底漆组合物、粘附方法和电/电子部件与流程

本发明涉及底漆组合物、使用所述组合物的粘附方法和使用所述组合物的电/电子部件。

背景技术：

对于诸如光学半导体器件(led)的电/电子部件，用有机硅固化产品密封光学半导体元件以改善其可靠性。当使用硅氢化反应中的可固化的有机硅组合物以形成该有机硅固化产物时，通过固化组合物得到的有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性不足。具体地，具有较低表面粘性、较低的灰尘粘附力等和高硬度的有机硅固化产物对基底材料的粘附性不足。

为了改善有机硅固化产物对基底材料的粘附性，已知基底材料已预先用底漆组合物处理。作为该底漆组合物，已知的是：例如包含丙烯酰基类聚合物、硅烷醇缩合催化剂和硅烷偶联剂的底漆组合物(参见专利文献1)；包含具有环氧基基团和硅原子键合的烷氧基基团的有机硅氧烷低聚物和有机溶剂的底漆组合物(参见专利文献2)；以及包含硅烷偶联剂、路易斯酸的有机铝化合物和有机溶剂的底漆组合物(参见专利文献3)。

遗憾的是，即使这些底漆组合物也具有不足的粘附力的问题。此外，由于led的小型化以及由led的高亮度引起的发热量的增加，近年来，在热循环下，有机硅固化产物与基底材料之间容易发生剥离或断裂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公布no.2004-339450

专利文献2：日本未经审查的专利申请公布no.2006-253398

专利文献3：日本未经审查的专利申请公布no.2007-246803

技术实现要素：

技术问题

本发明的目的是提供一种改善有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂的底漆组合物。此外，本发明的另一目的是提供一种改善有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂的粘附方法。此外，本发明的另一目的是提供一种改善有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂的电/电子部件。

问题的解决方案

本发明的底漆组合物包含：

(a)由以下平均单元式表示的有机硅氧烷嵌段共聚物：

(r¹2sio2/2)a(r²sio3/2)b

其中每个r¹和r²独立地为碳数为1至12的烷基基团，碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，“a”为在0.40至0.90范围内的数，“b”为在0.10至0.60范围内的数，并且“a+b”＝1.00，

并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物除在25℃下为固体且具有200℃或更低的软化点之外，还具有0.5摩尔％至35.0摩尔％的硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团，

其中由下式表示的树脂硅氧烷嵌段：

[r²sio3/2]

其中r²与上述相同，

通过由下式表示的直链硅氧烷嵌段来连接：

-(r¹2sio2/2)n-

其中r¹与上述相同，并且“n”为在10至400范围内的数；

(b)促进本组合物固化的量的固化催化剂；以及

(c)任意量的有机溶剂。

本发明的粘附方法包括：将上述底漆组合物施加到基底材料上；去除有机溶剂；以及随后将可固化的有机硅组合物施加到所得到的底漆层上以用于固化。

本发明的电/电子部件包括电/电子基底材料、在基底材料上的底漆层和在底漆层上的有机硅固化产物，其中底漆层由上述底漆组合物形成。

本发明的有利效果

本发明的底漆组合物改善了有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂。此外，本发明的粘附方法改善了有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂。此外，本发明的电/电子部件改善了有机硅固化产物对基底材料的粘附性并且可抑制由热循环引起的所述有机硅固化产物的剥离或断裂。

附图说明

图1是作为本发明的电/电子部件的一个示例的板上芯片(cob)型的光学半导体器件的剖视图。

图2是作为本发明的另一电/电子部件的一个示例的板上芯片(cob)型的光学半导体器件的剖视图。

具体实施方式

[底漆组合物]

用于组分(a)的有机硅氧烷嵌段共聚物由以下平均单元式表示：

(r¹2sio2/2)a(r²sio3/2)b。

在式中，每个r¹和r²独立地为碳数为1至12的烷基基团、碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团。其具体示例可包括烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、新戊基基团、己基基团、环己基基团、辛基基团、壬基基团和癸基基团；芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；和芳烷基基团，诸如苄基基团、苯乙基基团和苯丙基基团；r¹优选地为烷基基团和/或芳基基团，特别优选地为甲基基团或苯基基团。r²优选地为芳基基团，特别优选地为苯基基团。

