临时粘合用层叠体膜、使用临时粘合用层叠体膜的基板加工体及层叠基板加工体的制造方法、以及使用它们的半导体器件的制造方法与流程

技术特征：

1.临时粘合用层叠体膜，其至少具有(A)保护膜层、(B)粘接剂层、及(C)支承膜层这3层，所述(B)粘接剂层至少含有通式(1)表示的硅氧烷聚合物或通式(2)表示的化合物，

[化学式1]

式(1)中，m为10以上且100以下的整数；R¹及R²各自可以相同也可以不同，表示一价有机基团；R³及R⁴各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚苯基；R⁵～R⁸各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、链烯基、烷氧基、苯基或苯氧基，

[化学式2]

式(2)中，R⁹表示具有2～20个碳原子及1～3个氮原子的一价有机基团，R¹⁰表示氢、碳原子数1～20的烷基、或芳香族基团；a表示1～4的整数。

2.如权利要求1所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(B)粘接剂层含有聚酰亚胺树脂。

3.如权利要求2所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述聚酰亚胺树脂包含通式(3)表示的聚硅氧烷系二胺的残基，在全部的二胺残基中，包含60摩尔％以上且90摩尔％以下的所述聚硅氧烷系二胺的残基，

[化学式3]

式(3)中，n为自然数，并且由聚硅氧烷系二胺的平均分子量算出的平均值为1以上且100以下；R¹¹及R¹²各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的亚烷基或亚苯基；R¹³～R¹⁶各自可以相同也可以不同，表示碳原子数1～30的烷基、苯基、或苯氧基。

4.如权利要求1～3中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(B)粘接剂层还含有无机微粒。

5.如权利要求1～4中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，在所述(B)粘接剂层所含的成分中，所述通式(1)表示的硅氧烷聚合物为0.01质量％以上且30质量％以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的表面能为13mJ/m²以上。

7.如权利要求1～6中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的热分解温度为200℃以上。

8.如权利要求1～7中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的线膨胀系数为10ppm/℃以下。

9.如权利要求8所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层是线膨胀系数为10ppm/℃以下的膜的层叠体。

10.如权利要求1～9中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层为聚酰亚胺膜或聚苯硫醚膜。

11.如权利要求1～10中任一项所述的临时粘合用层叠体膜，其中，所述(C)支承膜层的膜厚为5μm以上且300μm以下。

12.基板加工体的制造方法，其是制造使用了权利要求1～11中任一项所述的临时粘合用层叠体膜的基板加工体的方法，所述制造方法包括下述工序：

将所述(A)保护膜层剥离的工序；及

介由所述(B)粘接剂层，将已剥离了(A)保护膜层的临时粘合用层叠体膜层叠于(D)半导体电路形成基板的工序。

13.层叠基板加工体的制造方法，其是制造使用了权利要求1～11中任一项所述的临时粘合用层叠体膜的层叠基板加工体的方法，所述制造方法包括下述工序：

将所述(A)保护膜层剥离的工序；

介由所述(B)粘接剂层，将已剥离了(A)保护膜层的临时粘合用层叠体膜层叠于(D)半导体电路形成基板及(E)支承基板中的任意一方的工序；及

将所述(C)支承膜层剥离，并层叠(D)半导体电路形成基板及(E)支承基板中的另一方的工序。

14.半导体器件的制造方法，其是制造使用了由权利要求12所述的基板加工体的制造方法制作的基板加工体的半导体器件的方法，其特征在于，包括下述工序中的至少任一者：

对所述(D)半导体电路形成基板进行加工而使其变薄的工序；

对所述(D)半导体电路形成基板进行元器件加工的工序；

将所述(C)支承膜层和所述(B)粘接剂层从所述(D)半导体电路形成基板剥离的工序；及

利用溶剂对附着于所述(D)半导体电路形成基板的粘接剂层进行清洗的工序。

15.半导体器件的制造方法，其是制造使用了由权利要求13所述的层叠基板加工体的制造方法制作的层叠基板加工体的半导体器件的方法，其特征在于，包括下述工序中的至少任一者：

对所述(D)半导体电路形成基板进行加工而使其变薄的工序；

对所述(D)半导体电路形成基板进行元器件加工的工序；

将所述(E)支承基板从所述(D)半导体电路形成基板剥离的工序；及

利用溶剂对附着于已从所述层叠基板加工体剥离的所述(D)半导体电路形成基板或(E)支承基板的粘接剂层进行清洗的工序。

16.如权利要求14或15所述的半导体器件的制造方法，所述制造方法还在对所述(D)半导体电路形成基板进行元器件加工的工序中，包括于200℃以上进行加热处理的工序。

17.如权利要求14～16中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，对所述(D)半导体电路形成基板进行加工而使其变薄的工序包括将半导体电路形成基板加工成1μm以上且100μm以下的工序。