本发明属于mems芯片加工技术领域，更具体地说，尤其涉及一种芯片双面切割工艺。
背景技术：
mems芯片通常采用两种材质键合，其切割方式有两种：
1.从mems芯片的同一面一刀切穿。
2.在mems芯片的同一面，使用不同刀切两刀。
一刀切穿，在两种材质相差较大，比如硅和玻璃，切穿造成断刀或者崩边。不同切割刀切两刀，玻璃刀较宽，硅片刀比较薄，硅切好后，切割玻璃的刀仍旧会切割硅，造成断刀或产品崩裂报废。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种芯片双面切割工艺。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种芯片双面切割工艺，包括如下步骤：
s1、在mems芯片的背面粘贴蓝膜；
s2、设定切割深度为mems芯片正面材质的厚度，采用切割机对mems芯片的正面进行半切，并将mems芯片的正面材质边缘切穿，便于反切时定位；
s3、将mems芯片背面的蓝膜去除，再在mems芯片的正面贴uv膜进行保护；
s4、采用切割机对mems芯片的背面进行切割，通过步骤s2中mems芯片的正面材质边缘切穿的边进行定位；
s5、mems芯片背面切割后解uv，背面贴膜，去除正面uv膜。
优选的，所述步骤s1中的蓝膜为蓝色pvc膜。
优选的，所述步骤s1中使用丙烯酸作为粘着剂，将裁剪好的蓝膜粘附在mems芯片的背面。
优选的，所述步骤s1中mems芯片的背面粘贴蓝膜前需要对mems芯片进行超声清洗，去除mems芯片表面的粉尘颗粒后。
优选的，所述步骤s2和步骤s4中切割机为日本disco切割机。
优选的，所述步骤s5中解uv是通过高能紫外线光速将蓝膜加热到90℃-100℃度，蓝膜会自动卷起，易脱落。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种芯片双面切割工艺，与传统技术相比，该方法设定切割深度为mems芯片正面材质的厚度，采用切割机对mems芯片的正面进行半切，并将mems芯片的正面材质边缘切穿，采用切割机对mems芯片的背面进行切割，通过步骤s2中mems芯片的正面材质边缘切穿的边进行定位，便于反切时定位，解决两种材质键合mems芯片的切割质量问题；
mems芯片双面切割工艺，有效防止两种材质键合mems芯片切割时断刀或产品崩裂报废，减少刀片损耗，降低成本。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种芯片双面切割工艺，包括如下步骤：
s1、在mems芯片的背面粘贴蓝膜；
s2、设定切割深度为mems芯片正面材质的厚度，采用切割机对mems芯片的正面进行半切，并将mems芯片的正面材质边缘切穿，便于反切时定位；
s3、将mems芯片背面的蓝膜去除，再在mems芯片的正面贴uv膜进行保护；
s4、采用切割机对mems芯片的背面进行切割，通过步骤s2中mems芯片的正面材质边缘切穿的边进行定位；
s5、mems芯片背面切割后解uv，背面贴膜，去除正面uv膜。
具体的，所述步骤s1中的蓝膜为蓝色pvc膜。
具体的，所述步骤s1中使用丙烯酸作为粘着剂，将裁剪好的蓝膜粘附在mems芯片的背面。
具体的，所述步骤s1中mems芯片的背面粘贴蓝膜前需要对mems芯片进行超声清洗，去除mems芯片表面的粉尘颗粒后。
具体的，所述步骤s2和步骤s4中切割机为日本disco切割机。
具体的，所述步骤s5中解uv是通过高能紫外线光速将蓝膜加热到90℃-100℃度，蓝膜会自动卷起，易脱落。
mems芯片通常采用两种材质键合，其切割方式有两种：
1.从mems芯片的同一面一刀切穿。
2.在mems芯片的同一面，使用不同刀切两刀。
一刀切穿，在两种材质相差较大，比如硅和玻璃，切穿造成断刀或者崩边。不同切割刀切两刀，玻璃刀较宽，硅片刀比较薄，硅切好后，切割玻璃的刀仍旧会切割硅，造成断刀或产品崩裂报废。
综上所述：本发明提供的一种芯片双面切割工艺，与传统技术相比，该方法设定切割深度为mems芯片正面材质的厚度，采用切割机对mems芯片的正面进行半切，并将mems芯片的正面材质边缘切穿，采用切割机对mems芯片的背面进行切割，通过步骤s2中mems芯片的正面材质边缘切穿的边进行定位，便于反切时定位，解决两种材质键合mems芯片的切割质量问题；
mems芯片双面切割工艺，有效防止两种材质键合mems芯片切割时断刀或产品崩裂报废，减少刀片损耗，降低成本。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。