用于蚀刻与蚀刻掩模纵向间隔开的材料的方法
【专利摘要】微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。
【专利说明】用于蚀刻与蚀刻掩模纵向间隔开的材料的方法
【技术领域】
[0001]本发明大体上涉及MEMS装置，并且更特定地，本发明涉及用于形成微加工装置的过程。
【背景技术】
[0002]微机电系统(“MEMS”)在越来越多的应用中使用。例如，MEMS当前实现为用于检测飞机的俯仰角的陀螺仪、用于在移动电话中使用的麦克风以及用作选择性地在汽车中部署气囊的加速计。简单地说，这样的MEMS装置典型地具有悬吊在衬底上面的结构，和关联的电子器件，其既感测悬吊结构的移动又将感测的移动数据传递到一个或多个外部装置(例如，外部计算机)。该外部装置处理感测的数据来计算正被测量的性质(例如，俯仰角、入射声信号或加速度)。
[0003]如本领域内技术人员所知的，用于形成MEMS装置的一个常用技术(称为“表面微加工”)使用添加和减除过程在衬底的顶部上建立材料层。然而，表面微加工过程的复杂性通常随着更多的层添加到衬底以及从衬底减除而增加。厚的层(例如MEMS麦克风中的刚性背板)对微加工过程提出进一步的挑战。
【发明内容】
[0004]根据本发明的一个实施例，微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。
[0005]一些实施例通过在掩模与给定层之间纵向引导第一蚀刻剂通过空隙而蚀刻特征。为此，过程可通过引导初步蚀刻剂通过掩模孔而去除掩模与给定层之间的材料(来形成空隙)。例如，第一蚀刻剂(其可包括反应离子蚀刻材料)经过掩模孔和空隙来将特征蚀刻到给定层内。空隙还可具有壁，其带有能被第一蚀刻剂蚀刻的暴露材料，但仅在被第一蚀刻剂接触时如此。在该情况下，第一蚀刻剂说明性地使暴露材料大致上未被蚀刻。
[0006]除其他事物外，特征还可包括通过给定层的层孔。该层孔可大小适于具有特征最大内部尺寸。采用类似的方式，掩模孔还具有孔最大内部尺寸，其大致上与特征最大内部尺寸相同。相比之下，空隙具有空隙最大内部尺寸，其大于孔最大内部尺寸。
[0007]多个层还可包括更深层，其通过层孔而暴露于空隙。在该情况下，方法还可引导第二蚀刻剂通过I)掩模孔、2)空隙和3)层孔来去除该更深层的至少一部分。在一些实施例中，第一蚀刻剂包括氧化蚀刻剂，并且第二蚀刻剂包括硅蚀刻剂。
[0008]多个层可包括多个其他层中的任一个，例如第一背板层与第二背板层之间的隔膜层。此外，支承层可包括结构层，而给定层可包括牺牲层。
[0009]根据其他实施例，微加工方法提供具有多个层的晶片。该多个层包括具有第一牺牲材料的第一层、介入层和具有第一牺牲材料的第二层。第一层中的该第一牺牲材料与第二层中的第一牺牲材料不邻接一例如，介入层使第一层中的第一牺牲材料与第二层中的第一牺牲材料分离。方法然后在晶片上形成蚀刻掩模，其中掩模孔与介入层间隔开。接着，方法引导第一蚀刻剂通过掩模孔以从第一层去除第一材料中的至少一些来形成在介入层处终止的空隙。定向蚀刻剂然后被传递通过掩模孔和空隙来形成通过介入层的介入层孔。
[0010]根据其他实施例，形成MEMS麦克风的方法提供晶片，其具有下背板层、上背板层以及顶部与下背板层之间的隔膜层。晶片还在该隔膜层与上背板层之间具有第一牺牲层和第二牺牲层。接着，方法在晶片上形成具有掩模孔的蚀刻掩模。在该配置中，上背板层在掩模孔与第一牺牲层之间，其中背板层使掩模孔与第一牺牲层间隔开。方法还将第一蚀刻剂传递通过掩模孔来形成在第一牺牲层处终止的空隙，并且然后将第二蚀刻剂传递通过掩模孔和空隙来形成通过第一牺牲层的阴影孔。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]本领域技术人员应从参考下文随即概述的图论述的下列“【具体实施方式】”更充分地意识到本发明的各种实施例的优势。
