用于对在冶金容器中的熔渣液面进行探测的方法和装置制造方法

用于对在冶金容器中的熔渣液面进行探测的方法和装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及用于借助于至少一个产生信号的探测机构（6）来对在处于冶金容器（1）中的金属的熔融物上的熔渣液面进行探测的一种方法和一种装置，所述探测机构（6）对准所述冶金容器（1）和/或至少对准从所述冶金容器（1）中流出的熔渣流（3）。在阶段A中，借助于处理单元（8）从信号中直接检测熔渣液面SPA，和/或如果不能直接探测所述熔渣液面SPA，则探测所述流出的熔渣流（3）的、沿着至少一个方向i的宽度BMi，并且借助于所述处理单元通过所述流出的熔渣的量SM来检测所述熔渣液面SPB。此外，本发明涉及一种用于调节为了设定所述熔渣液面而加入到所述冶金容器中的碳载体的量的方法，其中所述调节基于所检测的熔渣液面进行。
【专利说明】用于对在冶金容器中的膝渣液面进行探测的方法和装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于对在冶金容器中的烙渣液面进行探测的一种方法和一种装置或 者一种用于对在处于冶金容器中的冶金的烙融物上的烙渣形成情况进行控制的方法。在冶 金的过程中，烙渣经常用于遮盖金属的烙融物，其中可W实现热损失的降低、更低的材料消 耗，不过也可W实现更低的噪声负荷。总是必须又将烙渣从冶金容器中排出，因为在许多冶 金的过程中不断产生新的烙渣。因此，对于在冶金容器中的、所存在的烙渣的量或者烙渣液 面的了解具有很大的意义，并且该对冶金的过程的控制来说很重要。

【背景技术】
[000引从现有技术中知道用于对烙渣、比如在电弧炉中的泡沫烙渣或者在转炉中的烙渣 进行测量的系统和方法。该些系统和方法尤其基于间接的测量方法，对于所述间接的测量 方法来说从可W容易获得的测量信号中来获取关于所述烙渣的当前的液面的信息。尤其在 此要考虑到电弧炉的电极电流、电极电压(对于高次谐波的分析、失真因数)、噪声扩散、结 构噪声或者在所述冶金容器的壁体中的、传热的元件的温度分布。
[0003] 从文献DD228831A1中可W得知一种用于对在电弧炉中的电弧进行覆盖的方法。 对由电弧引起的声排放进行测量，并且将其与所规定的声极限值进行比较。在超过该种声 极限值的情况下，将碳载体喷射到所述炉中或者喷射到烙渣中，直到又低于所述声极限值。 因为所述消声性能持久地随着烙渣成分而变化，所W对于该样的方法来说出现显著的不清 晰性。
[0004] 从文献JP62224613A中可W得知一种用于对在炉中的烙渣高度进行调节的方法， 其中基于所测量的烙渣水平通过在炉中的气压的变化来设定在所述炉中的烙渣水平。
[0005] 文献JP63062812A说明了一种为了对金属的烙融物进行处理而对在转炉中的烙 渣高度进行调节的方法，其中通过布置在吹管中的温度传感器来检测在所述转炉中的温度 分布，从所述温度分布中推导出所述烙融物被烙渣覆盖的情况。


【发明内容】

[0006] 本发明的任务在于，提供用于对在冶金容器中的烙渣液面进行探测的一种方法和 一种装置或者一种用于对在处于冶金容器中的金属烙融物上的烙渣形成情况进行控制的 方法，所述方法能够实现更容易的并且更可靠的探测。
[0007] 本发明利用独立权利要求1、11和17所述的特征来解决该任务。其他的权利要求 是本发明的有利的改进方案。
[000引对于在冶金容器、比如转炉或者电弧炉中的烙渣液面的检测由于较高的温度、机 械的负荷、显著的噪声并且由于粉尘或烟尘负荷而比较困难。对于传感器和测量机构来说， 该些条件非常不利。
