基于平面光波导分路器芯片的制作方法

文档序号:2797143阅读:243来源:国知局
专利名称:基于平面光波导分路器芯片的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种光通信的应用领域,特别是一种基于平面光波导分路器芯 片。
背景技术
芯片是光分路器的核心部件,传统的拉锥式光纤分路器(Fused FiberSplitter) 芯片由衬底、芯层和上包层组成,它主要存有以下缺点(1)损耗对光波长敏感,一般要根据波长选用器件,这在三网合一的使用过程中是 致命缺陷,因为三网合一传输的光信号有1310nm、1490nm和1550nm等多种光波长信号;(2)均勻性较差,1 X4标称最大相差1. 5dB左右,1X8以上相差更大,不能确保均 勻分光,影响整体传输距离;(3)插入损耗随温度变化变化量大(TDL);(4)多路分路器体积比较大,可靠性也会降低,安装空间受到限制。
发明内容本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种制造工艺简单、容易实 现大规模批量生产的基于平面光波导分路器芯片。为了达到上述目的,本实用新型所设计的一种基于平面光波导分路器芯片,它包 括衬底层、芯层和上包层,其特征是在衬底层的上方设有下包层,下包层的上面是芯层,芯 层的上端是上包层。为了减少在加工和制造中的难度,以及保证光信号在传输过程中不会由单模 传输变成多模传输,保证了光信号的传输质量,在芯层上设有光波导,所述的光波导为 8μπιΧ8μπι的方形光波导。为了实现光通信网络的需要,把输入端,即光信号射入数量为自然数,把输出端, 即光信号由输入端经过分路后得到的光信号数量为大于1的自然数。为了更好的把芯片的尺寸降到最低,同时降低生产工艺的难度,输出端的光波导, 小于或等于8路的光波导间距离为250 μ m ;大于或等于8路的光波导间距离为127 μ m。本实用新型提供的一种基于平面光波导分路器芯片,具备低的插入损耗、高的插 入损耗波长均一性和低的偏振相关损耗,制造工艺简单、容易实现大规模批量生产,同时具 备以下优点(1)体积小、重量轻、集成度高;(2)机械性能以及环境稳定性好;(3)耦合分光比容易精确控制;(4)损耗对传输光波长不敏感,可以满足不同波长的传输需要;(5)成本低,分路数越多,成本优势越明显。

图1是本实用新型实施例沉积结构图;图2是本实用新型实施例输出端波导结构内部图;图3是本实用新型实施例一路输入八路输出芯片结构图。其中衬底层1、下包层2、芯层3、上包层4、上方5、上面6、上端7、光波导8、光波 导间距离9。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。实施例1 如图1、图2、图3所示,本实施例提供的一种基于平面光波导分路器芯片,它包括 衬底层1、芯层3和上包层4,其特征是在衬底层1的上方5设有下包层2,下包层2的上面 6是芯层3,芯层3的上端7是上包层4。为了减少在加工和制造中的难度,以及保证光信号在传输过程中不会由单模传 输变成多模传输,保证了光信号的传输质量,在芯层3上设有光波导8,所述的光波导8为 8μπιΧ8μπι的方形光波导。为了实现光通信网络的需要,把输入端,即光信号射入数量设为一路,把输出端, 即光信号由输入端经过分路后得到的光信号数量设为八路。为了更好的把芯片的尺寸降到最低,同时降低生产工艺的难度,输出的光波导间 距离9为127 μ m。
权利要求1.一种基于平面光波导分路器芯片,它包括衬底层(1)、芯层(3)和上包层,其特 征是在衬底层(1)的上方( 设有下包层0),下包层( 的上面(6)是芯层(3),芯层(3) 的上端(7)是上包层⑷。
2.根据权利要求1所述的基于平面光波导分路器芯片,其特征是在芯层(3)上设有光 波导⑶,所述的光波导⑶为8μπιΧ8μπι方形光波导,输入端的输入数量为自然数,输出 端的输出光信号数量为大于1的自然数。
3.根据权利要求2所述的基于平面光波导分路器芯片,其特征是所述的输出端的光波 导(8),小于或等于8路的光波导间距离(9)为250 μ m;大于或等于8路的光波导间距离 (9)为 127 μ m。
专利摘要本实用新型公开了一种基于平面光波导分路器芯片,它包括衬底层、芯层和上包层,其特征是在衬底层的上方设有下包层,下包层的上面是芯层,芯层的上端是上包层。这种基于平面光波导分路器芯片,成本低、制造工艺简单、容易实现大规模批量生产。
文档编号G02B6/125GK201892760SQ20102061526
公开日2011年7月6日 申请日期2010年11月19日 优先权日2010年11月19日
发明者刘勇, 尹爽, 符建 申请人:杭州天野通信设备有限公司
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