专利名称：平面光波导分路器芯片切割工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片切割工艺，尤其涉及一种平面光波导分路器芯片切割工艺。
背景技术：
随着网络技术的发展，网络的应用也不断升级，从而对对布线系统的带宽不断提出更高的要求。系统供应商和最终用户在规划和设计网络布线系统时越来越多的使用光纤布线产品。光纤布线产品已经不再局限应用于主干布线系统，还逐渐进入光纤到户(FTTH)、光纤到桌面(FTTD)等应用领域。在国内光纤接入已成为光通信领域中的热点，光分配网ODN是光接入网的关键部分，是由光分路器、光纤光缆和光配线产品等组成，其中光分路器是ODN中的核心器件，光分路器中关键部份就是来自平面光波导分路器芯片，而芯片的控制点是芯片的切割。
现有技术芯片制作工艺复杂，在晶圆切割前需要上下片辅助完成，因此切割前，需要把晶圆上在玻璃片上，起到载片作用，晶圆、盖板切割需要更换相应的刀片进行切割，切割完成后还需要将上、下片从玻璃片上取下，非常繁琐，并且技术门槛较高，在实际操作中易报废，难以控制产品崩口、切割线切斜问题，对平面光波导分路器的制作造成产能及合格率低。发明内容
针对上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种平面光波导分路器芯片切割工艺，步骤简单，解决了芯片切割工艺对产品造成产品崩口、切割线切斜问题，从而提高了产品良率和产能，具有很好的实用性。
本发明的技术方案是:一种平面光波导分路器芯片切割工艺，其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR切割、研磨和CHIP切割，下料后将晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在UV膜上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切割，切割完成后顺序进行BAR切割、研磨和CHIP切割。
将晶圆与盖板和UV膜粘结的具体步骤为:将晶圆按波导方向向上平放，把胶水均匀的点涂在晶圆顶面上，再 把晶圆盖板轻放在上面，把压块放置在盖板上面，使晶圆顶面与盖板粘接好，再把晶圆底面置于UV膜上，进行UV照射和烘烤，使晶圆底面与UV膜粘结好。
进一步的，UV照射完成后进行80 V烘烤2小时，60 V烘烤I小时。
进一步的，在晶圆与盖板和UV膜粘结之前先将晶圆和切割工具清洗洁净。
进一步的，晶圆、盖板和UV膜的整体切割完成后放到UV箱里UV90-120秒，取出后可以直接进行BAR切割。
进一步的，晶圆、盖板和UV膜的整体切割和BAR切割采用日本DISC03350切割机。
进一步的，切好的BAR进行研磨，研磨机采用自动修面机，研磨分粗磨、细磨和抛光，研磨后进行角度测试，然后进行CHIP切割。
进一步的，CHIP切割采用以色列ADT7100切割机，切完的产品在金像显微镜下检查外观，外观合格产品进行光功能测试，对光功能检测合格的产品进行最终的外观检验。
本发明的有益效果是:本发明切割晶圆和盖板时不用上在玻璃片上，直接粘在UV膜上进行切割，切完后也不存在下晶圆，切完晶圆和盖板后可以直接进行BAR切割不用粘片，步骤简单，技术门槛低，提高了工作效率，降低了废品率。加工出的产品体积小、重量轻、集成度高，机械性能以及环境稳定性好。耦合分光比容易精确控制，损耗对传输光波长不敏感，可以满足不同波长的传输需要。本切割工艺采用不同切割机的搭配结合从而控制产品切割崩口、切斜的问题此技术，有利于提高平面光波导分路器芯片切割工艺的制作。解决了芯片切割工艺对产品造成产品崩口、切割线切斜问题，从而提高了产品良率和产能，具有很好的实用性。
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
作为本发明的一种实施方式，如图1所示，一种平面光波导分路器芯片切割工艺，其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR切割、研磨和CHIP切割，下料后将晶圆和切割工具清洗洁净，将晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在UV膜上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切害I]，切割完成后顺序进行BAR切割、研磨和CHIP切割。所述下料是指将晶棒切割成为片状晶圆，BAR切割是切除边角。CHIP切割是研磨后根据需要切割成单粒的芯片。
本实施例中，将晶圆与盖板和UV膜粘结的具体步骤为:将清洗好的晶圆按波导方向向上平放，把胶水均匀的点涂在晶圆顶面上(6寸/lg)，作为优选，所述胶水采用日本大金。将胶水中的气泡用牙签棒挑出，再把晶圆盖板轻放在上面，把压块放置在盖板上面，使晶圆顶面与盖板粘接好，再把晶圆底面置于UV膜上，进行UV照射，在UV照射完成后进行80°C烘烤2小时，60°C烘烤I小时，使晶圆底面与UV膜粘结好。作为优选，所述UV膜采用进口 UV膜，本实施例中是采用琳得科的Adwill D-210 UV膜，可以减少刀片炸刀频率、控制产品崩口。