在式中，“a”为在0.40至0.90范围内的数，优选地为在0.50至0.90范围内的数，或在0.60至0.90范围内的数。在式中，“b”为在0.10至0.60范围内的数，优选地为在0.10至0.50范围内的数，或在0.10至0.40范围内的数。注意，在式中，“a+b+c”＝1.00。

此外，在组分(a)中，由下式表示的树脂硅氧烷嵌段：

[r²sio3/2]

与由下式表示的直链硅氧烷嵌段连接：

-(r¹2sio2/2)n-。

在由下式表示的树脂硅氧烷嵌段中：

[r²sio3/2]，

r²为碳数为1至12的烷基基团、碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，以与上述相同的基团为例。此外，该树脂硅氧烷嵌段的重均分子量没有限制，并且优选地为至少500。这是指该树脂硅氧烷嵌段包含至少三个或更多个由下式表示的三硅氧烷单元：r²sio3/2。注意，该重均分子量来源于作为原料的树脂硅氧烷，其中可经由凝胶渗透色谱法(gpc)测量原树脂硅氧烷。

此外，在由下式表示的直链硅氧烷嵌段中：

-(r¹2sio2/2)n-，

每个r¹独立地为碳数为1至12的烷基基团、碳数为6至20的芳基基团或碳数为7至20的芳烷基基团，以与上述相同的基团为例。

用于组分(a)的有机硅氧烷嵌段共聚物包含二硅氧基[r¹2sio2/2]单元和三硅氧烷[r²sio3/2]单元，还包含0.5摩尔％至35.0摩尔％，优选地2摩尔％至32摩尔％的硅原子键合的羟基基团[≡sioh]或硅原子键合的烷氧基基团[≡sior]。该烷氧基基团的示例可包括碳数为1至4的烷氧基基团，诸如甲氧基基团、乙氧基基团、丙氧基基团、异丙氧基基团、丁氧基基团、异丁氧基基团或叔丁氧基基团。该硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团存在于在有机硅氧烷嵌段共聚物中的任意甲硅烷氧基单元上，其中该硅原子键合的羟基基团或硅原子键合的烷氧基基团能够反应以使该组合物固化。

注意，在用于组分(a)的有机硅氧烷嵌段共聚物中的二硅氧基[r¹2sio2/2]单元和三硅氧基[r²sio3/2]单元的摩尔分数，以及在有机硅氧烷嵌段共聚物中的硅原子键合的羟基基团[≡sioh]或硅原子键合的烷氧基基团[≡sior]的含量可通过²⁹si核磁共振谱(nmr)测定。

组分(a)在25℃下为固体并且具有200℃或更低的软化点。软化点的优选上限为150℃或更低、或者100℃或更低，同时优选的其下限为30℃或更高、或者50℃或更高。另外，组分(a)的分子量没有限定，其重均分子量优选地为20,000或更大，进一步优选地为40,000或更大。

在用于组分(a)的有机硅氧烷嵌段共聚物中，因为由下式表示的树脂硅氧烷嵌段：

[r²sio3/2]

与由下式表示的直链硅氧烷嵌段连接：

-(r¹2sio2/2)n-，

并且树脂硅氧烷嵌段进一步聚集以形成包含“硬”聚合物嵌段的“纳米域”，该有机硅氧烷嵌段共聚物在室温下为固体。相比之下，相分离的直链硅氧烷嵌段形成“软”聚合物嵌段，并且该相分离“软”聚合物嵌段和“硬”聚合物嵌段包括具有不同玻璃化转变温度(tg)具体地诸如低于25℃、低于0℃或低于-20℃的较低tg的“软”聚合物嵌段连同具有诸如高于30℃、高于40℃或高于50℃的较高tg的“硬”聚合物嵌段。因此，即使经由由该组合物形成的底漆层粘附到光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的有机硅固化产物经受热循环等，底漆层可缓和应力并且抑制有机硅固化产物的剥离或断裂。

用于组分(a)的此类有机硅氧烷嵌段共聚物的制备方法没有限制，其中其通过例如pct国际申请公布no.2013-540169的日文翻译和pct国际申请公布no.2013-544295的日文翻译中所述的方法制备。