[0009] 通过本发明，能够在所有运行状态中探测烙渣液面。在处理金属的烙融物的过程 中，比如需要将装置、比如吹管、电极或者操纵器移入到所述容器中，因而并不总是能够通 过传感器来检测所述烙渣液面或者该一点受到干扰。因此可能存在由于生产技术引起的过 程状态，对于所述过程状态来说会形成显著的粉尘或者烟尘。
[0010] 所述按本发明的方法建立在至少一个产生信号的探测机构的基础上。所述探测机 构可W对准所述冶金容器，并且至少可W对准从所述冶金容器中流出的烙渣流。此外，所述 探测机构也可W仅仅对准所述冶金容器，或者至少可W对准从所述冶金容器中流出的烙渣 流。
[0011] 在冶金的方法的阶段A中可W直接记录在所述冶金容器中的、表示出烙渣液面SpA 的特征的信号，在所述阶段A中通过处理单元来直接检测所述烙渣液面SpA。在不能直接 探测所述烙渣液面SpA的运行阶段中，可W探测流出的烙渣的、沿着至少一个方向1的宽度 Bmi，并且借助于所述处理单元通过所述流出的烙渣的量Sm来检测所述烙渣液面Spc。
[0012] 从该样的方法及探测机构的运行中已经表明，通过对于从冶金容器中流出的烙渣 流的探测可W足够精确地确定在所述冶金容器中的烙渣液面。在此已经证明了在所述烙渣 液面与流出的、W烙渣流的形式流出的烙渣的量Sm之间的比例。此外已经证实，可W通过 所述烙渣流的横截面来表示出流出的烙渣的量s"的特征，从而也可W至少根据所述烙渣流 的、所检测到的宽度来间接地探测所述烙渣液面。由此所述烙渣流的横截面与所述烙渣液 面成比例。
[001引按照本发明，对流出的烙渣流的、沿着方向i的宽度Bmi进行探测。所述流出的烙 渣的量Sm与所述宽度Bmi成比例。通过校正因数Fka可W检测所述烙渣液面Spc。在所述阶 段A中连续地从由烙渣液面SpA和宽度B"1的商求得所述校正因数Fka, SpA 乂日 M' X Fka。
[0014] 由此在所述阶段A中始终对流槽的状态并且由此对所述烙渣流的横截面加 W考 虑，使得对于烙渣流的宽度的测量就已足够，其中所述烙渣流通过所述流槽流出。
[0015] 该一点可W实现，因为始终出现所述烙渣流的表征的形状，从所述表征的形状中 可W推断出所述烙渣液面。
[0016] 在所述按本发明的方法的一种实施方式中规定，对所述流出的烙渣流的、沿着两 个彼此基本上垂直的方向1和2的宽度进行探测，其中检测所述宽度B"1和B"2,并且所述流 出的烙渣的量S"与所述宽度B"i和勺乘积成比例。通过所述校正因数Fkb可W检测所述 烙渣液面Spe。所述校正因数Fkb可W根据经验或者在所述阶段A中连续地从所述烙渣液面 SpA和由Bmi和Bm2的乘积中求得， 5戶离《：Bmi X Bm2 5^ Fkb。
[0017] 通过在所述烙渣液面与流出的烙渣的量之间的比例，可W通过所述校正因数Fkc W简单的方式推断出所述烙渣液面Spc。
[0018] 所述校正因数考虑到所述烙渣流的实际的横截面的、偏离理论上的矩形形状的偏 差。可W容易地根据经验来求得所述校正因数，因为所出现的横截面大多数保持恒定。在 该种情况中，可W放弃附加的、直接的、对于在所述冶金容器中的烙渣的探测。
[001引替代地，也可W从对于在阶段A中的烙渣液面SpA的测量W及所测量的、由B"1和B"2 的乘积中求得所述校正因数。但是，不必经常求得所述校正因数，因为所述烙渣流的横截面 形状不会随着时间快速变化。
