一种智能温控式单晶硅清洗装置的制造方法

文档序号:8600104阅读:197来源:国知局
一种智能温控式单晶硅清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种智能温控式单晶硅清洗装置。
【背景技术】
[0002]晶体硅作为太阳能电池的主要原料,在推动世界光伏产业的发展中起到了举足轻重的作用。在硅片生产过程中,硅片表面的污染物来源主要有:加工器械带来的污染,加工液的污染、环境污染、操作人员带来的污染以及加工过程中硅片表面发生化学反应产生的污染等。随着太阳能工业的发展,对硅片表面洁净度的要求也越来越高,这在一定程度上促进了硅片清洗技术的发展,也促进了人们对硅片清洗工艺的研宄。当前,湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位,但是该技术设备条件要求高,使用成本高,不利于广泛推广应用。
【实用新型内容】
[0003]针对上述技术问题,本实用新型公开一种智能温控式单晶硅清洗装置,包括依次设置的第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽以及烘干箱,所述第二水槽以及第三水槽内设置有温度感应器和加热器,每个加热器上分别连接一温度显示板,所述第二水槽以及第三水槽上分别设置水循环装置。
[0004]优选地,所述水循环装置包括冷水循环管和贮水槽,所述冷水循环管与贮水槽相连接。
[0005]优选地,所述第二水槽以及第三水槽内加有清洗用的药剂。
[0006]本实用新型的有益效果是所述智能温控式单晶硅清洗装置能够自动调整水槽内的温度,通过用户预先设定的温度值,温度传感器会实时感应并显示出槽内的温度,一旦超出温度设定值就会加入冷水,从而及时降低温度,满足使用需要,提高清洗效果,且还设置烘干箱,清洗完毕后即进行烘干,进一步提高清洗质量。
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型所述智能温控式单晶硅清洗装置的结构示意图。
[0008]图中,1-第一水槽;2-第二水槽;3_第三水槽;4_第四水槽;5_第五水槽;6-烘干箱;7_冷水循环管;8_贮水槽。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0010]如图所示,本实用新型公开一种智能温控式单晶硅清洗装置,包括依次设置的第一水槽1、第二水槽2、第三水槽3、第四水槽4、第五水槽5以及烘干箱6,所述第二水槽2以及第三水槽3内设置有温度感应器和加热器,每个加热器上分别连接一温度显示板,所述第二水槽以及第三水槽上分别设置水循环装置。所述水循环装置包括冷水循环管7和贮水槽8,所述冷水循环管7与贮水槽8相连接。所述第二水槽2以及第三水槽3内加有清洗用的药剂。所述智能温控式单晶硅清洗装置能够自动调整水槽内的温度,通过用户预先设定的温度值,温度传感器会实时感应并显示出槽内的温度,一旦超出温度设定值就会加入冷水,从而及时降低温度,满足使用需要,提高清洗效果,且还设置烘干箱,清洗完毕后即进行烘干,进一步提高清洗质量。
[0011]尽管本实用新型的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【主权项】
1.一种智能温控式单晶硅清洗装置,其特征在于:包括依次设置的第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽以及烘干箱,所述第二水槽以及第三水槽内设置有温度感应器和加热器,每个加热器上分别连接一温度显示板,所述第二水槽以及第三水槽上分别设置水循环装置。
2.根据权利要求1所述的智能温控式单晶硅清洗装置,其特征在于:所述水循环装置包括冷水循环管和贮水槽,所述冷水循环管与贮水槽相连接。
3.根据权利要求1所述的智能温控式单晶硅清洗装置,其特征在于:所述第二水槽以及第三水槽内加有清洗用的药剂。
【专利摘要】本实用新型公开一种智能温控式单晶硅清洗装置,包括依次设置的第一水槽、第二水槽、第三水槽、第四水槽、第五水槽以及烘干箱,所述第二水槽以及第三水槽内设置有温度感应器和加热器,每个加热器上分别连接一温度显示板,所述第二水槽以及第三水槽上分别设置水循环装置。本实用新型所述智能温控式单晶硅清洗装置能够自动调整水槽内的温度,满足使用需要,提高清洗效果。
【IPC分类】B08B3-08
【公开号】CN204307871
【申请号】CN201420780503
【发明人】张忠安
【申请人】江西豪安能源科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月12日
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