带保护膜形成层的切割片和芯片的制造方法_6

文档序号:8227652阅读:来源:国知局
进行130°C、2小时 的热固化。按照JIS Z 0237: 2009 W 180°将胶粘片从固化后的保护膜剥离,对粘附力进 行测定。应予说明,对设想上述工序"(2)、(3)、(1)"的顺序的工序的情况也加W考虑,在不 进行上述保护膜形成层的热固化工序的情况下也进行粘附力测定。
[0124] <拾取适应性〉 将带保护膜形成层的切割片的保护膜形成层一边加热至7〇°C-边粘贴在厚350 ym、 直径6英寸、进行了 #2000研磨的娃晶片的研磨面上。然后,将粘贴了带保护膜形成层的切 割片的晶片投入130°C的加热炉中2小时,使保护膜形成层固化。接着,使用切割机(尹^ 乂 3株式会社制,D抑651),W 40mm/秒的银片速度在基材膜上W 15 ym的深度切入切槽地 将晶片切割成3mmX3mm尺寸的巧片。此时,目视观察巧片飞散的有无。接着,使用键合装 置(die bonder)(丰卡yシ7シ十y -社制,Bestem-D02)进行50个巧片的拾取,考察可 拾取的个数。应予说明,设想上述工序"(2)、(3)、(1)"的顺序的工序,在未进行上述保护膜 形成层的热固化工序的情况下也进行拾取试验。
[01巧] <对巧片托盘的附着性〉 将已拾取的巧片放入塑料托盘中放置1天后,将托盘倒置确认巧片是否附着在托盘 上。
[0126] <环氧指数〉 另外,在实施例和比较例中,胶粘剂的"环氧指数"的测定按照JIS K7236采用指示剂 滴定法进行。作为试样,将切割带的制造过程中W未叠层在基材上的状态取得的胶粘剂在 室温下蚀刻一周后供于测定。将测定用的胶粘剂约I.og投入索格利特提取器(yッ夕乂 k -)中,利用在水浴(シパク社制,SB-6)中加热至沸点W上的己酸己醋溶剂的回流进行 提取,得到溶胶成分。挥发己酸己醋溶剂,W使用约50ml氯仿溶解上述溶胶成分的状态进 行环氧指数的滴定。应予说明,表1中的环氧指数为每1kg提取前的胶粘剂重量的换算值。
[0127] <保护膜形成层用组合物〉 构成保护膜形成层的各成分和配合量如下所示(各成分/配合量), (A)粘合剂聚合物成分;由丙締酸正了醋55质量份、甲基丙締酸甲醋10质量份、甲基 丙締酸缩水甘油醋20质量份、W及丙締酸2-哲己醋15质量份组成的丙締酸聚合物(重均 分子量;90万,玻璃化转变温度;-28°C )/100质量份 炬)固化性成分 炬1)将双酪A型环氧树脂(环氧当量180?200) 50质量份、双环戊二締型环氧树脂(大 日本^シ丰化学工业(株)制EPI化ON HP-7200HH)50质量份组合而成的环氧类化合物/ (共计100质量份) 炬2)热活性潜在性环氧树脂固化剂 双氯胺(旭电化制、7尹力/、一 F十一 3636AS) ;2. 8重量份 (C)着色剂:炭黑10.0质量份 值)固化促进剂;2-苯基-4, 5-二哲甲基咪挫(四国化成工业社制,丰工六^一瓜 2P监)2. 8重量份 巧)娃烧偶联剂;A-1110(日本工二力一制)/1重量 (巧二氧化娃填充剂:烙融石英填充剂(平均粒径8 ym)/300重量份。
[0128] < 基材〉 厚度100 y m的聚丙締薄膜CT265 (=菱树脂株式会社制)。
[0129] <胶粘剂〉 (胶粘剂A1) 向(甲基)丙締酸醋聚合物(丙締酸2-己基己醋/己酸己締基醋/丙締酸哲己醋= 45/40/5 (质量比)、重均分子量=约50万)与甲基丙締酷氧己基异氯酸醋80%当量(相对 于丙締酸聚合物100质量份为16质量份)反应所得的能量线交联性聚合物100质量份中, 配合光聚合引发剂(于八.乂 乂シ卡yテ^个S力瓜义社制,IRGACURE (注册商标)184) 3. 5 质量份、含环氧基的化合物(大日本^シ丰化学工业(株)制,商品名EPI化〇N(注册商 标化XA-4850-150,分子量约 900) 10 质量份、W及异氯酸醋化合物(东洋^シ丰制造社制, B服-8515) 1. 07质量份(全部由固体成分换算的配合比),形成胶粘剂组合物。
[0130] (胶粘剂 A2) 除了使含环氧基的化合物的配合量为20质量份W外,采用与胶粘剂A1相同的方式形 成胶粘剂组合物。
[0131] (胶粘剂 A3) 在胶粘剂A1中,除了将能量线交联性聚合物替换为下列能量线交联性聚合物、光聚合 引发剂(子八?ス乂シ卡yテ^个S力瓜义社制、IRGACURE(注册商标)184)的配合量为 3. 25质量份W外,采用与胶粘剂A1相同的方式得到胶粘剂组合物, 使(甲基)丙締酸醋聚合物(丙締酸了醋/丙締酸甲醋/丙締酸哲己醋=50/35/15(质 量比),重均分子量=约84万)与甲基丙締酷氧己基异氯酸醋80%当量(相对于丙締酸聚 合物100质量份为16质量份)反应所得的能量线交联性聚合物。
[0132] (胶粘剂 A4) 除了将。卡八シ?工术丰シk。シ社制、化化ote (注册商标)828 (分子量370) 20质 量份作为含环氧基的化合物W外,采用与胶粘剂A1相同的方式形成胶粘剂组合物。
[0133] (胶粘剂 A5) 除了将。卡八シ?工术丰シk。シ社制、Epikote (注册商标)806 (分子量约330) 20质 量份作为含环氧基的化合物W外,采用与胶粘剂A1相同的方式形成胶粘剂组合物。