[0020] 按本发明的方法的一种特殊的实施方式规定，对于所述烙渣液面SpA的探测在阶 段A中在冶金容器中尤其是通过在所述冶金容器中的打开的烙渣口来进行。在此，所述探 测机构直接在所述冶金容器中检测所述烙渣，其中利用所述冶金容器的开口。通过在所述 探测机构与所述冶金容器之间的间距，可W防止所述探测机构受到在所述冶金容器中W及 直接在所述冶金容器周围的、极端的条件的影响。在通过打开的烙渣口使用时，所述方法只 能用在具有打开的烙渣口的阶段中。
[0021] 按本发明的方法的另一种实施方式规定，对于所述烙渣液面SpA的探测在阶段A中 通过在所述冶金容器中的烙渣上进行棱边探测该种方式来进行。由此在烙渣上棱边上实施 所述探测，并且直接在所述冶金容器中检测所述烙渣。
[0022] 根按本发明的方法的一种优选的实施方式，所述探测机构具有一探测区域，该探 测区域检测在所述冶金容器中的烙渣W及从所述冶金容器中流出的烙渣流。该种设计方案 能够用仅仅一个探测机构来探测在所述冶金容器中的烙渣W及所述流出的烙渣流。由此在 不可能对在所述冶金容器中的烙渣液面进行直接的探测的情况中，也还可W间接地通过所 述流出的烙渣流W及由此所述流出的烙渣的量来进行探测。由此也可W在冶金的方法的、 本身对探测来说十分不利的运行状态中在所述冶金容器中进行探测。
[0023] 根据按本发明的方法的一种替代的实施方式，所述探测机构具有一探测区域，该 探测区域仅仅检测从所述冶金容器中流出的烙渣流。所述至少一个探测机构比如可W布置 在所述冶金容器的下方或者布置在所述容器的烙渣出口的下方，或者也可W对准该样的位 置，从而更好地保护所述探测机构，比如防止受到不利的运行条件的影响。在该种布置方式 或者定向中，在所述冶金容器或者烟尘或者粉尘中的操纵没有问题。
[0024] 根据按本发明的方法的一种特殊的实施方式，所述探测机构包括至少一个尤其在 近红外范围内工作的CCD相机，用该CCD相机来产生光学的信号、尤其是图像。由于对于波 长范围的限制，可W将所述探测限制到对于所述烙渣来说表征的福射上，从而可W排除不 受欢迎的环境影响W及其他的福射源。由此在检测时获得附加的可靠性。CCD相机此外拥 有W下优点；它们能够成本低廉地获得并且也可W通过相应的防护措施在恶劣的环境条件 下（炎热、粉尘、烟尘、振动）使用。此外，相应的镜组允许与相应的使用情况相匹配，从而可 W对所述探测区域或者安装情况进行调整。
[00巧]按照本发明，所述光学的信号是图像，其中相应地从所述图像的单独的区域中检 测所述烙渣液面SpA和所述宽度Bmi和/或B"2。为此，使用所述图像的一些区域，从而从一 幅图像中通过所述处理单元可W截取或者读出并且转换两个或者更多个区域。比如可W从 一幅图像中借助于一个区域来确定烙渣液面，并且借助于同一幅图像的另一个区域来额外 地确定所述烙渣流的宽度，从而借助于所述处理单元比如可W求得校正因数Fka。但是，所 述处理单元也可W从不同的探测机构中截取区域并且一起对其进行处理。
[0026] 按本发明的方法的一种优选的实施方式规定，将所求得的烙渣液面SpA和/或所述 烙渣液面Spc用于调节为了进行烙渣形成、尤其是为了进行泡沫烙渣形成而被添加到所述 冶金容器中的碳的量。知道将碳载体加入到所述冶金容器中，在所述冶金容器中有金属的 烙融物和烙渣。由此激发所述烙渣形成，或者通过气体形成来扩大所述烙渣的体积。由于 不断地探测烙渣液面，可简单的方式方法来控制碳载体的供给量，并且就该样将所述 烙渣水平保持在额定状态上。但是，所探测到的烙渣液面原则上也可W用于对所述冶金的 过程进行过程调整或者过程调节。