组分(b)为促进该组合物固化的固化催化剂并且优选地缩合反应催化剂。此类缩合反应催化剂的示例可包括有机锡化合物，诸如二月桂酸二丁基锡、二乙酸二丁基锡、辛酸锡、二辛酸二丁基锡和月桂酸锡；有机钛化合物，诸如钛酸四丁酯、钛酸四丙酯和二丁氧基双(乙酰乙酸乙酯)；有机锆化合物，诸如四丁基锆酸酯、四(乙酰丙酮)锆、四异丁基锆酸酯、丁氧基三(乙酰丙酮)锆、环烷酸锆、辛酸锆和2-乙基己酸锆；有机铝化合物，诸如三甲氧基铝、三乙氧基铝、三异丙氧基铝、三正丙基铝、环烷酸铝、硬脂酸铝、辛酸铝、苯甲酸铝、铝乙酰乙酸乙酯二异丙酯、铝乙酰乙酸乙酯二异丁酯、铝三(乙酰乙酸乙酯)、铝双乙酰乙酸乙酯单乙酰丙酮和铝三(乙酰丙酮)。含氮化合物，诸如1,8-二氮杂二环[5,4,0]-十一碳-7-烯(dbu)、1,5,7-三氮杂二环[4.4.0]十氢-5-烯(tbd)、1,4-二氮杂二环[2.2.0]辛烷(dabco)、1,1,3,3-四甲基胍(tmg)、1,5-二氮杂二环[4.3.0]-5-壬烯(dbn)和7-甲基-1,5,7-三氮杂二环[4.4.0]癸-5-烯(mtbd)；有机磷化合物，诸如三苯基氧化膦；酸性化合物，诸如盐酸、硫酸和十二烷基苯磺酸；以及碱性化合物，诸如氨和氢氧化钠，其中优选的为有机锡化合物、有机钛化合物、含氮化合物和碱性化合物。

组分(b)的含量为促进该组合物固化的量，并且具体地，相对于100质量份组分(a)，优选地在0.005至0.5质量份范围内，或在0.01至0.5质量份范围内。这是因为当组分(b)的含量为上述范围的下限或更多时，可使所得到的组合物充分固化；相比之下，当其为上述范围的上限或更少时，通过使所得组合物固化而得到的底漆层的机械和光学性能不受损害。

用于组分(c)的有机溶剂为溶解在25℃下为固态的组分(a)且改善该组合物的涂布性的组分。此类有机溶剂的示例可包括：脂族烃类溶剂，诸如正庚烷、正己烷、异辛烷、环戊烷和环己烷；醇类溶剂，诸如乙醇、丙醇、丁醇和环己醇；醚类溶剂，诸如二乙醚、四氢呋喃和1,4-二噁烷；酮类溶剂，诸如丙酮和甲基异丁基酮；酯类溶剂，诸如乙酸乙酯和乙酸丁酯；芳族烃类溶剂，诸如甲苯和二甲苯；以及芳族杂环类溶剂，诸如吡啶。因为可充分溶解组分(a)，使用组分(c)优选地包括芳族烃类溶剂；此外，因为该组合物可均匀地施加到基底材料，所以组分(c)优选地为芳族烃类溶剂和脂族烃类溶剂的混合溶剂。

考虑到该组合物的涂布可加工性和干燥可加工性，组分(c)的含量为可任意确定的量，具体地为该整个组合物的70质量％或更高，优选地在70至99.9质量％范围内，或者在80至99.9质量％范围内的量。

该组合物可包含作为其它任选组分的含烯基基团的硅烷偶联剂，诸如乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷和烯丙基三乙氧基硅烷；含环氧基基团的硅烷偶联剂，诸如3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷；含甲基丙烯酰基基团或丙烯酰基基团的硅烷偶联剂，诸如3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷；含氨基基团的硅烷偶联剂，诸如3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和n-(2-乙基氨基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等。硅烷偶联剂的含量没有限制，并且优选地在该总体组合物的0.05至5质量％范围内，或者在0.1至2质量％范围内。

此外，在粘附到本发明的底漆层上的可固化的有机硅组合物为可水解反应固化的情况下，其可含有用于硅氢化反应的催化剂以改善固化性和对该底漆层的粘附性。用于此类硅氢化反应的催化剂的示例可包括铂类催化剂、铑类催化剂和钯类催化剂，其中优选的为铂类催化剂，因为可显著促进该组合物的固化。该铂类催化剂的示例可包括铂细粉，氯化铂，氯化铂的醇溶液，铂-烯基硅氧烷络合物，铂-烯烃络合物和铂-羰基络合物，其中特别优选的为铂-烯基硅氧烷络合物。该烯基硅氧烷的示例可包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷，1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷，通过以乙基基团、苯基基团等取代这些烯基硅氧烷的甲基基团的部分而得到的烯基硅氧烷，以及通过以烯丙基基团、己烯基基团等取代这些烯基硅氧烷的乙烯基基团而得到的烯基硅氧烷。由于该铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性特别有利，所以1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷是优选的。用于硅氢化反应的催化剂含量为相对于该总体组合物的质量单位优选地在0.01至10,000ppm范围内的金属原子的量。

