专利名称：用于微电子装置中接合的掺杂4n铜线的制作方法
技术领域：
本发明大体上涉及用于微电子学中接合的掺杂4N铜线。
背景技术：
细的Au、Cu和Al线广泛用于集成芯片中的互连。银线也已经研究用于独特的应用。对于Au和Al线来说，通常应用2N到4N纯度(99%到99.99%)，而对于Cu来说，通常只使用4N纯度。已经研究5N到8N纯度的Cu，但其并未用于实践中。加入掺杂剂以用于例如回路性能、可靠性、可接合性、耐腐蚀性等专门的应用。直径通常在18μπι到75μπι范围内的线常用于线接合。对于高电流承载应用来说，应用直径通常在200 μ m到400 μ m范围内的线。用于所述线的合金通常连续铸成直径2mm到25mm的棒，并以称为粗、中间和细的步骤进一步拉延。细拉线在约0.25到0.6Tm(线的熔点)的高温下退火，并稍后缠绕，真空封装并存储用于接合。若干专利报道掺杂和合金Cu线的益处。加入量在0.13到1.17质量％范围内的Pd据称在压力锅试验(PCT)测试上具有高可靠性。发现掺杂Mg和P〈700ppm、维持30ppm氧
(O)并且加入一系列元素 Be、Al、S1、In、Ge、T1、V(6_300ppm)、Ca、Y、La、Ce、Pr、Nd〈300ppm的Cu线有效进行接合。加入在20-100ppm范围内的Nb和P以及低于50ppm的元素Cs、Lu、Ta、Re、Os、Ir、Po、At、Pr、Pm、Sm、Gd 和低于 IOOppm 的 Zr、Sn、Be、Nd、Sc、Ga、Fr、Ra 展示软且可接合的线。当掺杂最大IOOOppm的元素Mn、Co、N1、Nb、Pd、Zr和In时，产生可接合的Cu线。如果线含有低于2000ppm`的Be、Fe、Zn、Zr、Ag、Sn、V，那么发现其是可接合并且可靠的。加入高达IOOppm的硼⑶并加入低于IOppm的少量Be、Ca、Ge,并同时维持硫<0.5ppm显示出低球硬度和降低的加工硬化。Cr〈25ppm、Zr〈9ppm、Ag〈9ppm、Sn〈9ppm的Cu线显示与Au线一样好的优良可接合性。加入低于9ppm的少量Fe、Ag、Sn、Zr可产生正常可接合的线。加入低于IOOOppm的元素8、恥、]\%、六1、5丨、0&、1(、￥、6&、66、诎、51'、￥、]\10、Cd、Cs、Ba、Hf、Ta、Tl、W展示卓越的性质并且适于接合。使用O、C、H、N、S、P<lppm的例如8N(99.999999%)等超高纯度Cu加工的Cu线产生具有40HV硬度的软线。使用纯度5N和6N加工并掺杂元素T1、Cr、Fe、Mn、N1、Co中的任一者或与所述元素的不同组合进行组合且维持低于4.5ppm的Cu线显示优良的可接合性。使用 5N 和 6N 纯度，加入 Hf、V、Ta、Pd、Pt、Au、Cd、B、Al、In、S1、Ge、Pb、S、Sb 和 Bi<4.5ppm与Nb〈4.5ppm的组合也显示优良的可接合性。加入0.12-8.4ppm的Ti以及Mg、Ca、La、Hf、V、Ta、Pd、Pt、Au、Cd、B、Al、In、S1、Ge、Pb、P、Sb、B1、Nb〈0.16-8.1ppm 适合于接合。杂质<4ppm并含有Mg、Ca、Be、In、Ge、TKlppm的Cu线性能与Au线一样并且软到35HV。使用含有Mg、Al、S1、P〈40ppm的4N Cu线，实现干净的球状无空气球。类似地，维持纯度〈lOppm 并加入 La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Y<20ppm 或Mg、Ca、Be、Ge、Si〈20ppm，获得 40 到 50HV 的 Cu 线。加入 Ni 和 Co〈100ppm 并且 T1、Cr、Mn、Fe、N1、Zr、Nb、Pd、Ag、In、Sn〈150ppm 的 Cu 线显示耐腐蚀以及 4IHV 的硬度。含有 T1、Fe、Cr λ Mn、N1、Co<150ppm的Cu线的接合性能也很优良。使用区域提纯的Cu并维持Mg、Ca、T1、Zr、Hf < IOOppm获得小于49HV的软Cu线。在无空气球期间加入元素Be、Sn、Zn、Zr、Ag、Cr.Fe到最大2wt%，维持H、N、O、C含量并控制气体形成(H2、CO、N2.02)，因此获得上佳的接合强度。加入400ppm Mg、痕量Fe和Ag显示减少热影响区(HAZ)附近裂缝的形成。此线耐腐蚀，并且其使用6N纯度Cu加工。加入La〈0.002wt%、Ce〈0.003wt%、Ca〈0.004wt%到4N Cu线中展示长久存储期。一般来说，掺杂Cu线需要具有优良的可接合性，在惰性或反应性环境中形成无空气球，尤其是在高加速应力测试(highly accelerated stress test，HAST)下具有可靠性，具有优良的形成回路性能，并且易于以大量生产规模拉线。电阻率略微增加5-15%通常是掺杂Cu线的缺点。然而，如果此线尤其在HAST下显示出卓越的可靠性性能，那么此线具有吸引力，即使电阻率和成本增加。本发明的示例实施例设法提供用于微电子学中接合的掺杂4N Cu线，其可以提供高可靠性性能并且使其他性质的受损程度降低。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其包含Ag、N1、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约IOwt.ppm与约80wt.ppm之间。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Ag。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Ni。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Pd。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Au。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Pt。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Cr。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Ni。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Pd。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Au。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Pt。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Cr。耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Po耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ni和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Po耐腐蚀性掺杂材料可包含约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Pd和约IOwt.ppm到约40wt.ppm 的 Po耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Pd。