[0027] 所述按本发明的、用于对在处于冶金容器、尤其是电弧炉中的金属的烙融物上的 烙渣液面进行探测的装置，包括至少一个产生信号的探测机构，所述探测机构对准所述冶 金容器和/或至少对准从所述冶金容器中通过流槽流出的烙渣流。借助于所设置的处理单 元，在阶段A中检测烙渣液面SpA，和/或如果不能对所述烙渣液面SpA进行直接的光学的探 巧1|，则探测所述流出的烙渣流的、沿着至少一个方向i的宽度Bmi，并且借助于所述处理单元 通过流出的烙渣的量S"来检测所述烙渣液面Spc。通过在所述流出的烙渣的量S"与所述烙 渣液面Spc之间的比例和在所述流出的烙渣的量Sm与所述烙渣流的横截面之间的比例，可 W由所述烙渣流横截面推断出在所述冶金容器中的烙渣液面。此外，所述探测机构要么可 W检测所述烙渣液面，要么可W检测所述烙渣流的横截面，要么可W-起检测该两个参量， 从而可W从相同的信号中通过所述处理单元来一起检测该些参量。由此有利地提供一种很 简单的装置。
[0028] 根据按本发明的装置的一种替代的实施方式，设置有两个彼此垂直地尤其是在地 下布置的、用于对所述流出的烙渣流的宽度进行探测的探测机构，其中检测所述宽度B"i和 B"2,并且在与所述宽度Bmi和的乘积W及校正因数Fkb成比例的情况下求得所述流出的 烙渣的量S"，其中根据经验或者在阶段A中连续地从所述烙渣液面SpA和所述由B"i和的 乘积中求得所述校正因数Fkc。该种在冶金厂地面之下的地下布置方式提供W下优点：所述 探测机构可W在受到保护的情况下来布置，并且此外所述探测机构没有在所述冶金容器的 区域中导致限制，因为在该里一定能够不受限制地操作或者操纵比如吹管或者电极。此外， 所述探测机构可W在没有干扰的情况下探测所述烙渣流。可W通过所述宽度Bmi和Bm2来如 此好地探测所述烙渣流，从而可W通过校正因数来推断出所述烙渣流的横截面并且由此推 断出流出的烙渣的量。可W根据经验来求得所述校正因数，其中该个过程多数只需要进行 一次。此外，可W从所述烙渣液面SpA和所述由Bmi和的乘积中求得所述校正因数。
[0029] 所述按本发明的装置的一种优选的实施方式规定，所述信号是光学的信号、尤其 是图像，并且通过所述处理单元相应地从所述图像的单独的区域中检测所述烙渣液面SpA 和所述宽度B"i和B"2。光学的信号W及尤其图像在技术上得到了广泛传播，从而通过所述 处理单元来较好地撑控对于该样的信号的处理。在此由所述处理单元从所述图像中截取单 独的区域，从而从一张图像中得到多个比如区域的形式的信息。除了所述烙渣液面之外，比 如由此用同一幅图像也还可W截取宽度的形式的、关于所述烙渣流的信息。此外，存在着标 准化的、用于图像的规格，可W很好地对所述图像的规格进行分析。
[0030] 根据所述按本发明的装置的一种特殊的实施方式，所述探测机构包括至少一个尤 其在近红外范围内工作的、尤其是具有日光抑制滤波器（Tageslichtsperrfilter)的CCD相 机。该样的相机可W通过所述镜组来相应地调节，从而可W检测所述烙渣的所期望的区域。 通过滤波器和所定义的波长范围可W在很大程度上减弱对所述探测的环境影响，并且最佳 地检测所述烙渣。
[0031] 按照本发明，所述探测机构具有一探测区域，该探测区域尤其是通过开口、优选通 过打开的烙渣口来检测在所述冶金容器中的烙渣并且检测从所述冶金容器中流出的烙渣 流。由此可W用一个探测机构来同时检测在所述冶金容器中的烙渣和所述烙渣流。在所述 冶金容器中进行检测时，可W利用开口，使得所述探测机构可W布置在所述极端的条件(声 压、炎热、粉尘、烟尘）的不远处并且由此经受较少的负荷。
[0032] 根据所述按本发明的装置的一种替代的设计方案，所述探测机构具有一探测区 域，该探测区域仅仅检测从所述冶金容器中流出的烙渣流。由此还可W将所述探测机构布 置在更加远离所述冶金容器的地方或者布置在得到保护的区域中。比如可W将所述探测机 构布置在所述冶金容器的下方，从而可W进一步降低所述探测机构的负荷。