[粘附方法]

接下来，将详细描述本发明的粘附方法。

在本发明的粘附方法中，首先将上述底漆组合物施加到基底材料上。

电/电子基底材料没有限制，其中其示例可能包括光学半导体元件、包装材料和基板。此外，基底材料的材料不受限制，其中其示例可能包括金属材料，诸如铝、铜、镍和氮化铝；金属氧化物材料，诸如玻璃和蓝宝石；有机材料，诸如酰亚胺树脂，双马来酰亚胺三嗪树脂，含玻璃纤维的环氧树脂，纸酚醛树脂，胶木，聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂，聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂，聚丙烯腈树脂，聚碳酸酯树脂，氟树脂，聚酰亚胺树脂，聚苯硫醚树脂，芳族聚酰胺树脂，聚醚醚树脂，聚醚酰亚胺树脂，液晶聚合物，聚醚砜树脂，环烯烃树脂，硅橡胶和有机硅树脂。

底漆组合物的施加量通常为30g/m²至100g/m²，优选地为10g/m²至50g/m²。这是因为当其小于上述下限时，不能形成足够厚度的底漆层，其中不能实现牢固的粘附性。这也是因为当大于上述上限时，底漆层变得太厚，难以控制待粘附的可固化有机硅组合物的厚度。

作为施加底漆组合物的方法，可应用常规已知的方法诸如喷涂、刷涂和浸渍。去除有机溶剂的方法没有限制，可使用众所周知的方法，诸如用于通过在室温下静置进行干燥的方法，用于通过鼓吹空气进行干燥的方法，用于通过加热进行强制蒸发有机溶剂的方法，以及用于通过红外线照射进行干燥的方法。注意，底漆层可在去除有机溶剂的过程中固化，或者可在可固化有机硅组合物后续固化时同时固化。

接下来，将可固化的有机硅组合物施加到基底材料的底漆层上以用于固化。该可固化的有机硅组合物没有限制，并且优选地为可水解反应固化的有机硅组合物。该可硅氢化反应固化的有机硅组合物包括，例如：

(i)在分子中具有至少两个烯基基团的有机聚硅氧烷；

(ii)在分子中具有至少两个硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷；以及

(iii)用于硅氢化反应的催化剂。

组分(i)中的烯基基团的示例可包括乙烯基基团、烯丙基基团、丁烯基基团、戊烯基基团和己烯基基团。此外，与组分(i)中的烯基基团之外的硅原子键合的基团的示例可包括烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、丁基基团、戊基基团、己基基团和庚基基团；环烷基基团，诸如环戊基基团和环己基基团；芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；芳烷基基团，诸如苄基基团、苯乙基基团和3-苯丙基基团；以及卤代烷基基团，诸如氯甲基基团、3-氯丙基基团、3,3,3-三氟丙基基团和九氟丁基基团。

组分(i)的分子结构没有限制，其中其示例可能包括直链结构、环状结构、部分支化的直链结构和支化的结构。此外，组分(i)的粘度没有限制，并且优选地在25℃下在20mpa·s至100,000mpa·s范围内，或在100mpa·s至10,000mpa·s范围内。

与组分(ii)中氢原子之外的硅原子键合的基团的示例可包括烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、丁基基团、戊基基团、己基基团和庚基基团；环烷基基团，诸如环戊基基团和环己基基团；芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；芳烷基基团，诸如苄基基团、苯乙基基团和3-苯丙基基团；以及卤代烷基基团，诸如氯甲基基团、3-氯丙基基团、3,3,3-三氟丙基基团和九氟丁基基团。

组分(ii)的分子结构没有限制，其中其示例可能包括直链结构、环状结构、部分支化的直链结构和支化的结构。此外，组分(ii)的粘度没有限制，并且优选地在25℃下在1mpa·s至10,000mpa·s范围内。