[0012]图1示意地示出可使用根据本发明的说明性实施例配置和制造的MEMS麦克风的移动电话。
[0013]图2示意地示出可根据本发明的说明性实施例配置和制造的MEMS麦克风的透视图。
[0014]图3示意地示出跨剖面线3-3的图2的MEMS麦克风的横截面视图。
[0015]图4A和4B示出根据本发明的说明性实施例形成图2的MEMS麦克风的过程。
[0016]图5A-5L在图4A和4B中示出的过程的特定步骤处明确示出图2的麦克风的细节。每个图随即在下文简要描述。
[0017]图5A示意地示出步骤400处的麦克风处的麦克风，该步骤400形成下背板和隔膜。
[0018]图5B示意地示出步骤402处的麦克风，该步骤402使牺牲材料沉积在晶片上。
[0019]图5C示意地示出步骤404和406处的麦克风，该步骤404和406使上背板沉积、蚀刻通过背板的孔以及使结构氧化。
[0020]图示意地示出步骤408处的麦克风，该步骤408用牺牲多晶硅填充背板中的孔。
[0021]图5E示意地示出步骤410处的麦克风，该步骤410形成掩模和掩模孔。
[0022]图5F示意地示出步骤412处的麦克风，该步骤412从背板孔去除多晶硅。
[0023]图5G示意地示出步骤414处的麦克风，该步骤414形成通过氧化层的阴影孔。
[0024]图5H示意地示出步骤416处的麦克风，该步骤416去除牺牲多晶硅。
[0025]图51示意地示出步骤418处的麦克风，该步骤418去除牺牲氧化物。
[0026]图5J示意地示出步骤420处的麦克风，该步骤420去除掩模并且添加光致抗蚀剂层。
[0027]图5K示意地示出步骤422处的麦克风，该步骤422释放隔膜下面的结构。
[0028]图5L示意地示出步骤424处的麦克风，该步骤424去除余下的光致抗蚀剂。【具体实施方式】
[0029]说明性实施例使微加工过程能够执行长距离蚀刻一即，它们掩模上的开口与它蚀刻的表面间隔开。因此，微加工过程现在可以制造改进且更健壮的MEMS装置。例如，该过程改进目前技术水平的制造过程来产生更健壮的双背板MEMS麦克风。在下文论述说明性实施例的细节。
[0030]图1示意地示出可以使用根据说明性实施例配置和制造的麦克风的移动电话10。然而，应该注意移动电话10和特定MEMS装置(即，麦克风)的论述仅是为了图示目的并且从而不意在限制本发明的所有实施例。因此，各种实施例适用于其他微加工装置，例如惯性传感器、气体检测器、网络交换机，等…
简单地说，电话10具有用于接收音频信号(例如，人的语音)的接收器12、用于生成音频信号的扬声器部分14和用于传送并且接收电磁信号编码音频信号的应答机16。在使用期间，人可对着接收器12说话，其具有将人的语音转换成电信号的MEMS麦克风18 (图2，下文论述的)。内部逻辑(未示出)和应答机16将该信号调制到远程源，例如到卫星塔并且最终到另一个电话10上的另一个人。
[0031]电话10可使用本领域已知的多个不同类型的麦克风中的任一个。然而,一些应用需要具有高最大声压的检测能力、宽的带宽以及下拉风险减小的MEMS麦克风18。为此，双背板麦克风18 (其具有夹在两个单晶背板之间的可移动隔膜22)应该足够了。
[0032]为此，图2示意地示出根据本发明的说明性实施例配置和制造的双背板MEMS麦克风18 (也称为“麦克风芯片18”)的顶部透视图。图3示意地示出跨图2的剖面线3-3的相同麦克风18的横截面视图。