[0033] 所述按本发明的方法用于对在处于冶金容器、尤其是电弧炉中的金属的烙融物上 的烙渣形成情况进行控制，其特征在于，根据所述烙渣液面SpA和/或所述烙渣液面Spc、按 照权利要求1至10中任一项所述的方法来对为了进行烙渣形成、尤其是为了进行泡沫烙渣 形成而被添加到所述冶金容器中的碳的量进行调节。所述烙渣在冶金的方法中用于遮蔽所 述金属的烙融物。由此在热损失方面、不过也在通过噪声排放并且通过废气给环境造成的 负荷方面获得优点。通过对于烙渣液面的连续的检测，来保证有效并且实时的调节。基于 所检测到的烙渣液面，可W对被设置用于将碳载体吹入到电弧炉中的吹管进行调节，并且 可W连续地遵守所期望的烙渣液面。

【专利附图】

【附图说明】
[0034] 借助于示意图来示例性地对本发明进行解释： 图1是一种电弧炉，所述电弧炉具有按本发明的、用于在炉中的烙渣和流出的烙渣流 的探测机构； 图2是一种电弧炉，所述电弧炉具有按本发明的、用于流出的烙渣流的探测机构； 图3是按照图2所示的布置方式的俯视图；并且 图4同样是关于图2所示的细节的俯视图。

【具体实施方式】
[003引在图1中示出了用于对金属的烙融物进行处理的、具有打开的烙渣口 2的冶金容 器1、比如电弧炉。烙渣通过所述开口来流出，并且形成烙渣流3。在所述冶金容器1中有 金属的烙融物4,并且在所述烙融物的上方存在着具有烙渣液面5的烙渣。
[0036] 借助于具有探测区域7的探测机构6来检测在所述电弧炉中的烙渣8和流出的烙 渣流。作为探测机构6,比如可W使用CCD相机。该个探测机构多数在近红外范围内工作， 并且具有日光抑制滤波器。所述CCD相机检测在所述冶金容器1中的烙渣液面5,其中比如 使用边缘探测法。此外，通过所述CCD相机来检测所述烙渣流。
[0037] 将借助于所述探测机构6产生的信号或者图像输送给处理单元9。在该里对所述 CCD相机的信号或者图像进行处理。在此，从所述信号中检测烙渣液面，或者从所述流出的 烙渣流的、所探测到的宽度Bmi中通过所述校正因数Fka来算出所述烙渣流的面积。从该个 面积中可W求得流出的烙渣的量，并且从中又检测在所述电弧炉中的烙渣液面。在此利用 比例特性和/或根据经验所求得的关联。将所求得的调节量10输送给未示出的调节机构， 所述调节机构基于当前的烙渣液面调节形成烙渣的或者提高烙渣体积的材料、比如碳载体 的输入量，从而始终可W遵守额定-烙渣液面。因此可W更加有效地运行所述电弧炉，比女口 可W降低电极消耗和耐火消耗。
[003引在图2中同样示出了具有打开的烙渣口 2的冶金容器1。为了探巧IJ所述流出的烙 渣流3,设置有两个探测机构6。图3 W俯视图示出了该种布置方式。所述两个探测机构6 W彼此偏移了 90°的角度的方式来布置，并且对准所述烙渣流3。所述烙渣流3通过流槽 12从所述冶金容器1中流出。
[0039] 从图2中可W得知，所述探测机构6布置在所述冶金厂地面11的下方，从而可W 实现很好地得到保护的位置。所述探测机构6沿着垂直的方布置在相同的平面中。在图 2中向投影倾斜（aufgekippt)的方式示出了所述探测机构6,该仅仅用于更好的可视 性。但是可W考虑所述探测机构6的其他空间的位置。
[0040] 为了对所述探测机构6的信号进行处理，设置有处理单元9。借助于所述探测机构 6可W检测所述烙渣流3的、沿着两个彼此垂直的方向的宽度Bmi和Bm2。
[0041] 该一点在图4中详细地示出。所述两个探测机构6具有探测区域7,并且检测所述 烙渣流3的宽度。在此示出了所述烙渣流3的典型的横截面，其中所述宽度在所述冶金容 器的侧面上大多数情况比在所使用的侧面上宽。
