带保护膜形成层的切割片和芯片的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及能够在巧片背面形成保护膜，并且能够提高巧片制造效率的带保护膜 形成层的切割片（dicing sheet)。另外，本发明还设及使用带保护膜形成层的切割片的巧 片的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，在进行半导体装置的制造中，使用所谓的称为倒装（face down)方式的安 装方法。在倒装方式中，使用电路面上具有凸块等电极的半导体巧片下也简称为"巧 片"），该电极与基板接合。因此，巧片的与电路面相反侧的面（巧片背面）会露出。
[0003] 该露出的巧片背面会被有机膜保护。W往，具有由该有机膜制成的保护膜的巧片， 是通过将液状树脂用旋涂法涂布在晶片（wafer)背面，干燥、固化，再将保护膜与晶片一起 裁切而得到。但是，该方法会导致工序数增加，制造成本上升。另外，由此形成的保护膜的 厚度精度不足，产品的成品率会下降。
[0004] 为了解决上述问题，专利文献1(日本特开2009-138026号公报）公开了一种巧片 保护用薄膜，其具有剥离片、W及形成于该剥离片上的由能量线固化性成分和粘合剂聚合 物成分形成的保护膜形成层。
[0005] 在半导体巧片不断薄型化、高密度化的现在，要求即使暴露在严酷的温度条件下， 安装了带保护膜的巧片的半导体装置也具有更高的可靠性。
[0006] 根据本发明人等的研究，专利文献1记载的巧片用保护薄膜在将保护膜形成层固 化时会收缩，有可能发生半导体晶片翅曲的问题。特别是，上述问题在极薄的半导体晶片中 更为显著。如果半导体晶片翅曲，则可能会使晶片破损、保护膜上的标记（印字）精度降低。
[0007] 为了解决上述问题，本申请人在专利文献2(日本特开2006-140348号公报）中 公开了一种保护膜形成兼切割用片材（父^シシク用シ一 h )，其由上表面具有"由保护膜 形成层构成的大致圆形的区域"和"包围上述区域的由再剥离胶粘剂（再剥離粘着剤）构 成的环状区域"的片材制成。如果在该保护膜形成兼切割用片材的保护膜形成层上载置半 导体晶片，并在用环形框架（ring化ame)固定片材周边部的状态下进行激光打标（laser marking),则能够保持晶片的翅曲被矫正的状态，因此印字精度提高。另外，该片材也兼作 切割片，因此无需另外准备切割片，生产性也显著提高。在该专利文献2中，在保护膜形成 兼切割用片材上固定晶片，在晶片被固定的状态下对保护膜形成层进行加热固化，在晶片 上形成保护膜。
[000引现有技术文献 专利文献 专利文献1 ;日本特开2009-138026号公报 专利文献2 ;日本特开2006-140348号公报。
【发明内容】
[0009] 发明要解决的问题 然而，上述构成的保护膜形成兼切割用片材，在保护膜形成层与片材未介由胶粘剂而 叠层的构成中，会担屯、因保护膜与片材的密合性降低而造成在切割的时候巧片脱落。另一 方面，在保护膜形成层与片材介由胶粘剂而叠层的构成中，两层的粘接强度增大，在将晶片 切割成各个片后，有可能无法将保护膜与胶粘剂层的界面剥离开。另外，即使能剥离开，胶 粘剂残渣也会附着在巧片上，在之后的工序中，有可能发生例如巧片经由胶粘剂残渣附着 在巧片托盘（chip tray)上等不良现象。
[0010] 本发明是鉴于上述情况而完成的。目P，本发明的目的在于提供一种带保护膜形成 层的切割片，其能够简便地制造具有均匀性高、印字精度优异的保护膜的半导体巧片，能够 容易地进行保护膜与切割片之间的剥离，并且切割时巧片的固定能力优异。
[0011] 用于解决问题的方案 本发明包括W下要点：
[1] 一种带保护膜形成层的切割片，其中，在包含胶粘成分和游离的含环氧基的化合 物的胶粘剂层叠层于基材膜上而形成的胶粘片的胶粘剂层上，可剥离地设置有保护膜形成 层。
[001引 凹根据山所述的带保护膜形成层的切割片，其中，胶粘剂层的环氧指数（工术 丰シ指数）为0. 05eq/kg W上。
[001引 閒根据山或凹所述的带保护膜形成层的切割片，其中，胶粘成分为能量线 (工本瓜半一線）固化性。
[0014] [4]根据[1]或[2]所述的带保护膜形成层的切割片，其中，胶粘成分含有由能量 线照射可交联的化合物的交联物。
[001引 閒根据山至M中任一项所述的带保护膜形成层的切割片，其中，保护膜形成 层含有粘合剂聚合物成分和固化性成分。
[0016] [6]根据閒所述的带保护膜形成层的切割片，其中，固化性成分为环氧类热固性 成分。
[0017] [7]根据[1]至[6]中任一项所述的带保护膜形成层的切割片，其中，保护膜形成 层含有着色剂。
[001引 閒一种带保护膜的巧片的制造方法，其中，将上述山至[7]中任一项所述的带 保护膜形成层的切割片的保护膜形成层粘贴在工件（7 -夕）上，按照（1)、（2)、（3)的顺 序，（2)、（1)、（3)的顺序，或者（2)、（3)、（1)的顺序进行W下工序（1)?做： 工序（1);将保护膜形成层固化得到保护膜的工序、 工序（2);将工件W及保护膜形成层或保护膜切割的工序、 工序（3);将保护膜形成层或保护膜和胶粘片剥离的工序。