[0033]除其他事物外，麦克风18包括静止下背板20，其支承并且与柔性隔膜22形成可变电容器26A，和静止上背板24，其也与隔膜22形成可变电容器26B。隔膜22从而形成两个电容器26A和26B —与每个背板形成一个。当隔膜22移动更接近一个背板(例如，响应于声信号的接收，下文论述的)时，它移动更远离另一个背板。因为电容与隔膜22与背板之间的间隙成反比，由朝一个背板移动的隔膜22形成的电容增加，而由远离另一个背板移动的隔膜22形成的电容减小。
[0034]为了便于操作，下背板20和上背板24都具有多个通孔孔口 28 (“背部孔口 28”)，其允许声信号接触隔膜22。通过下背板20的背部孔口 28通向背部腔30。
[0035]在说明性实施例中，下背板20由单晶硅形成(例如，绝缘体上硅晶片36的顶层，在下文在图5A-最后中论述的)，而隔膜22和上背板24由沉积材料形成，例如沉积的多晶硅。然而，其他实施例使用其他类型的材料来形成下背板20、上背板24和隔膜22。例如，单晶硅体晶片或一些沉积材料可形成下背板20。采用相似的方式，单晶硅体晶片、绝缘体上硅晶片的部分或一些其他沉积材料可形成隔膜22。
[0036]弹簧32使隔膜22可移动地连接到麦克风18的静止/固定部分。弹簧32有效地形成多个孔口(未示出)，其允许声能的至少一部分经过隔膜22。这些弹簧孔口(其也称为“隔膜孔口”)可以是任何合理形状，例如采用狭缝、圆孔的形状或一些不规则形状。然而，其他实施例可具有其他类型的弹簧32和孔口 28。
[0037]入射声能促使隔膜22振动，从而在它与上和下背板24和20之间产生变化电容。这样的声能可从任何方向接触麦克风18。例如，声能可向上行进、首先通过下背板20并且然后部分通过并且靠着隔膜22。在其他实施例中，声能可在相反方向上行进。芯片上或芯片外电路(未示出)接收(经由图2的接触36)该变化电容并且将它转换成可以被进一步处理的电信号。
[0038]图4A和4B示出根据本发明的说明性实施例制造图2的麦克风18的过程。应该注意为了清楚起见，该描述的过程是用于形成MEMS麦克风18的实际过程的明显简化版本。
[0039]因此，本领域内技术人员将理解过程可具有未在图4A和4B中明确示出的额外步骤。此外，步骤中的一些可按照与示出的不同的顺序或大致上同时执行。本领域内技术人员应该能够修改过程来符合他们的特定要求。为了更清楚地说明各种实施例，图5A-5L示出在图4A和4B的过程的各种步骤处的麦克风18。
[0040]过程在步骤400处开始，其采用常规方式在绝缘体上硅晶片36上形成下背板20和未释放的隔膜22。为此，如在图5A中示出，过程:
O从绝缘体上硅晶片36的顶部晶片形成下背板20，
2)形成通过背板20的背板空，以及
3)使背板20的孔和顶部表面氧化来形成牺牲氧化层38。
[0041]应该注意该过程中的所有牺牲氧化物由标号38标识一不管它在设备上的位置如何。步骤400接着用牺牲多晶硅40填充孔，并且然后一般来说用相同多晶硅使顶部表面平坦化来形成牺牲多晶硅层40。采用与牺牲氧化物相似的方式，所有牺牲多晶硅由标号40标识一不管它的位置如何。填充背板孔口 28的多晶硅40与一般来说平坦的牺牲多晶硅层40邻接。
[0042]最后，步骤400使牺牲多晶硅层40顶部一般来说平坦的表面氧化来形成牺牲氧化层38，并且然后使隔膜多晶硅沉积在牺牲层38上并且蚀刻它。因此，该步骤通过形成支承未释放的隔膜22的弹簧32而结束。
[0043]应该注意标注为“大致上平坦”的各种层可在它们的表面上具有小的凹陷或微凹。图5A清楚地示出该现象。对于此和有关过程的额外细节，参见例如2008年11月11日发布、指派给马塞诸塞州Norwood的Analog Devices公司并且命名Jason Weigold为发明人的题为 “PROCESS OF FORMING A MICROPHONE USING SUPPORT MEMBER (使用支承构件形成麦克风的过程)”的美国专利号7，449，356，其的公开通过引用而全部合并于此。