组分(ii)的含量可为足以使上述可固化的有机硅组合物固化的量，并且为相对于组分(i)中的1摩尔烯基基团，优选地其中组分(ii)中硅原子键合的氢原子在0.3摩尔至10摩尔范围内的量。

组分(iii)为在能够使用上述催化剂的情况下用于硅氢化反应以促进上述可固化的有机硅组合物固化的催化剂。

组分(iii)的含量没有限制，并且为促进上述可固化的有机硅组合物固化的量，并且为相对于上述可固化的有机硅组合物，优选地其中铂金属以质量单位计在1至1000ppm范围内的量，或在5至100ppm范围内的量。

接下来，使可固化的有机硅组合物在底漆层上固化。可固化的有机硅组合物固化的条件没有限制，其中能够根据需要加热组合物。

[电/电子部件]

接下来，将详细描述本发明的电/电子部件。

本发明的电/电子部件包括电/电子基底材料、在基底材料上的底漆层和在底漆层上的有机硅固化产物，其中底漆层由上述底漆组合物形成。该电/电子部件的示例可包括光学半导体器件(led)。

在图1和图2中示出了本发明的电/电子部件的一个示例的光学半导体器件(led)的剖视图。图1示出了本发明的光学半导体器件的一个示例的板上芯片(cob)型的光学半导体器件的剖视图。在图1的cob型的光学半导体器件中，光学半导体元件1经由模具接合安装在用于cob的基板2上，以便经由接合线5使该光学半导体元件1与电路3,4电连接。此外，反光材料6在基板2上的光学半导体元件1的周围形成，以便有效地充分反射从光学半导体元件1发射的光。

图2示出了本发明的光学半导体器件的一个示例的板上芯片(cob)型的另一光学半导体器件的剖视图。在图2的cob型的光学半导体器件中，光学半导体元件1经由接合焊盘与用于cob的基板2上的电路3,4电连接。此外，反光材料6在基板2上的光学半导体元件1的周围形成，以便有效地充分反射从光学半导体元件1发射的光。

在图1和图2的光学半导体器件中，基板2可以是铝、铜等金属基板，其中电路3,4经由绝缘层(未示出)在金属基板的表面上形成。此外，对于使用非金属基板作为基板2的情况，不需要形成绝缘层。此类非金属基板的示例可包括玻璃环氧树脂基板、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)基板、聚酰亚胺基板、聚酯基板、氮化铝基板、氮化硼基板、氮化硅基板、氧化铝陶瓷基板、玻璃基板和柔性玻璃基板。此外，作为该基板2，可使用包括具有绝缘树脂层的铝基板或铜基板连同印刷线硅基板、碳化硅基板或蓝宝石基板的混合基板。

作为这些电路3,4，使用包含选自具有高导电性的银、铜和铝中的至少一种金属的合金或选自银、铜和铝中的至少一种。在电路3,4的表面上形成由上述底漆组合物形成的底漆层(未示出)。此外，在该基板2中，在电路3,4上经由底漆层形成反光材料6，以便露出用于安装光学半导体元件1的部分。

在图1和图2中，当光学半导体元件1和反光材料6被密封材料7密封时，只有光学半导体元件1可由密封材料7以穹顶形状密封。注意，在图1和图2中，虽然在基板2上示出了仅一个光学半导体元件1，但是在基板2上可安装多个这些光学半导体元件1。

实施例

将参考实施例对本发明的底漆组合物、粘附方法和电/电子部件进行详细描述。在实施例中，粘度为在25℃下的值，其中在式中，me、ph和vi分别表示甲基基团、苯基基团和乙烯基基团。此外，有机硅氧烷嵌段共聚物的软化点连同由于底漆组合物引起的粘附性能评价如下。

[软化点]

将有机硅氧烷嵌段共聚物模制成的圆柱形片状，然后将该片剂置于设定为25℃至100℃的热板上，并且保持在上述100g重量的负载下的压力10秒钟，之后去除负载，并且随后测定片剂的变形量。将在高度方向上的变形量达到1mm或更大的温度定义为软化点。

[可固化的有机硅组合物的粘附力]

使用分配器将可固化的有机硅组合物以约100mg的量施加到25mm×75mm的玻璃基板的5部分上。接下来，将该组合物用具有1mm厚度的6mm正方形铝芯片覆盖，用1kg的板进行压接，以该状态在150℃下加热固化2小时，并且随后冷却至室温来制造模具剪切测试片。使用模具剪切强度测量装置(由seishintradingco.,ltd.生产的bondtesterss-100kp)来测量该测试片的模具剪切强度以得到其平均值。