[0019] [9]根据权利要求8所述的巧片的制造方法，其中，在上述工序（1)之后的任意工 序中，进行下列工序（4); 工序（4);对保护膜进行激光印字的工序。
[0020] 发明的效果 在半导体巧片背面形成保护膜时，通过使用本发明设及的带保护膜形成层的切割片， 能够容易地进行保护膜形成层或保护膜与胶粘片之间的剥离，并且切割时巧片的移动被抑 审IJ，从而能够简便地在半导体巧片背面形成均匀性高、印字精度优异的保护膜。
【附图说明】
[0021] 图1表示本发明设及的带保护膜形成层的切割片的剖视图； 图2表示本发明设及的其它实施方式的带保护膜形成层的切割片的剖视图。
【具体实施方式】
[0022] W下，对于本发明，也包括其最佳实施方式在内进一步进行具体说明。如图1所 示，本发明设及的带保护膜形成层的切割片10在由基材膜1和胶粘剂层2形成的胶粘片3 的胶粘剂层2上具有保护膜形成层4。在优选的实施方式中，保护膜形成层4在胶粘片3的 内周部（内周部）W与所粘贴的工件（半导体晶片等）大致相同的形状形成。在优选的实 施方式中，胶粘剂层2在胶粘片3的外周部露出。在优选的实施方式中，直径小于胶粘片3 的保护膜形成层4 W同屯、圆状叠层在圆形的胶粘片3的胶粘剂层2上。如图所示，露出的 外周部的胶粘剂层用于环形框架5的固定。带保护膜形成层的切割片10可为长条带状、单 叶标签状（単葉等所有形状。
[002引（基材膜1) 在将保护膜形成层4从胶粘片3剥离后进行保护膜形成层4的热固化的情况下， 作为基材膜1没有特别限制，例如可使用包括低密度聚己締（LDPE)、直链低密度聚己締 (LLD阳），己締-丙締共聚物、聚丙締、聚了締、聚了二締、聚甲基戊締、己締-己酸己締基醋 共聚物、己締-(甲基）丙締酸共聚物、己締-(甲基）丙締酸甲醋共聚物、己締-(甲基）丙 締酸己醋共聚物、聚氯己締、氯己締-己酸己締基醋共聚物、聚氨醋薄膜、离聚物等的薄膜 等。应予说明，在本说明书中甲基）丙締基"是W包括丙締基（六夕y )和甲基丙締 基（^《六夕y瓜）二者在内的含义使用。
[0024] 另外，在W保护膜形成层4叠层于胶粘片3上的状态进行保护膜形成层的热固化 的情况下，考虑到胶粘片3的耐久性，优选基材膜1为具有耐热性的薄膜，例如可列举出聚 对苯二甲酸己二醇醋、聚对苯二甲酸了二醇醋、聚蒙二甲酸己二醇醋等聚醋薄膜、聚丙締、 聚甲基戊締等聚締姪薄膜等。其中，聚丙締薄膜具有耐热性且较柔软，因此扩展（工丰乂八 シF )适应性或拾取（eッ夕六ッ文）适应性也良好，特别优选使用。另外，也可W使用该 些交联膜或通过福射/放电等形成的改性薄膜。基材膜也可W是上述薄膜的叠层体。
[0025] 另外，该些合成树脂薄膜可W将两种W上叠层或组合使用。并且，也可W将该些薄 膜着色或实施印刷等后使用。而且，薄膜可W是通过挤压成形对热塑性树脂进行片材化而 成的薄膜，也可W是拉伸而成的薄膜，还可W使用通过特定手段将固化性树脂薄膜化、固化 且片材化而成的薄膜。
[0026] 基材膜的厚度没有特别限制，优选为30?300 y m、更优选为50?200 y m。通过使基 材膜的厚度在上述范围内，即使切割时切入基材膜也不易发生断裂。另外，由于对带保护膜 形成层的切割片赋予了充分的提性，因此对工件（例如半导体晶片等）显示出良好的粘贴 性。
[0027] (胶粘剂层。 本发明的胶粘剂层2由含环氧基的化合物、胶粘成分W及根据需要添加的其它添加剂 构成。
[002引 < 含环氧基的化合物〉 本发明的带保护膜形成层的切割片10中的胶粘剂层2的特征在于，具有含环氧基的化 合物。在胶粘剂层2中，含环氧基的化合物W游离状态存在，一部分含环氧基的化合物在胶 粘剂层2与保护膜形成层4的界面成为油膜状，起到脱模剂的作用。也就是说，由于在胶粘 剂层2与保护膜形成层4的界面存在含环氧基的化合物，所W能够防止胶粘剂层2和保护 膜形成层4过度密合，在所需工序后，将从胶粘片3剥离保护膜形成层4 (或保护膜）时的剥 离力控制在适当范围内，并降低伴有保护膜形成层4(或保护膜）的巧片的拾取力。W下， 尤其是在对使用方式进行说明时，有时将保护膜形成层及其固化物即保护膜统称并仅记载 为"保护膜形成层"。
[0029] 作为本发明所使用的含环氧基的化合物，可列举出分子内具有至少一个环氧基 的化合物，例如可列举出双酪A型、双酪F型、双酪S型、联苯型、苯酪酪醒清漆（phenol novolak)型、甲酪酪醒清漆（cresol novolak)型环氧树脂等。
[0030] 含环氧基的化合物的分子量优选为较低的分子量100?10000、300?2000、更优选为 350?1000。如果分子量在该范围内，则容易获得W下效果；粘贴后保护膜形成层4与胶粘剂 层2的界面中所存在的含环氧基的化合物容易转印（転写）为保护膜形成层4,伴有保护膜 形成层4的巧片的拾取力降低并抑制巧片上产生胶粘剂残渣，防止在之后的工序中发生对 巧片托盘附着等不良现象。
[0031] 含环氧基的化合物的配合比例的适宜范围根据含环氧基的