[0044]在提供或形成下背板20和隔膜22后，过程继续到步骤402，其将多材料牺牲层42沉积在隔膜22上。为此，如在图5B中示出的，步骤402将第一牺牲氧化层38沉积在隔膜22上，并且然后将牺牲多晶硅层40沉积在第一牺牲氧化层38之上。接着，步骤402将第二牺牲氧化层38沉积在刚沉积的牺牲多晶硅层40之上。图5C示出该第二牺牲氧化层38。该第二牺牲氧化层38大致上完全覆盖该新的牺牲多晶硅层40。
[0045]步骤404然后将上背板材料沉积到在步骤402 (图5C)中形成的第二牺牲氧化层38上。在说明性实施例中，背板材料包括多晶硅并且比牺牲多晶硅层40厚得多。例如，上背板24优选地具有大约与下背板20相同的厚度。
[0046]在形成上背板24 (如也在图5C中示出的)后，步骤406形成通过上背板24的孔/孔口 28，并且然后使上背板24的暴露表面氧化。该氧化产生氧化层38，其使所有孔口 28排齐并且与上背板24下面的牺牲氧化层38结合。除其他孔外，在该步骤中形成的孔口 28优选地包括通过上背板24的通孔/孔口 28。[0047]过程继续于制备用于支承掩模44的设备。为此，步骤408通过用牺牲多晶硅40(称为“填充多晶硅”，图5D)填充孔口 /孔28而使顶部表面平坦化。该填充多晶硅40在它的侧面和底部上被在孔口 28下方排齐并且形成的牺牲氧化层38所环绕。因此，氧化物38保护背板硅免受后续步骤中的蚀刻的影响。然而，不期望地，该氧化层/衬垫38还使填充多晶硅与它下方的牺牲多晶硅一层分离，从而在过程方面造成困难。对该问题的解决方案在下文论述。
[0048]在使顶层平坦化后，过程继续到步骤410，其在暴露表面上形成蚀刻掩模44 ; SP，在暴露氧化物38和填充多晶硅40的顶部上(图5E)。该掩模44在包含填充多晶硅40的某些区域上具有多个掩模孔46。在说明性实施例中，掩模44主要由光致抗蚀剂材料形成，而掩模孔46具有最大内部尺寸，其小于通过上背板24的孔口 28的最大内部尺寸。例如，图5E不出相对长且窄的掩模孔46。
[0049]步骤412然后使用常规过程来去除背板孔内的填充多晶硅40(图5F)。例如，该步骤可引导气态二氟化氙通过一个或多个掩模孔46来去除填充多晶硅40。如上文指出的，形成一个或多个孔口 28的内表面的氧化物38保护背板多晶硅免受二氟化氙的影响。因此，步骤412形成空隙/腔室/体积/孔(称为“空隙48”)，后续步骤通过其进一步蚀刻设备。
[0050]更具体地，根据本发明的说明性实施例，过程将一个定向蚀刻传递给在空隙48的底部处暴露的氧化层38 (步骤414，图5G)。也就是说，过程引导蚀刻剂通过掩模孔46、空隙48并且朝着空隙48底部处的牺牲氧化物。该蚀刻在没有明显蚀刻来自空隙48的侧面的氧化材料38中的任一个的情况下完成，从而保护背板硅。
[0051]为此，过程引导反应离子蚀刻通过空隙48并且到空隙48底部处的牺牲氧化物38上。具体地，反应离子蚀刻中的离子是一个定向的一它们执行未朝着空隙48的侧壁散布的各向异性过程。因此，这确保侧壁维持它们的氧化物38，从而未使背板多晶硅暴露于空隙48。这保护背板多晶硅免受后续多晶硅蚀刻的影响(下文论述的)。备选实施例可使用完成相同结果的其他类型的蚀刻。
[0052]反应离子蚀刻优选地在牺牲氧化物38中形成“阴影孔50”(也称为“阴影开口 50”)来暴露这样的氧化层38下方的牺牲多晶硅。因为它用反应离子蚀刻形成，阴影孔50应该具有大致上匹配掩模孔46的形状。例如，阴影孔50可具有与掩模孔46的大体相同的尺寸和形状。然而，在其他实施例中，尺寸可以是不同的。