[参考例1-有机硅氧烷嵌段共聚物的制备]

将45.0g由以下平均单元式：phsio3/2表示并且将具有1,300的重均分子量的有机聚硅氧烷树脂连同70.38g甲苯一起置于配备有带温度计的deanstark装置、由特氟隆(注册商标)制成的搅拌桨和安装在其中的水冷却式冷凝器的500ml四颈圆底烧瓶中，并在氮气气氛下搅拌加热。将反应混合物在甲苯回流的同时加热30分钟，并且随后冷却至108℃。

此外，将1.21g质量比为1:1的甲基三乙酰氧基硅烷与乙基三乙酰氧基硅烷的混合物加入至包含55.0g具有被硅烷醇基基团封端的分子链的两个末端的甲基苯基聚硅氧烷(聚合度：140)和29.62g甲苯的溶液中以制备具有被二乙酰氧基基团封端的分子链的两个末端的甲基苯基聚硅氧烷的甲苯溶液(聚合度：140)。

将上述具有被二乙酰氧基基团封端的分子链的两个末端的甲基苯基聚硅氧烷的甲苯溶液在氮气气氛下快速加入至上述反应混合物中，并且在室温下反应2小时。随后，将反应混合物在甲苯回流的同时加热2小时。接下来，将其冷却至108℃，并且加入7.99g质量比为1:1的甲基三乙酰氧基硅烷与乙基三乙酰氧基硅烷的混合物。将反应混合物在甲苯回流的同时再加热1小时。接下来，将其冷却至90℃，之后加入12ml离子交换水。温度升高并回流，并且经由共沸蒸馏去除水。将反应混合物再次冷却至90℃，并且再加入12ml离子交换水。将其加热并回流以再次去除水。随后，经由蒸馏去除56.9g甲苯以增加固体含量。将所得到的反应产物冷却至室温，随后加压并且利用5.0μm过滤器过滤，并用甲苯得到具有10质量％的固体浓度的反应产物的甲苯溶液。通过²⁹si核磁共振谱分析发现，该反应产物由以下平均单元式表示：

(phmesio2/2)0.55(phsio3/2)0.45，

其中由下式表示的苯基硅氧烷树脂嵌段：

(phsio3/2)

与由下式表示的甲基苯基硅氧烷嵌段连接：

-(phmesio2/2)140-，

并且具有16摩尔％的硅原子键合的羟基基团和55℃的软化点的有机硅氧烷嵌段共聚物。

[参考例2-底漆组合物的制备]

向100质量份正庚烷中加入10质量份烯丙基三甲氧基硅烷并且混合，随后加入2质量份的四(正丁基)钛酸酯并且均匀混合，然后加入0.1质量份氯化铂的络合物和1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷并均匀地混合以制备底漆组合物。

[参考例3-可固化的有机硅组合物的制备]

将4.4质量份具有被羟基基团封端的分子链的两个末端的具有由下式表示的直链甲基乙烯基硅氧烷嵌段的甲基乙烯基聚硅氧烷：

-(mevisio)20-，

4.1质量份具有被二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的分子链的两个末端并且由下式表示的二甲基聚硅氧烷：

me2visio(me2sio)160sime2vi，

51.8质量份具有0.2μm的平均主要粒径的氧化钛(由sakaichemicalindustryco.,ltd生产的sx-3103)，30质量份的具有15μm的平均粒径的球形二氧化硅(由nipponsteelmaterialsco.,ltd.micronco.生产的hs-202)和4质量份具有24mpa·s的粘度的被二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的分子链的一个末端和被三甲氧基甲硅烷氧基基团封端的分子链的另一末端并且由下式表示的二甲基聚硅氧烷：

me2visio(me2sio)29si(ome)3，

置于ross混合器中，在室温下混合，并且在减压下捏合同时加热至150℃来制备有机硅基底。

接下来，将4.7质量份(在该组分中硅原子键合的氢原子为1.5摩尔，相对于总共1摩尔在有机硅基底中甲基乙烯基聚硅氧烷和在具有被二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的分子链的两个末端的二甲基聚硅氧烷中的乙烯基基团)具有由下式表示的直链甲基氢硅氧烷嵌段：

