技术总结
本发明公开了一种新型表压传感器及其制作方法，通过在硅基片之上层叠设置膜岛结构，而膜岛结构包括弹性硅膜和设置于弹性硅膜之上的岛区，因此岛区会处于硅片主体的表面，从而免去了传统的设置于硅基片背面的大背岛结构，使得岛区不再受到硅基片的厚度限制，从而能够提高产出率和降低成本；此外，由于新型表压传感器并不具有传统的大背岛结构，不仅能克服大背岛的自重效应而提高稳定性，并且还能避免出现大背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题。
技术研发人员：沈绍群;罗小勇;阮炳权
受保护的技术使用者：广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司
技术研发日：2018.03.28
技术公布日：2018.09.18