1.一种电阻元件的制造方法，其特征在于，包括：
准备具有硅层的基板的工序，所述硅层具备n型或者p型的区域；
通过向所述区域掺杂杂质从而形成电阻区域的工序；
通过快速热退火、闪光灯退火以及准分子激光退火中的任意一种退火来对所述电阻区域进行热处理的工序；
通过使硅在所述电阻区域上外延生长从而形成覆盖层的工序。
2.如权利要求1所述的电阻元件的制造方法，其中，
在形成所述覆盖层的工序中，使用乙硅烷气体来实施所述外延生长。
3.如权利要求1或2所述的电阻元件的制造方法，其中，
在进行所述热处理的工序中，所述热处理后的所述电阻区域的厚度处于0.1μm以上且2.0μm以下的范围内。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电阻元件的制造方法，其中，
在形成所述覆盖层的工序中，所述覆盖层的厚度处于0.05μm以上且0.4μm以下的范围内。
5.一种压力传感器元件的制造方法，其特征在于，包括：
使用权利要求1至权利要求4中任一项所述的电阻元件的制造方法来形成电阻元件的工序；
通过对所述基板的一面侧进行蚀刻从而形成设置有所述电阻元件的隔膜部的工序。
6.一种压力传感器元件，其特征在于，
具有隔膜部，
所述隔膜部具备：
硅层；
电阻元件，其具有在所述硅层内含有载流子的电阻区域，并产生对应于形变的电信号；
所述电阻区域上的覆盖层，
所述电阻区域的厚度相对于所述隔膜部的厚度处于5％以上且30％以下的范围内，
所述隔膜部的所述覆盖层一侧的面和所述电阻区域的载流子浓度的峰值位置之间的距离相对于所述隔膜部的厚度处于2％以上且40％以下的范围内。
7.如权利要求6所述的压力传感器元件，其中，
具备被设置在所述覆盖层一侧的压力基准室。
8.如权利要求6或7所述的压力传感器元件，其中，
所述隔膜部的厚度处于0.5μm以上且15μm以下的范围内。
9.如权利要求6至8中任一项所述的压力传感器元件，其中，
所述电阻区域的厚度处于0.1μm以上且2.0μm以下的范围内。
10.如权利要求6至9中任一项所述的压力传感器元件，其中，
所述隔膜部的所述覆盖层一侧的面和所述电阻区域的载流子浓度的峰值位置之间的距离处于0.05μm以上且0.4μm以下的范围内。
11.如权利要求6至10中任一项所述的压力传感器元件，其中，
具备基板，所述基板具有所述隔膜部以及电路部。
12.一种压力传感器，其特征在于，
具备权利要求6至11中任一项所述的压力传感器元件。
13.一种高度计，其特征在于，
具备权利要求6至11中任一项所述的压力传感器元件。
14.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求6至11中任一项所述的压力传感器元件。
15.一种移动体，其特征在于，
具备权利要求6至11中任一项所述的压力传感器元件。