、硬脂酸2份、甲苯34份、乙 酸乙酯38份； 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂60份、硅藻土 45份、碳纤维5份、三氧化二锑12份、氢氧化钠4份、石 英粉10份、硫酸镁2份、纳米二氧化硅2. 5份、三乙醇胺10份、硬脂酸2份、甲苯35份、乙 酸乙酯40份。
[0008] 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0009] 通过以上技术方案，相对于现有技术，本发明具有以下有益效果： 该涂层不仅拥有高效的导电性能，而且能够兼顾防腐、耐高温性能。
【具体实施方式】
[0010] 以下将结合实施例详细地说明本发明的技术方案。
[0011] 实施例1 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂40份、硅藻土 20份、碳纤维2份、三氧化二锑6份、氢氧化钠2份、石英 粉5份、硫酸镁1份、纳米二氧化硅0. 5份、三乙醇胺6份、硬脂酸1份、甲苯30份、乙酸乙 酯20份； 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0012] 实施例2 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂45份、硅藻土 24份、碳纤维2份、三氧化二锑7份、氢氧化钠2. 5份、石 英粉6份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅1份、三乙醇胺7份、硬脂酸1. 5份、甲苯31份、乙 酸乙酯22份； 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0013] 实施例3 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂48份、硅藻土 28份、碳纤维3份、三氧化二锑8份、氢氧化钠3份、石英 粉7份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅1. 5份、三乙醇胺8份、硬脂酸1份、甲苯32份、乙酸 乙酯28份； 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0014] 实施例4 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂52份、硅藻土 35份、碳纤维4份、三氧化二锑9份、氢氧化钠3份、石英 粉8份、硫酸镁2份、纳米二氧化硅2份、三乙醇胺9份、硬脂酸1份、甲苯33份、乙酸乙酯 32份； 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0015] 实施例5 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂58份、硅藻土 40份、碳纤维4份、三氧化二锑11份、氢氧化钠4份、石 英粉9份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅2. 5份、三乙醇胺9份、硬脂酸2份、甲苯34份、乙 酸乙酯38份； 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0016] 实施例6 一种导电防腐芯片，所述设置在芯片上的三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的 如下组分：环氧树脂60份、硅藻土 45份、碳纤维5份、三氧化二锑12份、氢氧化钠4份、石 英粉10份、硫酸镁2份、纳米二氧化硅2. 5份、三乙醇胺10份、硬脂酸2份、甲苯35份、乙 酸乙酯40份； 上述导电防腐芯片的制备方法包括如下步骤： 步骤⑴：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100-150目的细粉； 步骤⑵：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向 其中加入步骤⑴中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料； 步骤⑶：将步骤⑵中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙 酯中，搅拌至混合均匀，即可得到本发明的导电防腐芯片。
[0017] 对本发明实施例1-6所得产品的性能测试，结果如表1所示。
[0018] 表1本发明实施例1-6产品性能测试数据
【权利要求】
1. 一种导电防腐芯片，其特征在于：所述芯片上设有涂层，所述涂层包括由上至下依 次叠加的三层导电防腐涂层，所述三层导电防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分： 环氧树脂40-60份、硅藻土 20-45份、碳纤维2-5份、三氧化二锑6-12份、氢氧化钠 2-4份、 石英粉5-10份、硫酸镁1-2份、纳米二氧化娃0. 5-2. 5份、二乙醇胺6-10份、硬脂酸1-2份、 甲苯30-35份、乙酸乙酯20-40份。
2. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂45-60份、硅藻土 22-45份、碳纤维 3-5份、三氧化二锑7-12份、氢氧化钠 2. 5-4份、石英粉6-10份、硫酸镁1. 5-2份、纳米二氧 化硅1-2. 5份、三乙醇胺7-10份、硬脂酸1. 5-2份、甲苯32-35份、乙酸乙酯22-40份。
3. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂40份、硅藻土 20份、碳纤维2份、三 氧化二锑6份、氢氧化钠2份、石英粉5份、硫酸镁1份、纳米二氧化硅0. 5份、三乙醇胺6 份、硬脂酸1份、甲苯30份、乙酸乙酯20份。
4. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂45份、硅藻土 24份、碳纤维2份、三 氧化二锑7份、氢氧化钠2. 5份、石英粉6份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅1份、三乙醇胺 7份、硬脂酸1. 5份、甲苯31份、乙酸乙酯22份。
5. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂48份、硅藻土 28份、碳纤维3份、三 氧化二锑8份、氢氧化钠3份、石英粉7份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅1. 5份、三乙醇胺 8份、硬脂酸1份、甲苯32份、乙酸乙酯28份。
6. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂52份、硅藻土 35份、碳纤维4份、三 氧化二锑9份、氢氧化钠3份、石英粉8份、硫酸镁2份、纳米二氧化硅2份、三乙醇胺9份、 硬脂酸1份、甲苯33份、乙酸乙酯32份。
7. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂58份、硅藻土 40份、碳纤维4份、三 氧化二锑11份、氢氧化钠4份、石英粉9份、硫酸镁1. 5份、纳米二氧化硅2. 5份、三乙醇胺 9份、硬脂酸2份、甲苯34份、乙酸乙酯38份。
8. 根据权利要求1所述的导电防腐芯片，其特征在于：所述设置在芯片上的三层导电 防腐涂层均包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂60份、硅藻土 45份、碳纤维5份、三 氧化二锑12份、氢氧化钠4份、石英粉10份、硫酸镁2份、纳米二氧化硅2. 5份、三乙醇胺 10份、硬脂酸2份、甲苯35份、乙酸乙酯40份。
【文档编号】C09D5/08GK104449212SQ201410639610
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月13日 优先权日:2014年11月13日
【发明者】禹胜林 申请人:无锡信大气象传感网科技有限公司