切割带集成晶片背面保护膜的制作方法

切割带集成晶片背面保护膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。
【专利说明】切割带集成晶片背面保护膜
[0001] 本申请是申请日为2010年1月29日、申请号为2010101060336、发明名称为"切 割带集成晶片背面保护膜"的申请的分案申请。

【技术领域】
[0002] 本发明涉及切割带集成晶片背面保护膜（dicing tape-integrated wafer back surface protective film)。切割带集成晶片背面保护膜用于保护芯片形工件（如半导体 芯片）的背面和增强强度。此外，本发明涉及使用所述切割带集成晶片背面保护膜的半导 体器件和生产所述器件的方法。

【背景技术】
[0003] 最近，日益要求半导体器件及其包装的变薄和小型化。因此，作为半导体器件及 其包装，已广泛利用W半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式将半导体芯片 (芯片形工件）固定至基板的那些（通过倒装芯片接合生产的半导体器件；可将其称为倒 装芯片安装的半导体器件）。在该类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片（芯片形工 件）的背面用保护膜保护，W防止损害半导体芯片（例如，参见专利文献1至10)。
[0004] 专利文献 1 ;JP-A-2008-166451
[0005] 专利文献 2 ;JP-A-2008-006386
[0006] 专利文献 3 ;JP-A-2007-261035
[0007] 专利文献 4 ;JP-A-2007-250970
[0008] 专利文献 5 ;JP-A-2007-158026
[0009] 专利文献 6 ;JP-A-2004-221169
[0010] 专利文献 7 ;JP-A-2004-214288
[0011] 专利文献 8 ; JP-A-2004-142430
[0012] 专利文献 9 ;JP-A-2004-072108
[0013] 专利文献 10 ;JP-A-2004-063551


【发明内容】

[0014] 然而，为保护半导体芯片背面，粘贴背面保护膜至通过在切割步骤中切割半导体 晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，因此步骤数量增加，成本等增加。此外， 由于变薄，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导体芯片。 因而，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。
[0015] 考虑到前述问题，本发明的目的是提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的 倒装芯片接合步骤均能够利用的切割带集成晶片背面保护膜。此外，本发明的另一目的是 提供切割带集成晶片背面保护膜，其在半导体芯片的切割步骤中能够显示优良的保持力， 并能在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示标识性能和外观性。
[0016] 作为为解决上述传统问题深入研究的结果，本发明人已发现，当将有色晶片背面 保护膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上，从而w集成方式形 成切割带和晶片背面保护膜时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步 骤，均能够利用W集成方式形成切割带和晶片背面保护膜的层压体（切割带集成晶片背面 保护膜），W及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯 片接合步骤后能够显示标识性能和外观性，由此完成本发明。
[0017] 目P，本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括；切割带，所述切割带包括基 材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于 所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背 面保护膜具有3GPa W上的弹性模量（23C )。
[0018] 如上所述，由于本发明的切割带集成晶片背面保护膜下形式形成；晶片背面 保护膜与包括基材和压敏粘合剂层的切割带集成，W及晶片背面保护膜是有色的，因此工 件可通过在切割晶片（半导体晶片）时粘贴切割带集成晶片背面保护膜至工件（半导体晶 片）来保持和有效地切割。此外，切割工件W形成芯片形工件（半导体芯片）后，通过与有 色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件，能够容易地获得保护 其背面的芯片形工件，并且还能够有效地改进芯片形工件背面的标识性能和外观性等。此 夕F，由于有色晶片背面保护膜的弹性模量（23C )为3GPa W上，因此即使当将已用晶片背面 保护膜保护其背面的芯片形工件设置于支承体上直至拾取步骤后的倒装芯片接合步骤时， 也能够抑制或防止芯片形工件通过有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。
[0019] 此外，在本发明的切割带集成晶片背面保护膜中，由于W如上所述的集成方式形 成切割带和有色晶片背面保护膜，因此当在切割步骤前粘贴切割带至半导体晶片背面时也 可粘贴有色晶片背面保护膜，因而仅粘贴晶片背面保护膜的步骤（晶片背面保护膜粘贴步 骤）不是必需的。此外，在随后的切割步骤和拾取步骤中，由于粘贴有色晶片背面保护膜至 半导体晶片的背面或通过切割形成的半导体芯片的背面，因此能够有效地保护半导体晶片 或半导体芯片，因而在切割步骤或随后的步骤（拾取步骤等）中，能够抑制或防止损害半导 体芯片。
[0020] 在本发明中，有色晶片背面保护膜优选具有激光标识性能。此外，切割带集成晶片 背面保护膜可适合用于倒装芯片安装的半导体器件。
[0021] 本发明还提供使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法，所述方法 包括W下步骤：粘贴工件至上述切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜上，切 割所述工件W形成芯片形工件，与所述有色晶片背面保护膜一起，从所述切割带的压敏粘 合剂层剥离芯片形工件，和通过倒装芯片接合将所述芯片形工件固定至被粘物。
[0022] 此外，本发明进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其使用上述切割带集成晶 片背面保护膜制造，其中所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的 切割带集成晶片背面保护膜的晶片背面保护膜。
[0023] 由于切割带和晶片背面保护膜W集成方式形成W及晶片背面保护膜是有色的，因 此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤，均可利用本发明的切割带 集成晶片背面保护膜。具体地，本发明的切割带集成晶片背面保护膜在半导体晶片的切割 步骤中显示优良的保持力，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤期间和之后能够显示标 识性能和外观性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于半导体芯片的背面用有色晶片背面 保护膜保护，因此能够有效地抑制或防止半导体芯片的破坏、碎裂（chipping)和弯曲等。 不必说，在除了从半导体芯片的切割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，本发 明的切割带集成晶片背面保护膜能够有效地显示其功能。此外，由于有色晶片背面保护膜 的弹性模量（23C )为3GPa W上，因此即使当将已用晶片背面保护膜保护其背面的芯片形 工件设置于支承体上直至拾取步骤后的倒装芯片接合步骤时，也能够抑制或防止芯片形工 件通过有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。