[0042] 所述流出的烙渣的量Sm与所述烙渣液面成比例，并且由此也与所述由宽度Bmi和 B"2的乘积并且与校正系数Fkb成比例。可W根据经验来求得所述校正因数Fkb。Fkc考虑到 实际上的烙渣流横截面的、偏离理想的矩形形状的偏差W及在出自所述冶金容器的排出口 的横截面中的变化、比如在所述烙渣出口的宽度中的变化。替代地，所述两个探测机构6可 W与附加的、未示出的探测机构相禪合。所检测到的烙渣液面也可W用于对所述校正因数 进行调整，其中在相应的阶段中进行所述探测，在所述相应的阶段中可W对在所述冶金容 器中的烙渣高度进行直接的探测。
[0043] 也可W检测在所述烙渣液面与流出的烙渣的量与所测量的烙渣横截面之间的关 联。
[0044] 但是也可W设想，所述两个直角地相对彼此布置的探测机构6其中之一具有探测 区域，所述探测区域除了检测所述烙渣流3之外也还可W检测在所述冶金容器中的烙渣8 W及由此烙渣液面5。通过在所述烙渣液面5与流出的烙渣的量或者烙渣横截面之间的比 例，可简单的方式由所述烙渣横截面推断出所述烙渣液面5。又可W将所求得的调节量 10输送给未示出的、用于所述烙渣液面的调节机构。
[004引 附图标记列表： 1冶金容器 2烙渣口 3烙渣流 4金属的烙融物 5烙渣液面 6探测机构 7探测区域 8在冶金容器中的烙渣 9处理单元 10调节量 11冶金厂地面 12流槽
【权利要求】
1. 用于借助于至少一个产生信号的探测机构（6)来对在处于冶金容器（1)、尤其是电 弧炉中的金属的熔融物（4 )上的熔渣液面（5 )进行探测的方法，所述探测机构（6 )对准所述 冶金容器（1)和/或至少对准从所述冶金容器（1)中流出的熔渣流（3)，其特征在于，在阶 段A中借助于处理单元（9)从所述信号中直接检测熔渣液面SPA，和/或如果不能直接探测 所述熔渣液面SPA，则探测所述流出的熔渣流（3)的、沿着至少一个方向i的宽度BMi，并且借 助于所述处理单元（9)通过流出的熔渣的量SM来检测所述熔渣液面SPB，其中所述探测机构 (6)包括至少一台C⑶相机，利用所述C⑶相机来产生光学的信号。
2. 按权利要求1所述的方法，其特征在于，探测所述流出的熔渣流（3)的、沿着方向1 的宽度BM1，并且作为所述宽度BM1和校正因数FKA的乘积来求得所述流出的熔渣的量S M，其 中在阶段A期间连续地从由熔渣液面SPA和宽度BM1的商求得所述校正因数Fka。
3. 按权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述流出的熔渣流（3)的、沿着两个彼此 基本上垂直的方向1和2的宽度进行探测，其中检测所述宽度BM1和BM2，并且在与所述宽度 BM1和的乘积并且与校正因数FKB成比例的情况下求得所述流出的熔渣的量SM，其中根据 经验或者在所述阶段A期间连续地由所述熔渣液面SPA并且由BM1和的乘积中求得所述 校正因数Fkb。
4. 按权利要求1所述的方法，其特征在于，对于所述熔渣液面SPA的探测在所述阶段A 中在所述冶金容器（1)中、尤其通过在所述冶金容器（1)中打开的熔渣门（2)来进行。
5. 按权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对于所述熔渣液面SPA的探测在所述阶 段A中通过在所述冶金容器中（1)的熔渣（8)上的边缘探测来进行。
6. 按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述探测机构（6)具有探测区 域（7)，所述探测区域检测在所述冶金容器（1)中的熔渣（8)以及从所述冶金容器（1)中流 出的熔渣流（3)。