[0134] (胶粘剂 A6) 向(甲基)丙締酸醋聚合物(丙締酸了醋/甲基丙締酸甲醋/丙締酸哲己醋= 70/25/5(质量比)、重均分子量=约50万)中配合含环氧基的化合物(大日本^シ丰化学 工业(株)制、商品名EPICL0N(注册商标化XA-4850-150、分子量约900) 10质量份、W及异 氯酸醋化合物(东洋^シ丰制造社制、BHS-8515) 10.0质量份(全部由固体成分换算的配 合比),形成胶粘剂组合物。
[0135] (胶粘剂 B1) 除了未使用含环氧基的化合物W外,采用与胶粘剂A1相同的方式形成胶粘剂组合物。
[0136] (胶粘剂 B2) 除了未使用含环氧基的化合物W外,采用与胶粘剂A3相同的方式形成胶粘剂组合物。
[0137] <带保护膜形成层的切割片〉 将表1记载的胶粘剂W干燥后的涂布量达到lOg/m2的方式涂布在剥离膜(yシテ ッ夕社制、SP-PET3811、厚度38 y m)上,100°C下干燥1分钟后,叠层于基材上,得到胶 粘片。然后,针对实施例6 W外的胶粘片,通过使用紫外线照射装置(yシテッ夕社制 RAD-2000m/12),仅对粘贴于晶片上的区域的胶粘剂层照射紫外线(照射条件;照度230mW/ cm 2、光量800mJ/cm2)进行固化。
[013引另外,将上述保护膜形成层用组合物的甲基己基酬溶液(固体浓度61质量%) W 干燥后达到25ym厚的方式涂布在剥离片(yシテッ夕社制,SP-PET3811,厚度38ym)的 剥离处理面上,干燥(干燥条件;烘箱中120°C、2分钟),在剥离片上形成保护膜形成层。作 为其它剥离片,将聚对苯二甲酸己二醇醋薄膜(SP-PET381031、厚度38ym)的剥离处理面 贴合在该保护膜形成层上。接着,残留剥离片仅切断保护膜形成层和其它剥离片,与娃晶片 同尺寸(直径8英寸)地起模,然后,将除了起模所得形状的部分W外的部分的保护膜形成 层和其它剥离片除去,得到在剥离片上呈圆形起模所得的保护膜形成层和其它剥离片。
[0139] 在将起模所得的其它剥离片剥离除去W后,将形成于上述剥离片上的保护膜形成 层粘贴在上述胶粘片的胶粘剂层(对于实施例6 W外的胶粘片,为已照射紫外线的区域) 上,与对环形框架的粘贴部分的外径(直径260mm)匹配地呈同屯、圆状起模。然后,将保护 膜形成层上的剥离片剥离,得到带保护膜形成层的切割片。
[0140] [表 U
【主权项】
1. 一种带保护膜形成层的切割片,其中,在包含胶粘成分和游离的含环氧基的化合物 的胶粘剂层叠层于基材膜上而形成的胶粘片的胶粘剂层上,可剥离地设置有保护膜形成 层。
2. 根据权利要求1所述的带保护膜形成层的切割片,其中,胶粘剂层的环氧指数为 0. 05eq/kg W上。
3. 根据权利要求1或2所述的带保护膜形成层的切割片,其中,胶粘成分为能量线固化 性。
4. 根据权利要求1或2所述的带保护膜形成层的切割片,其中,胶粘成分含有由能量线 照射可交联的化合物的交联物。
5. 根据权利要求1至4中任一项所述的带保护膜形成层的切割片,其中,保护膜形成层 含有粘合剂聚合物成分和固化性成分。
6. 根据权利要求5所述的带保护膜形成层的切割片,其中,固化性成分为环氧类热固 性成分。
7. 根据权利要求1至6中任一项所述的带保护膜形成层的切割片,其中,保护膜形成层 含有着色剂。
8. -种带保护膜的巧片的制造方法,其中,将上述权利要求1至7中任一项所述的带保 护膜形成层的切割片的保护膜形成层粘贴在工件上,按照(1)、(2)、(3)的顺序,(2)、(1)、 做的顺序,或者(2)、(3)、(1)的顺序进行W下工序(1)?做: 工序(1);将保护膜形成层固化得到保护膜的工序、 工序(2);将工件W及保护膜形成层或保护膜切割的工序、 工序(3);将保护膜形成层或保护膜和胶粘片剥离的工序。
9. 根据权利要求8所述的巧片的制造方法,其中,在上述工序(1)之后的任意工序中, 进行下列工序(4); 工序(4);对保护膜进行激光印字的工序。
【专利摘要】本发明提供一种带保护膜形成层的切割片,其能够简便地制造具有均匀性高、印字精度优异的保护膜的半导体芯片,能够容易地进行保护膜与切割片之间的剥离,并且切割时芯片的固定能力优异。本发明涉及的带保护膜形成层的切割片的特征在于:在包含胶粘成分和游离的含环氧基的化合物的胶粘剂层叠层于基材膜上而形成的胶粘片的胶粘剂层上,可剥离地设置有保护膜形成层。
【IPC分类】C09J163-00, C09J7-02, C09J4-00, H01L21-301
【公开号】CN104541360
【申请号】CN201380044084
【发明人】佐伯尚哉, 筱田智则, 高野健
【申请人】琳得科株式会社
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2013年8月22日
【公告号】US20150228526, WO2014030699A1
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