[0053]阴影孔50的主要功能是接近该设备内之前不可接近的掩埋牺牲多晶硅层40。因此，它的小的尺寸应该足够执行它的功能。为此，步骤416通过引导多晶硅蚀刻剂通过阴影孔50而去除现在暴露于牺牲多晶硅的(图5H)。为此，过程可引导气态二氟化氙通过掩模孔46、空隙48和阴影孔50，因此去除掩埋牺牲多晶硅层40。如上文指出的，使空隙48的壁排齐的氧化物38有利地在该步骤期间保护上背板24的多晶硅。
[0054]阴影孔50从而克服使填充多晶硅与掩埋牺牲多晶硅层40分离这一问题一它提供对掩埋牺牲多晶硅层40的直接接近。这时，过程通过去除掩模44与隔膜22之间的大部分牺牲氧化物38而释放隔膜22的顶部。为此，步骤418引导湿氧化蚀刻剂(例如氢氟酸)通过掩模孔46并且进入设备的暴露区域内(图51)。如在图5K中示出的，该步骤仍维持氧化物，其使隔膜22固定在设备内。
[0055]过程的剩余部分简单地释放隔膜22的下侧。因此，步骤420去除掩模44并且然后开始释放隔膜22。然而，为进行此，过程使设备在周围旋转使得它支承在曾经支承掩模44的表面上。这无法进行，除非对释放区域暂时再填充。因此，如在图5J中示出的，步骤420简单地用光致抗蚀剂(临时光致抗蚀剂52’ ’)填充隔膜22上面基本所有的开放区域以在余下步骤中的一些期间提供结构支承。
[0056]过程通过采用常规方式在隔膜22下面释放并执行腔蚀刻来形成背部腔30 (步骤422和图5K，也参见先前的合并的专利)并且去除由步骤420添加的临时光致抗蚀剂52 (步骤424和图5L)从而释放整个设备/麦克风18而结束。常规的切割和包装过程然后可以形成最后的双背板麦克风18，如上文论述的。
[0057]因此，说明性实施例通过蚀刻与掩模44中的孔纵向间隔开的表面而实现长距离蚀刻。发明人发现反应离子蚀刻(其就他们的了解来说先前用于在蚀刻材料中制成直壁)可以用于蚀刻通过空隙48来形成阴影孔50。当然，其他实施例可以除阴影孔50以外在蚀刻表面中形成其他特征。从而，本领域内技术人员可以修改描述的过程以在蚀刻表面中形成其他特征。实际上，在图4A和4B中论述的单个掩模44可以保持在适当的位置以在设备内蚀刻甚至更深的层(如果它们在那里的话)。也就是说，单个掩模44可以保持在适当的位置以在单个设备中蚀刻多个纵向间隔开的层。
[0058]该过程呈现优于现有技术过程的明显改进，其通过层传输过程形成双背板麦克风。现在，层更加完整并且从而更健壮。
[0059]尽管上文的论述公开本发明的各种示范性实施例，本领域内技术人员可以进行各种修改，其将实现本发明的优势中的一些而不偏离本发明的真正范围，这应该是明显的。
【权利要求】
1.一种微加工过程，包括: 在晶片上形成多个层，所述多个层包括支承层和给定层； 至少部分在所述支承层上形成掩模，所述掩模具有掩模孔，所述支承层在所述掩模孔与所述给定层之间，所述支承层使所述掩模孔与所述给定层纵向间隔开；以及 通过所述掩模孔将特征蚀刻到所述给定层内。
2.如权利要求1所述的微加工过程，其中蚀刻包括引导第一蚀刻剂通过所述掩模与所述给定层之间的空隙。
3.如权利要求2所述的微加工过程，进一步包括: 去除所述掩模与所述给定层之间的材料来形成所述空隙，去除包括引导初步蚀刻剂通过所述掩模中的掩模孔。
4.如权利要求2所述的微加工过程，其中所述第一蚀刻剂包括反应离子蚀刻材料，所述第一蚀刻剂经过所述掩模孔和所述空隙来将所述特征蚀刻到所述给定层内。
5.如权利要求2所述的微加工过程，其中所述空隙具有壁，其带有如果被接触能被所述第一蚀刻剂蚀刻的暴露材料，所述第一蚀刻剂使暴露材料大致上未被蚀刻。
6.如权利要求2所述的微加工过程，其中所述特征包括通过所述给定层的层孔。
7.如权利要求6所述的微加工过程，其中所述层孔包括特征最大内部尺寸，所述掩模孔具有孔最大内部尺寸，其大致上与所述特征最大内部尺寸相同。
