技术总结
本发明提供了一种改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构及方法，该结构包括：在台阶侧壁依次设置的且高度递减的至少一个支撑层，使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度，从而使得后续沉积的薄膜在台阶侧壁处也呈缓变递减的坡度，台阶侧壁的薄膜的厚度与台阶表面的薄膜的厚度较为一致，那么在后续刻蚀台阶侧壁的薄膜时，可以有效避免现有的由于侧壁薄膜较厚而且横向刻蚀速率较低，导致台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的问题。
技术研发人员：康晓旭;李铭;周炜捷
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
文档号码：201611245039
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.05.10