1.一种改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构，其特征在于，包括：在台阶侧壁依次设置的且高度递减的至少一个支撑层，使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度。
2.根据权利要求1所述结构，其特征在于，所述支撑层的顶部和外侧面形成连续的圆弧状。
3.根据权利要求1所述结构，其特征在于，支撑层的高度呈等差递减；最高的支撑层的高度与最低的支撑层的高度的比为(2～4):1。
4.根据权利要求1所述结构，其特征在于，相邻的支撑层中，靠近台阶侧壁的一个支撑层的材料和与之相邻的远离台阶侧壁的一个支撑层的材料的刻蚀选择比小于1。
5.根据权利要求4所述结构，其特征在于，台阶的材料为Si、SiGe或VOx，支撑层具有三个，从台阶侧壁向外依次为第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层；所述第一支撑层的材料为SiN，所述第二支撑层的材料为SiON，所述第三支撑层的材料为SiO2。
6.一种权利要求1～5任意一项所述的改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构的制备方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一衬底；衬底表面具有台阶；
步骤02：在衬底表面沉积至少一层薄膜，并在每次沉积一层薄膜之后，对该层薄膜进行刻蚀，去除位于台阶顶部的该层薄膜，并且保留位于台阶侧壁的该层薄膜，从而形成至少一个支撑层，而且，每次对薄膜的刻蚀速率递增，从而使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，除了第一次刻蚀之外，以后的每一次对薄膜的刻蚀都具有一个过刻蚀过程，使得每一次刻蚀之后的台阶侧壁的支撑层顶部递减。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，每一次过刻蚀时刻蚀掉的台阶侧壁的薄膜的高度相同。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤02中对薄膜的刻蚀采用等离子体各向异性干法刻蚀工艺。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，还包括：在台阶表面和侧壁形成一层刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层与支撑层的刻蚀比小于1；步骤02中，在最后一个支撑层形成之后还包括：去除台阶表面的刻蚀阻挡层。