7. 按权利要求1到5中任一项所述的方法，其特征在于，所述探测机构（6)具有探测 区域，所述探测区域仅仅检测从所述冶金容器（1)中流出的熔渣流（1)。
8. 按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述探测机构（6)包括至少一 个在近红外范围内工作的C⑶相机，利用所述C⑶相机来产生图像。
9. 按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，光学的信号是图像，其中分别 从所述图像的单独的区域中检测所述熔渣液面SPA和所述宽度BM1和/或BM2。
10. 按上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，考虑所检测的熔渣液面 /或熔渣液面SPB以调节碳的量，所述碳用于形成熔渣、尤其用于形成被添加到所述冶金容 器（1)中的泡沫熔渣。
11. 用于对在处于冶金容器（1 )、尤其是电弧炉中的金属的熔融物（4)上的熔渣液面 (5)进行探测的装置，所述装置包括至少一个产生信号的探测机构（6)，所述探测机构对准 所述冶金容器和/或至少一个从所述冶金容器中经由流槽（12)流出的熔渣流（3)，其特征 在于，设置有处理单元（9)，借助于所述处理单元在阶段A中检测熔渣液面SPA，和/或如果 不能对所述熔渣液面3^进行直接的光学的探测，则探测所述流出的熔渣流的、沿着至少一 个方向的宽度BM，并且借助于所述处理单元通过流出的熔渣的量SM来检测所述熔渣液面 SpB。
12. 按权利要求11所述的装置，其特征在于，设置有两个彼此垂直地、尤其是在地下 布置的、用于对所述流出的熔渣流的宽度进行探测的探测机构（6)，其中检测宽度BM1和BM2， 并且在与所述宽度Bm1和BM2的乘积以及校正因数Fkb成比例的情况下求得流出的熔渣的量 SM，其中根据经验或者在阶段A期间连续地从所述熔渣液面SPA和所述由BM1和B M2的乘积中 求得所述校正因数Fkb。
13. 按权利要求11或12所述的装置，其特征在于，所述信号是光学的信号、尤其是图 像，并且通过所述处理单元相应地从所述图像的单独的区域中检测所述熔渣液面SPA和所 述宽度BM1和BM2。
14. 按权利要求11到13中任一项所述的装置，其特征在于，所述探测机构包括至少一 个尤其在近红外范围内工作的、尤其是具有日光抑制滤波器的CCD相机。
15. 按权利要求11到14中任一项所述的装置，其特征在于，所述探测机构具有探测区 域（7)，所述探测区域尤其是通过开口、优选通过打开的熔渣门（2)来检测在所述冶金容器 (1)中的熔渣（8)并且检测从所述冶金容器中流出的熔渣流。
16. 按权利要求11到14中任一项所述的装置，其特征在于，所述探测机构（6)具有探 测区域，所述探测区域仅仅检测从所述冶金容器（1)中流出的熔渣流（3)。
17. 用于对在处于冶金容器（1)、尤其是电弧炉中的金属的熔融物（4)上面的熔渣形 成情况进行控制的方法，其特征在于，根据熔渣液面31^和/或熔渣液面SPB根据按权利要求 1至10中任一项所述的方法来调节碳的量，所述碳用于形成熔渣、尤其是用于形成被添加 到所述冶金容器（1)中的泡沫熔渣。
【文档编号】F27D21/02GK104395483SQ201380035815
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2013年7月3日 优先权日:2012年7月5日
【发明者】C.考贝克 申请人:西门子 Vai 金属科技有限责任公司