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约20wt.ppm 的 N1、约 5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 Pd 和约 5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 Au。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约20wt.ppm 的 N1、约 5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 Pd、约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Au 和约 5wt.ppm到约 I Owt.ppm 的 Pt。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约IOwt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约IOwt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Pd。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约25wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 15wt.ppm 的 Pd。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约35wt.ppm的Ag、约5wt.ppm到约IOwt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 IOwt.ppm 的 Pd。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约5wt.ppm到约30wt.ppm 的 Ni。耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约5wt.ppm到约30wt.ppm 的 Pd0耐腐蚀性掺杂材料可包含约5wt.ppm到约IOwt.ppm的Ag、约lwt.ppm到约5wt.ppm 的 N1、约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Pd、约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Au、约 lwt.ppm 到约5wt.ppm 的 Pt 和约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Cr。掺杂4N铜线可进一步包含约20wt.ppm到约50wt.ppm的晶粒细化剂掺杂材料。晶粒细化剂掺杂材料可包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的Fe、约5wt.ppm到约I Owt.ppm 的 B、约 5wt.ppm 到约 IOwt.ppm 的 Zr 和约 5wt.ppm 到约 IOwt.ppm 的 Ti。掺杂4N铜线可进一步包含约3wt.ppm到约15wt.ppm的去氧剂掺杂材料。去氧剂渗杂材料可包含约lwt.ppm到约5wt.ppm的Ca和Ce、约lwt.ppm到约5wt.ppm的Mg和La以及约lwt.ppm到约5wt.ppm的Al。掺杂4N铜线可进一步包含约8wt.ppm到约25wt.ppm的去氧剂掺杂材料。去氧剂渗杂材料可包含约lwt.ppm到约5wt.ppm的Ca和Ce、约lwt.ppm到约5wt.ppm 的 Mg 和 La、约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Al 和约 5wt.ppm 到约 IOwt.ppm 的 P。掺杂4N铜线可进一步包含约8wt.ppm到约25wt.ppm的晶粒细化剂掺杂材料。晶粒细化剂掺杂材料可包含约5wt.ppm到约IOwt.ppm的Fe、约lwt.ppm到约5wt.ppm 的 B、约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Zr 和约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Ti。。掺杂4N铜线可进一步包含约4wt.ppm到约20wt.ppm的去氧剂掺杂材料。去氧剂渗杂材料可包含约lwt.ppm到约5wt.ppm Ca和Ce、约lwt.ppm到约5wt.ppm 的 Mg 和 La、约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 Al 和约 lwt.ppm 到约 5wt.ppm 的 P。掺杂4N铜线可进一步包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的B。掺杂4N铜线可进一步包含约I到约3wt.ppm的S。根据本发明的第二方面，提供一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其由以下组成:4N 铜；Ag、N1、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上，作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约IOwt.ppm与约80wt.ppm之间,和可能或可能不存在的另一种组分，所述另一种组分选自B和S中的一者或一者以上。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Ag。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Ni。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Au。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约IOwt.ppm到约80wt.ppm的Cr。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约 IOwt.ppm 到约 40wt.ppm 的 Ni。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约IOwt.ppm到约40wt.ppm的Ag和约 IOwt.ppm 到约 40wt.ppm 的 Cr。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag、约5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Pd。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约IOwt.ppm的Ag、约5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Pd。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约25wt.ppm的Ag、约5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 15wt.ppm 的 Pd。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约35wt.ppm的Ag、约5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Pd。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Ni。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Pd。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约20wt.ppm的B作为
