双介晶化合物和介晶介质的制作方法
【专利说明】双介晶化合物和介晶介质
[0001] 本发明涉及式I的双介晶化合物
[0002]
【主权项】
1. 式I的双介晶化合物
其中 R11和R12各自独立地是H、F、C1、CN、NCS或者具有1至25个C原子的可以是未取代的、 被卤素或CN单或多取代的直链或支链烷基，每次出现时一个或多个不相邻CH2基团还可以 彼此独立地被 _〇_、_S_、_NH_、_N(CH3)_、_C0_、_C00_、_0C0_、_0_C0_0_、_S_CO_、_CO_S_、_CH =CH-、-CH=CF-、-CF=CF-或-C=C-以0原子彼此不直接连接的方式替代，优选极性 基团，更优选F、Cl、CN、OCF3、CF3， MG11和MG12各自独立地是介晶基团且MG11和MG12的至少一个各自包含一个、两个或更 多个六原子环，和 Sp1是包含1、3或5至40个C原子的间隔基团，然而其中一个或多个不相邻基团也可 被-〇_、-S-、-NH-、-N(CH3) -、-CO-、-O-CO-、-C0-0-、-S-CO-、-0-C0-0-、-CO-S-、-S-CO-、-CH (卤素）-、_CH(CN)-、-CH=CH-或-C=C-以两个0原子彼此不相邻、两个-CH=CH-基团 彼此不相邻和两个选自-o-co-、-C0-0-、-s-co-、-o-co-0-、-co-s-、-s-co-、-0-C0-和-CH =CH-的基团彼此不相邻的方式代替， X11 和X12各自彼此独立地选自-〇1 = 01-、-(： = (：-、-〇-、-〇)-〇-、-〇-〇)-、-〇-〇)-〇-、-5-、-s-cs-、-cs-s-、-co-s-、-s-co-、-S-CS-、-S-CO-S-和-S-CS-S-的基团或单键， 然而，条件是在-XH-Spi-X12-中，两个0原子彼此不相邻，两个-CH=CH-基团彼此不 相邻和两个选自-O-CO-、-S-CO-、-O-COO-、-CO-S-、-C0-0-和-CH=CH-的基团彼此不相 邻， 其特征在于 MG11和MG12的至少一个是1，4-亚苯基，其被至少一个具有1至5个C原子的烷基或被 至少一个具有1至4个C原子的烷氧基取代，或包含1，4-亚苯基，其被至少一个具有1至 5个C原子的烷基和/或被至少一个具有1至4个C原子的烷氧基取代。
2. 根据权利要求1的化合物，其特征在于MG11和MG12彼此独立地选自分式II -An-(Zn-A12)k- II 其中 Z11 每次出现时彼此独立地是单键、-CO〇-、-〇C〇-、-〇-C〇-〇-、-〇CH2-、-CH2〇-、-〇CF2-、 -CF2〇-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-CF2CF2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH= CH-或-C=C-，任选地被F、S和/或Si的一个或多个取代， A11和A12每次出现时各自独立地是1，4-亚苯基，此外其中一个或多个CH基团可被N替 代，反式-1，4-亚环己基，此外其中一个或两个不相邻吸基团可被0和/或S替代，1，4-亚 环己條基，1，4_双环-(2, 2, 2)-亚辛基，哌啶_1，4_二基，蔡_2, 6_二基，十氛-蔡_2, 6_二 基，1，2, 3, 4_四氛-蔡_2, 6_二基，环丁烧_1，3_二基，螺[3. 3]庚烧_2, 6_二基或二螺 [3. 1.3. 1]癸烷-2, 8-二基，所有这些基团可以是未取代的，被F、C1、CN或具有1至7个C 原子的烷基、烷氧基、烷基羰基或烷氧基羰基单、二、三或四取代，其中一个或多个H原子可 以被F或C1取代，和 k是 0、1、2、3 或 4。
3.根据权利要求1或2的化合物，其特征在于MG11和MG12彼此独立地选自式II-1至 11-26的基团
其中 Cyc是1，4-亚环己基，优选反式-1，4-亚环己基， Phe是1，4-亚苯基或烷基-1，4-亚苯基， PheL是1，4-亚苯基，其被一个、两个或三个氟原子，被一个或两个C1原子或被一个C1 原子和一个F原子取代，和 Z具有如权利要求2中针对分式II的Z11给出的含义之一。
4. 根据权利要求1至3至少一项的化合物，其特征在于R11和R12彼此独立地选自OCF3、 CF3、F、C1 和CN〇
5. 根据权利要求1至4至少一项的化合物，其特征在于Sp1是-(CH2)。_且〇是1、3或 5至15的整数。
6. -种或多种根据权利要求1至5至少一项的双介晶化合物在液晶介质中的用途。
7. 液晶介质，其特征在于其包含一种或多种根据权利要求1至5至少一项的双介晶化 合物。
8. 根据权利要求7的液晶介质，其特征在于其额外包含一种或多种式III的化合物 R31_MG31_x31_Sp3_ x32_MG32_R32 IH 其中 R31和R32各自独立地是H、F、C1、CN、NCS或具有1至25个C原子可以是未取代的，被卤 素或CN单或多取代的直链或支链烷基，在各种情况下一个或多个不相邻CH2基团还可以彼 此独立地被 _〇_、_S_、_NH_、_N(CH3)_、_C0_、_C00_、_0C0_、_0_C0_0_、_S_C0_、_C0_S_、_CH =CH-、-CH=CF-、-CF=CF-或-C=C-以氧原子彼此不直接连接的方式替代， MG31和MG32各自独立地是介晶基团， Sp3是包含5至40个C原子的间隔基团，其中一个或多个不相邻CH2基团还可以 被 _0_> _S_> _NH_>_N(CH3) _C0_> _0_C0_> _S_C0_> _0_C00_> _C0_S_> _C0_0_>_CH(齒 素）_、_CH(CN)-、-CH=CH-或-Ce替代，和 X31 和X32各自独立地是-0-、-S-、-CO-、-COO-、-0C0-、-0-C0-0-、-CO-NH-、-NH-CO-、-CH2 CH2-、-〇CH2-、-CH2〇-、-SCH2-、-CH2S-、-CH=CH-、-CH=CH-C00-、-0C0-CH=CH-、-C=C-或 单键，和 条件是式I的化合物被排除在外。
9. 根据权利要求7或8的液晶介质在液晶器件中的用途。
10. 包含液晶介质的液晶器件，所述液晶介质包含两种或更多种组分，所述组分的一种 或多种是根据权利要求1至5至少一项的式I的双介晶化合物。
11. 根据权利要求10的液晶器件，其特征在于其是挠曲电器件。
【专利摘要】本发明涉及式I的双介晶化合物其中R11、R12、MG11、MG12、X11、X12和Sp1具有权利要求1中给出的含义，涉及式I的双介晶化合物在液晶介质中的用途，和特别涉及包含根据本发明液晶介质的挠曲电液晶器件。
【IPC分类】C09K19-02, C09K19-04
【公开号】CN104583366
【申请号】CN201380045323
【发明人】K·阿德莱姆, O·L·帕里, R·图芬, P·E·萨克斯顿, M·纳姆特比, B·斯诺
【申请人】默克专利股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年8月14日
【公告号】EP2890762A1, US20150210921, WO2014032772A1