一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备的制作方法

文档序号:4544374阅读:168来源:国知局
专利名称:一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备的制作方法
技术领域
本发明涉及材料领域,尤其涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备。
背景技术
以硅酸锆和粘土为主体,经人工合成制造的常温远红外辐射材料,可以在一切燃油燃气的设备中使用,并且真正达到节油节气的目的。目前公开的专利号为200410053375. 0的纳米远红外超导材料,和专利号为200510037503. 7的纳米常温远红外线节能材料都未能保证节气率在10%。如何使燃气设备中的空气与燃气混合和燃烧得更加充分,对节能来说也是非常重要的一个环节
发明内容
·本发明的目的是提供一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备,能够使各种燃气(石油气、天然气、煤气等)设备的节能率达到10-25%。本发明的目的是通过以下技术方案来实现一种远红外芯片,由以下重量百分比原料制成娃酸错54 62%, 二硫化钥4
5.5%,氧化镍5 6. 5%,硫化锌4 6%, 二氧化钛11 15%,粘土 8 12%,滑石I I. 5%,纳米铝I. 5 2. 0%,以及纳米银I. 0 I. 5 %。所述远红外芯片的制备过程包括将各原料球磨达800目,过筛,用常规热石腊注浆法制成蜂窝状芯片,排腊后烧成达1220°C 1260°C 即可。一种利用所述远红外芯片的节能设备,包括混合仓,混合仓左端设有进风口,混合仓右端设有混合气出口,混合仓内部左侧靠近进风口处设有导流罩,导流罩的右边设有旋风片,旋风片上设有若干个45度斜孔,混合仓的内侧壁上设有活化中心产生网,在混合仓的下部且位于旋风片的右侧焊接能量棒,能量棒上端接有喷气管,并且喷气管伸入到混合仓内部,喷气管上设有若干个喷气口,能量棒下端设有进气口,能量棒的内部设有若干所述的远红外芯片,所述的远红外芯片之间均设有催化网。所述远红外芯片的成分配比为硅酸锆为54 62%,二硫化钥为4 5.5%,氧化镍为5 6. 5%,硫化锌为4 6%, 二氧化钛为11 15%,粘土为8 12%,滑石为I
I.5%,纳米铝为I. 5 2. 0%,纳米银为I. 0 I. 5%。本发明的有益效果为在远红外材料制造的能量棒中,远红外(50°C )8 25iim法向比辐射率达到0. 92,全波段积分为0. 91,发射的主波峰向3 u m方向移动,使得3 y m附近的CHx基团振转运动基频能更好的共振吸收,其动能增加,使得分子团变小,雾化更加充分;空气经过70-90°C预热后和燃气一起进入混合仓,高速旋转,加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心,从而使燃烧迅速完成,燃烧充分,瞬间温度提高,达到节省燃气10% -25%左右。


下面根据附图对本发明作进一步详细说明。图I是一种利用本发明实施例所述的远红外芯片的节能设备的结构示意图。图中1、混合仓;2、进风口 ;3、混合气出口 ;4、导导流罩;5、旋风片;6、活化中心产生网;7、能量棒;8、喷气管;9、进气口 ;10、远红外芯片;11、催化网。
具体实施例方式实施例I :一种远红外芯片,由以下重量的原料制成620g硅酸锆,50g 二硫化钥,65g氧化镍,60g硫化锌,I IOg 二氧化钛,120g粘土,IOg滑石,20g纳米铝,以及15g纳米银,将上述原 料充分混合,将混合后的原料球磨达800目,过筛,用常规热石腊注浆法,制成蜂窝状芯片,排腊后烧成达1220°C 1260°C即可。实施例2 —种远红外芯片,由以下重量的原料制成580g娃酸错,40g 二硫化钥,57g氧化镍,50g硫化锌,130g 二氧化钛,IOOg粘土,12g滑石,17g纳米铝,12g纳米银,将上述原料充分混合,将混合后的原料球磨达800目过筛,用常规热石腊注浆法,制成蜂窝状芯片,排腊后烧成达1220°C 1260°C即可。实施例3:一种远红外芯片,由以下重量的原料制成540g硅酸锆,55g 二硫化钥,50g氧化镍,40g硫化锌,150g 二氧化钛,80g粘土,15g滑石,15g纳米铝,IOg纳米银,将上述原料充分混合,将混合后的原料材料球磨达800目过筛,用常规热石腊注浆法,制成蜂窝状芯片,排腊后烧成达1220°C 1260°C即可。如图I所示,一种利用本发明实施例所述的远红外芯片的节能设备,包括混合仓1,混合仓I左端设有进风口 2,混合仓I右端设有混合气出口 3,混合仓I内部左侧靠近进风口 2处设有导流罩4,导流罩4的右边设有旋风片5,旋风片5上设有若干个45度斜孔,混合仓I的内侧壁上设有活化中心产生网6,在混合仓I的下部且位于旋风片5的右侧焊接能量棒7,能量棒7上端接有喷气管8,并且喷气管8伸入到混合仓I内部,喷气管8上设有若干个喷气口,能量棒7下端设有进气口 9,能量棒7的内部设有若干远红外芯片10,远红外芯片10之间均设有催化网11。空气由进风口 2进入混合仓1,在导流罩4的引导下,通过旋风片5的45度斜孔(斜孔数量大小按尺寸定,实现孔最多最大化)后高速旋转,而燃气则从能量棒7的进气口9经过能量棒7处理后,分子动能增加,细化雾化充分,由喷气管8的喷气口(含有q>l的小孔18个以上)全方位喷出,并且与旋转空气充分混合,撞击到附着于混合仓内壁的催化网11上时,产生负氧的活化中心,继续高速旋转混合推进,混合气体在混合气出口喷射,接到喷枪燃烧,达到节能的目的。
权利要求
1.一种远红外芯片,其特征在于,其由以下重量百分比原料制成硅酸锆54 62%,二硫化钥4 5. 5%,氧化镍5 6. 5%,硫化锌4 6%,二氧化钛11 15%,粘土 8 12%,滑石I 1.5%,纳米铝I. 5 2.0%,以及纳米银1.0 1.5%。
2.一种利用权利要求I所述的远红外芯片的节能设备,包括混合仓,其特征在于混合仓左端设有进风口,混合仓右端设有混合气出口,混合仓内部左侧靠近进风口处设有导流罩,导流罩的右边设有旋风片,旋风片上设有若干个45度斜孔;混合仓的内侧壁上设有活化中心产生网,在混合仓的下部且位于旋风片的右侧焊接有能量棒,能量棒上端接有喷气管且喷气管伸入到混合仓内部,喷气管上设有若干个喷气口,能量棒下端设有进气口,能量棒的内部设有若干所述的远红外芯片,所述远红外芯片之间均设有催化网。
全文摘要
本发明涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备,所述远红外芯片由以下重量百分比原料制成硅酸锆54~62%,二硫化钼4~5.5%,氧化镍5~6.5%,硫化锌4~6%,二氧化钛11~15%,粘土8~12%,滑石1~1.5%,纳米铝1.5~2.0%,纳米银1.0~1.5%。本发明的有益效果为在燃气工程中采用本发明所述的远红外芯片,使燃气雾化更加充分,空气和燃气一起进入混合仓,高速旋转,加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心,使燃烧更充分,节省燃气10%-25%左右。
文档编号F23D14/64GK102976724SQ20111026155
公开日2013年3月20日 申请日期2011年9月5日 优先权日2011年9月5日
发明者庄国明 申请人:庄国明
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