另一种组分。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约I到约3wt.ppm的S作为另一种组分。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Ni 以及约 5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 B。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Pd 以及约 5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 B。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ni以及约5wt.ppm到约20wt.ppm的B和约I到约3wt.ppm的S。根据本发明的第二方面的掺杂4N铜线可含有约5wt.ppm到约30wt.ppm的Ag和约5wt.ppm到约30wt.ppm的Pd以及约5wt.ppm到约20wt.ppm的B和约I到约3wt.ppm的S。根据本发明的第三方面，提供一种用于接合电子装置的系统，其包含第一接合垫、第二接合垫和根据本发明的掺杂4N铜线，其中所述线借助于楔接合连接到两个接合垫。
从以下的书面描述中，仅仅通过实例，并结合图式，将更好地了解本发明的实施例并为所属领域的一般技术人员显而易见。图1显示说明根据一个示例实施例的4N掺杂Cu0.8mil线和4N软Cu0.8mil参考线的比较拉伸应力-拉伸应变数据。图2显示根据一个示例实施例的4N掺杂Cu线和4N软Cu参考线的比较极化扫描数据。图3(a)到(C)显示分别说明根据一个示例实施例的4N掺杂Cu0.8mil线的回路式接合、球形接合和针脚式接合的SEM图像。图4(a)到(b)分别显示根据一个示例实施例的4N掺杂Cu线的比较球形接合和针脚式接合工艺窗口数据。图5 (a)到(b)分别显示4N软Cu0.8mil参考线和根据一个示例实施例的4N掺杂Cu0.8mil线的比较热老化(也称为高温存储(HTS))数据。图6 (a)到(C)分别显示根据一个示例实施例的4N掺杂Cu0.8mil线和4N软Cu参考0.Smil线的比较回路高度数据(2.4mil回路高度比较的盒图)和低回路带的SEM图像。
具体实施例方式本文所述的示例实施例可以提供用于微电子封装工业中接合的掺杂4N Cu线。主要掺杂元素是 Ag、N1、Pd、Au、Pt、Cr、Ca、Ce、Mg、La、Al、P、Fe、B、Zr 和 Ti，使用高纯度Cu (>99.99%)。细线从掺杂Cu拉延。示例实施例中的线可接合到Al接合垫以及镀Ag、Cu、Au、Pd的表面。当接合到Al接合垫并存储在约175°C下约1000小时时，此线接合的HTS结果可以与市售4N软Cu参考线相比。掺杂线的耐腐蚀性有利地比4N软Cu参考线强。如所属领域的技术人员所了解，HAST或THB (温度湿度偏差)测试通常针对Cu线接合和环氧树脂模制的装置以及偏差或无偏差条件进行。在测试期间，Cu线接合界面(即焊接到Al接合垫的Cu线)进行基于电化学的电偶腐蚀。环氧树脂吸湿是羟基离子(0H_)扩散的来源。环氧树脂中百万分率含量的卤素(Cl、Br等)污染是Cl—离子的来源。针对根据本发明的示例实施例的线，在线于稀HCl酸中的电化学反应下记录的极化扫描展示显示出耐腐蚀性的正静止电位。因此，预计根据示例实施例的4N掺杂Cu线在例如HAST和THB等可靠性研究上性能较佳。掺杂4N Cu连续铸成棒。在示例实施例中，元素个别地加入或者组合到最大约80wt.ppm(百万分率按重量计)并且维持线的组成是4N。铸棒拉线成约10 μ m到250 μ m的细直径。示例实施例中的细线有利地显示出良好的无空气球(FAB)形成、可接合性、回路形成和可靠性(HTS)。对于在微电子封装领域中的接合，示例实施例中的掺杂线的硬度、拉伸强度、表面氧化、电阻率和熔断电流接近4N软Cu参考线，同时有利地展示更强的耐腐蚀性，并且柔软度不受损。在示例实施例中，4N到5N纯度的铜用以制备合金并在真空感应炉中熔化。将Ag、N1、Pd、Au、Pt、Cr、Ca、Ce、Mg、La、Al、P、Fe、B、Zr 和 Ti 中的至少一者或一者以上加入熔化物中，并保持约2到15分钟，以允许彻底熔解。元素个别地加入或组合加入。合金以低速连续铸成约2mm到25mm棒。未观察到掺杂剂加入量明显损失。这些棒在室温(约23-25°C )下冷拉线。碳化钨拉模用以最初拉延粗线，并且金刚石拉模用于进一步缩减成细线。线以约15m/s和低于15m/s的拉延速度分三个阶段拉延。拉模的粗线缩减比率是约14_18%，并且细线是约4到12%。在冷拉延期间，对线进行润滑并且在阶段之间中间退火，以减少残余应力。最后，拉线分股退火，缠绕在干净的阳极化(镀覆)铝线轴上，真空封装并存储。使用菲希尔范围(Fischer scope) H100C测试仪，利用维氏压头(Vickersindenter),施加15mN力，持续IOs停留时间，来测量硬度。线的拉伸性质使用英斯特朗(Instron)-5300测试。线使用库力索法(Kulicke&Soffa,K&S)爱肯(iConn)接合机接合。在LE0-1450VP扫描电子显微镜中观察接合的线。示例实施例中掺杂的元素和加入量范围提供于表I中。掺杂贵金属Ag、Au、Pd、Pt以及金属Ni和Cr，以提高Cu线的耐腐蚀性。在一些实施例中，Ca、Ce、Mg、La、Al、P作为去氧剂掺杂，以软化FAB。在一些实施例中，Fe、B、Zr、Ti作为晶粒细化剂掺杂，以影响FAB晶粒。在一些实施例中，加入硼，以影响线以及Ag和Ni的应变硬化。表1-掺杂4N Cu线的组成(wt.ppm)
权利要求
1.一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其包含Ag、N1、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约IOwt.ppm与约80wt.ppm之间。
2.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Ag。
3.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Ni。
4.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Au。
5.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Cr。
6.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约IOwt.ppm到约 40wt.ppm 的 Ag 和约 IOwt.ppm 到约 40wt.ppm 的 Ni。
