1.一种红外线剥离用粘接剂组合物，其特征在于，能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：
成分a，通过氢化硅烷化反应而固化；以及
成分b，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，
所述成分a包含聚硅氧烷a1和铂族金属系催化剂a2，
所述聚硅氧烷a1包含选自由sio2所示的硅氧烷单元即q单元、r1r2r3sio1/2所示的硅氧烷单元即m单元、r4r5sio2/2所示的硅氧烷单元即d单元以及r6sio3/2所示的硅氧烷单元即t单元构成的组中的一种或两种以上的单元，其中，所述r1至r6为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基、烯基或氢原子，
所述聚硅氧烷a1包含聚有机硅氧烷a1和聚有机硅氧烷a2，
所述聚有机硅氧烷a1包含选自由sio2所示的硅氧烷单元即q’单元、r1’r2’r3’sio1/2所示的硅氧烷单元即m’单元、r4’r5’sio2/2所示的硅氧烷单元即d’单元以及r6’sio3/2所示的硅氧烷单元即t’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述m’单元、d’单元以及t’单元构成的组中的至少一种，其中，所述r1’至r6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基或烯基，但所述r1’至r6’中的至少一个为所述烯基，
所述聚有机硅氧烷a2包含选自由sio2所示的硅氧烷单元即q”单元、r1”r2”r3”sio1/2所示的硅氧烷单元即m”单元、r4”r5”sio2/2所示的硅氧烷单元即d”单元以及r6”sio3/2所示的硅氧烷单元即t”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述m”单元、d”单元以及t”单元构成的组中的至少一种，其中，所述r1”至r6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基或氢原子，但所述r1”至r6”中的至少一个为氢原子。
3.根据权利要求1或2所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，
所述环氧改性聚有机硅氧烷为环氧值在0.1～5的范围内的环氧改性聚有机硅氧烷。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，
所述含苯基的聚有机硅氧烷包含b1结构和b2结构，所述b1结构为苯基甲基硅氧烷单元结构或二苯基硅氧烷单元结构，所述b2结构为二甲基硅氧烷单元结构。
5.一种层叠体，其是将由半导体形成基板构成的第一基体与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体隔着粘接层进行接合而成的，其中，
所述粘接层为由权利要求1～4中任一项所述的红外线剥离用粘接剂组合物得到的固化膜。
6.一种层叠体的制造方法，其为权利要求5所述的层叠体的制造方法，其中，包括：
第一工序，在所述第一基体或所述第二基体的表面涂布所述红外线剥离用粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层；以及
第二工序，将所述第一基体与所述第二基体隔着所述粘接剂涂布层合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷，由此使所述第一基体、所述粘接剂涂布层以及所述第二基体密合，然后进行后加热处理。
7.一种剥离方法，其中，
从通过权利要求6所述的层叠体的制造方法制造出的层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，剥离所述第二基体。
8.根据权利要求7所述的剥离方法，其中，
所述红外线激光为波长1μm～20μm的激光。
9.根据权利要求8所述的剥离方法，其中，
所述波长为9.2～10.8μm。