本实施例中，晶圆、盖板和UV膜的整体切割完成后放到UV箱里UV90-120秒，取出后可以直接进行BAR切割。切好的BAR进行研磨，达到8度面的控制，研磨机采用自动修面机，研磨分粗磨、细磨和抛光，研磨后进行角度测试，然后进行CHIP切割。
本实施例中，晶圆、盖板和UV膜的整体切割和BAR切割采用日本DISC03350切割机。CHIP切割采用以色列ADT7100切割机，CHIP切割需要不断磨刀，ADT7100切割机自带自动磨刀台，切割数多，采用此方`式切割可以减少产品崩口。切斜问题，提高生产效率。切完的产品在金像显微镜下检查外观，外观合格产品进行光功能测试，具体为四波长(1310、1550、1270、1625)测试系统测试。对光功能检测合格的产品进行最终的外观检验。要求PLC正面(8度面边上):大于500微米允许。PLC其它区域:大于800微米不允许。
以上对本发明所提供的一种平面光波导分路器芯片切割工艺进行了详尽介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的工艺及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。对本发明的变更和改进将是可能的，而不会超出附加权利要求可规定的构思和犯围 O
权利要求
1.一种平面光波导分路器芯片切割工艺，其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR切害I]、研磨和CHIP切割，其特征在于:下料后将晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在UV膜上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切割，切割完成后顺序进行BAR切割、研磨和CHIP切割。
2.根据权利要求1所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:将晶圆与盖板和UV膜粘结的具体步骤为:将晶圆按波导方向向上平放，把胶水均匀的点涂在晶圆顶面上，再把晶圆盖板轻放在上面，把压块放置在盖板上面，使晶圆顶面与盖板粘接好，再把晶圆底面置于UV膜上，进行UV照射和烘烤，使晶圆底面与UV膜粘结好。
3.根据权利要求2所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:UV照射完成后进行80°C烘烤2小时，60°C烘烤I小时。
4.根据权利要求3所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:在晶圆与盖板和UV膜粘结之前先将晶圆和切割工具清洗洁净。
5.根据权利要求4所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:晶圆、盖板和UV膜的整体切割完成后放到UV箱里UV90-120秒，取出后可以直接进行BAR切割。
6.根据权利要求5所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:晶圆、盖板和UV膜的整体切割和BAR切割采用日本DISC03350切割机。
7.根据权利要求6所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:切好的BAR进行研磨，研磨机采用自动修面机，研磨分粗磨、细磨和抛光，研磨后进行角度测试，然后进行CHIP切割。
8.根据权利要求7所述的平面光波导分路器芯片切割工艺，其特征在于:CHIP切割采用以色列ADT7100切割机，切完的产品在金像显微镜下检查外观，外观合格产品进行光功能测试，对光功能检测 合格的产品进行最终的外观检验。
全文摘要
本发明公开了一种平面光波导分路器芯片切割工艺，涉及一种芯片切割工艺，其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR切割、研磨和CHIP切割，下料后将晶圆顶面与盖板粘结，底面粘在UV膜上，然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切割，切割完成后顺序进行BAR切割、研磨和CHIP切割。本发明步骤简单，解决了芯片切割工艺对产品造成产品崩口、切割线切斜问题，从而提高了产品良率和产能，具有很好的实用性。
文档编号G02B6/25GK103235364SQ20131015556
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月28日 优先权日2013年4月28日
发明者李俊画, 马剑 申请人:四川天邑康和通信股份有限公司