8.如权利要求6所述的微加工过程，其中所述空隙具有空隙最大内部尺寸，所述掩模孔具有孔最大内部尺寸，所述孔最大内部尺寸小于所述空隙最大内部尺寸。
9.如权利要求8所述的微加工过程，其中所述多个层包括更深层，所述更深层通过所述层孔暴露于空隙，所述方法进一步包括引导第二蚀刻剂通过所述掩模孔、空隙和层孔来去除所述更深层的至少一部分。
10.如权利要求9所述的微加工过程，其中所述第一蚀刻剂包括氧化蚀刻剂，并且所述第二蚀刻剂包括硅蚀刻剂。
11.如权利要求1所述的微加工过程，其中所述多个层包括第一背板层与第二背板层之间的隔膜层。
12.如权利要求1所述的微加工过程，其中所述支承层包括结构层并且所述给定层包括牺牲层。
13.—种微加工方法,包括: 提供具有多个层的晶片，所述多个层包括具有第一牺牲材料的第一层、介入层和具有第一牺牲材料的第二层， 所述第一层中的所述第一牺牲材料与所述第二层中的所述第一牺牲材料不邻接，所述介入层使所述第一层中的所述第一牺牲材料与所述第二层中的所述第一牺牲材料分离； 在所述晶片上形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模具有掩模孔，所述掩模孔与所述介入层间隔开; 引导第一蚀刻剂通过所述掩模孔以从所述第一层去除所述第一材料中的至少一些来形成在所述介入层处终止的空隙；以及 将定向蚀刻剂传递通过所述掩模孔和所述空隙来形成通过所述介入层的介入层孔。
14.如权利要求13 所述的方法，其中所述介入层孔使所述第二层中的第一材料暴露，所述方法进一步包括将蚀刻剂传递通过所述掩模孔、空隙和介入层孔来去除所述第二层中的第一材料的至少一部分。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述晶片具有至少部分支承所述蚀刻掩模的支承层，所述支承层在所述蚀刻掩模与所述第一层之间。
16.如权利要求13所述的方法,其中所述第一牺牲材料包括娃。
17.如权利要求13所述的方法，其中所述空隙具有空隙最大内部尺寸，所述掩模孔具有孔最大内部尺寸，所述孔最大内部尺寸小于所述空隙最大内部尺寸。
18.—种形成MEMS麦克风的方法，所述方法包括: 提供晶片，其具有下背板层、上背板层以及顶部与下背板层之间的隔膜层，所述晶片在所述隔膜层与所述上背板层之间具有第一牺牲层和第二牺牲层； 在所述晶片上形成具有掩模孔的蚀刻掩模，所述上背板层在所述掩模孔与所述第一牺牲层之间，所述背板层使所述掩模孔与所述第一牺牲层间隔开； 将第一蚀刻剂传递通过所述掩模孔来形成在所述第一牺牲层处终止的空隙； 将第二蚀刻剂传递通过所述掩模孔和所述空隙来形成通过所述第一牺牲层的阴影孔。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述阴影孔使所述第二牺牲层暴露于所述空隙，所述方法进一步包括将所述第一蚀刻剂传递通过所述掩模孔、空隙和阴影孔来去除所述第二牺牲层的至少一部分。
20.如权利要求19所述的方法，其中提供包括提供具有腔室的上背板层，所述腔室具有牺牲材料，将第一蚀刻剂传递通过所述掩模孔的动作去除所述牺牲材料的至少一部分来形成所述空隙。
21.如权利要求18所述的方法，其中所述第二蚀刻剂包括定向蚀刻剂。
22.如权利要求 18所述的方法，进一步包括释放所述隔膜层。
【文档编号】B81C1/00GK103917484SQ201280044812
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2012年9月6日 优先权日:2011年9月14日
【发明者】K.L.杨, T.D.陈 申请人:应美盛股份有限公司