1.具有多个基板的微电子构件系统，其具有
第一基板（C1），所述第一基板构造为具有第一集成度的电路基板；
第二基板（C2），所述第二基板构造为具有第二集成度的电路基板并且所述第二基板压接到第一基板（C1）上；
第三基板（C3），所述第三基板构造为具有第三集成度的MEMS-传感器基板并且所述第三基板压接到第一基板（C1）或者第二基板（C2）上；
其中，所述第一集成度大幅度地大于第二集成度。
2.按照权利要求1所述的微电子构件系统，其中，所述第二基板（C2）具有模拟电路系统。
3.按照权利要求1或2所述的微电子构件系统，其中，所述第一基板（C1）具有数字电路系统。
4.按照前述权利要求中任一项所述的微电子构件系统，其中，所述第一基板（C1）具有小于或者等于180nm的最小结构参数。
5.按照前述权利要求中任一项所述的微电子构件系统，其中，所述第二基板（C2）具有大于或者等于180nm的最小结构参数。
6.按照前述权利要求中任一项所述的微电子构件系统，其中，所述第三基板（C3）具有至少一个惯性构件和/或压力传感器构件。
7.按照前述权利要求中任一项所述的微电子构件系统，其中，构造有第四集成度的第四基板（C4）压接到第一基板（C1）上。
8.按照权利要求7所述的微电子构件系统，其中，所述第四基板（C4）具有磁场传感器构件和/或微处理器构件。
9.按照前述权利要求中任一项所述的微电子构件系统，其中，所述第三基板（C3）具有未封装的MEMS-构件并且借助气密密封的压接框架（L7、L8、L9）压接到第二基板（C2）上，由此形成封装。
10.按照权利要求1至8中任一项所述微电子构件系统，其中，所述第三基板（C3）具有单独封装的MEMS-构件。
11.用于按照权利要求1的微电子构件系统的制造方法，其具有以下步骤：
提供具有多个第一基板（C1）的晶片（CW）；
分别地通过晶片/晶片-压接过程将多个第三基板（C3）压接到相应的多个第二基板（C2）上用于形成相应的多个相互压接的基板对；
分离相互压接的基板对；
通过芯片/晶片-压接过程将相互压接的基板对压接到晶片（CW）上，从而相互压接的基板对分别地压接到晶片（CW）的第一基板（C1）上；并且
分离第一基板（C1），所述第一基板具有在其上压接的相互压接的基板对。
12.按照权利要求12所述的制造方法，其中，所述第三基板（C3）具有与第二基板（C2）相同的横向尺寸。
13.按照前述权利要求12或13中任一项所述的制造方法，其中，第四基板（C4）压接到所述第一基板（C1）上。