-(mehsio)50-

并且具有被三甲基甲硅烷氧基基团封端的分子链的两个末端的甲基氢聚硅氧烷，1质量份质量比为1:2的具有被羟基基团封端的分子链的两个末端并且具有20mpa·s的粘度的二甲基硅氧烷甲基乙烯基硅氧烷共聚的低聚物与3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷的缩合反应产物，以及1-乙炔基-1-环己醇(相对于该组合物以质量单位计为200ppm的量)在室温下混合到该有机硅基底中，之后将铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液(相对于该组合物为以质量单位计3.5ppm的铂原子的量)混合来制备可固化的有机硅组合物。

[实践例1]

将5g在参考例1中制备的有机硅氧烷嵌段共聚物的甲苯溶液(固体浓度：10质量％)，0.0005g1,8-二氮杂二环[5,4,0]-十一碳-7-烯(dbu)和5g甲苯均匀地混合以制备底漆组合物。接下来，将该底漆组合物以50g/m²的施加量均匀地施加到玻璃板上，并且在100℃下干燥30分钟。玻璃板上的底漆层略有斑点状并且不均匀，但没有表面粘性。接下来，将参考例3中制备的可固化的有机硅组合物施加到玻璃板的底漆层的一侧上来制造模具剪切测试片。测量模具剪切强度，其结果示于表1中。

[实践例2]

将2.5g在参考例1中制备的有机硅氧烷嵌段共聚物的甲苯溶液(固体浓度：10质量％)，0.00025g1,8-二氮杂二环[5,4,0]-十一碳-7-烯(dbu)和7.5g甲苯均匀地混合以制备底漆组合物。接下来，将该底漆组合物以50g/m²的施加量均匀地施加到玻璃板上，并且在100℃下干燥30分钟。玻璃板上的底漆层略有斑点状并且不均匀，但没有表面粘性。接下来，将参考例3中制备的可固化的有机硅组合物施加到玻璃板的底漆层的一侧上来制造模具剪切测试片。测量模具剪切强度，其结果示于表1中。

[实践例3]

将1.0g在参考例1中制备的有机硅氧烷嵌段共聚物的甲苯溶液(固体浓度：10质量％)，0.0001g1,8-二氮杂二环[5,4,0]-十一碳-7-烯(dbu)和9g甲苯均匀地混合以制备底漆组合物。接下来，将该底漆组合物以50g/m²的施加量均匀地施加到玻璃板上，并且在100℃下干燥30分钟。玻璃板上的底漆层均匀，并且没有表面粘性。接下来，将参考例3中制备的可固化的有机硅组合物施加到玻璃板的底漆层的一侧来制造模具剪切测试片。测量模具剪切强度，其结果示于表1中。

[实践例4]

将2.5g在参考例1中制备的有机硅氧烷嵌段共聚物的甲苯溶液(固体浓度：10质量％)，0.00025g1,8-二氮杂二环[5,4,0]-十一碳-7-烯(dbu)，2.5g甲苯和5.0g正庚烷均匀地混合以制备底漆组合物。接下来，将该底漆组合物以50g/m²的施加量均匀地施加到玻璃板上，并且在100℃下干燥30分钟。玻璃板上的底漆层均匀，并且没有表面粘性。接下来，将参考例3中制备的可固化的有机硅组合物施加到玻璃板的底漆层的一侧上来制造模具剪切测试片。测量模具剪切强度，其结果示于表1中。

[比较例1]

将参考例3中制备的可固化的有机硅组合物施加到没有经受底漆处理的玻璃板来制造模具剪切测试片。测量模具剪切强度，其结果示于表1中。

[比较例2]

将在参考例2中制备的底漆组合物以50g/m²的施加量均匀地施加到玻璃板上，并且在100℃下干燥30分钟。玻璃板上的底漆层均匀。接下来，将参考例3中制备的可固化的有机硅组合物施加到玻璃板的底漆层的一侧上来制造模具剪切测试片。测量模具剪切强度，其结果示于表1中。

[表1]

工业适用性

因为本发明的底漆组合物改善了有机硅固化产物对光学半导体元件、包装材料、基板等基底材料的粘附性，并且可抑制由热循环引起的有机硅固化产物的剥离或断裂，所以底漆组合物适用于作为在制造具有高发热量的大型led器件(诸如具有高亮度/高输出的led)时的底漆组合物。

附图标号

1光学半导体元件

2基板

3电路

4电路

5接合线

6反光材料

7可固化的有机硅组合物的固化产物