7.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约IOwt.ppm到约 40wt.ppm 的 Ag 和约 IOwt.ppm 到约 40wt.ppm 的 Cr。
8.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约 3Owt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Pd。
9.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约 IOwt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Pd。
10.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约 25wt.ppm 的 Ag、 约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 15wt.ppm 的 Pd。
11.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约 35wt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Pd。
12.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约 30wt.ppm 的 Ag 和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Ni。
13.根据权利要求1所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料包含约5wt.ppm到约 30wt.ppm 的 Ag 和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Pd。
14.根据权利要求12所述的掺杂4N铜线,其进一步包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的B0
15.根据权利要求13所述的掺杂4N铜线,其进一步包含约5wt.ppm到约20wt.ppm的B0
16.根据权利要求1到15中任一权利要求所述的掺杂4N铜线，其进一步包含约Iwt.ppm 到约 3wt.ppm 的 S。
17.一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其由以下组成: 4N铜； Ag,Ni,Pd,Au,Pt和Cr的群组中的一者或一者以上，作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约IOwt.ppm与约80wt.ppm之间,和 可能或可能不存在的另一种组分，所述另一种组分选自B和S中的一者或一者以上。
18.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Ag。
19.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Ni。
20.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Au。
21.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约IOwt.ppm到约 80wt.ppm 的 Cr。
22.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约IOwt.ppm到约 40wt.ppm 的 Ag 和约 IOwt.ppm 到约 40wt.ppm 的 Ni。
23.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约IOwt.ppm到约 40wt.ppm 的 Ag 和约 IOwt.ppm 到约 40wt.ppm 的 Cr。
24.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约5wt.ppm到约 30wt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Pd。
25.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约5wt.ppm到约 IOwt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 IOwt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 IOwt.ppm 的 Pd。
26.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约5wt.ppm到约 25wt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 25wt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 15wt.ppm 的 Pd。
27.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约5wt.ppm到约 35wt.ppm 的 Ag、约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Ni 和约 5wt.ppm 到约 I Owt.ppm 的 Pd。
28.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约5wt.ppm到约 30wt.ppm 的 Ag 和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Ni。
29.根据权利要求17所述的掺杂4N铜线，其中所述耐腐蚀性掺杂材料是约5wt.ppm到约 30wt.ppm 的 Ag 和约 5wt.ppm 到约 30wt.ppm 的 Pd。
30.根据权利要求28或29所述的掺杂4N铜线，其中所述另一种组分存在并且是约5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 B。
31.根据权利要求17到27中任一权利要求所述的掺杂4N铜线，其中所述另一种组分存在并且是约I到约3wt.ppm的S。
32.根据权利要求28或29所述的掺杂4N铜线，其中所述另一种组分存在并且是约5wt.ppm 到约 20wt.ppm 的 B 和约 I 到约 3wt.ppm 的 S。
33.一种用于接合电子装置的系统，其包含第一接合垫、第二接合垫和根据权利要求1到32中任一权利要求所述的线，其中所述线借助于楔接合连接到两个接合垫。
全文摘要
一种用于微电子学中接合的掺杂4N铜线，其包含Ag、Ni、Pd、Au、Pt和Cr的群组中的一者或一者以上作为耐腐蚀性掺杂材料，其中所述耐腐蚀性掺杂材料的浓度在约10wt.ppm与约80wt.ppm之间。
文档编号H01B1/02GK103151091SQ201210511150
公开日2013年6月12日 申请日期2012年12月3日 优先权日2011年12月1日
发明者穆拉利·萨兰加帕尼, 杨平熹, 欧根·米尔克 申请人:贺利氏材料科技公司