【专利附图】

【附图说明】
[0024]图1为示出本发明的切割带集成晶片背面保护膜的一个实施方案的横截面示意 图。
[00巧]图2A至2D为示出使用本发明的切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方 法的一个实施方案的横截面示意图。
[0026] 附图标巧说明
[0027] 1 切割带集成晶片背面保护膜
[0028] 2 有色晶片背面保护膜
[002引 3 切割带
[0030] 31 基材
[0031] 32压敏粘合剂层
[0032] 4 半导体晶片（工件）
[0033] 5 半导体芯片（芯片形工件）
[0034] 51在半导体芯片的电路面形成的凸起化ump)
[0035] 6 被粘物
[0036] 61用于结合附着至被粘物6的连接垫（connecting pad)的导电性材料

【具体实施方式】
[0037] 参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于该实施方案。图1为示出本发 明的切割带集成晶片背面保护膜的一个实施方案的横截面示意图。在图1中，1为切割带 集成晶片背面保护膜，2为晶片背面保护膜，其是有色的（有时简称为"有色晶片背面保护 膜"），3为切割带，31为基材，32为压敏粘合剂层。
[0038] 此外，在本说明书的图中，没有给出不需要描述的部分，存在通过放大、缩小等示 出的部分，从而容易描述。
[0039] 如图1所示，切割带集成晶片背面保护膜1具有W下构造：有色晶片背面保护膜2 形成于切割带3的压敏粘合剂层32上，所述切割带3具有基材31和形成于基材31上的压 敏粘合剂层32。在该点上，在直至将其粘贴至晶片背面的期间，可用隔离体（separator)等 保护有色晶片背面保护膜2的表面（要粘贴至晶片背面的表面）。
[0040] 此外，切割带集成晶片背面保护膜可具有在切割带压敏粘合剂层的整个表面上形 成有色晶片背面保护膜的构造，或可具有部分地形成有色晶片背面保护膜的构造。例如，女口 图1所示，切割带集成晶片背面保护膜可具有W下构造：在切割带的压敏粘合剂层上，仅在 要粘贴半导体晶片的部分上形成有色晶片背面保护膜。
[0041] (有色晶片背面保护膜）
[0042] 有色晶片背面保护膜具有膜形状。在切割粘贴至有色晶片背面保护膜上的工件 (半导体晶片）的切割-加工步骤（切割步骤）中，有色晶片背面保护膜具有支承与其密切 粘合的工件的功能，在切割步骤后，具有保护芯片形工件（半导体芯片）背面的功能，并且 在与有色晶片背面保护膜一起，从切割带剥离切割的芯片形工件后，显示优良的标识性能 和外观性。如上所述，由于有色晶片背面保护膜具有优良的标识性能，可通过有色晶片背面 保护膜，通过利用各种标识方法如打印方法和激光标识方法进行标识，从而赋予芯片形工 件的非电路面或使用芯片形工件的半导体器件的非电路面各种信息如文字信息和图形信 息。此外，通过控制着色的颜色，可W观察具有优良可见度的通过标识赋予的信息（文字信 息、图形信息等）。此外，由于有色晶片背面保护膜是有色的，切割带和有色晶片背面保护膜 可W容易地彼此区分，因而可改进加工性等。
[0043] 此外，由于有色晶片背面保护膜具有优良的外观性，可W提供具有增值外观 (value-added appearance)的半导体器件。例如，作为半导体器件，可W通过使用不同颜色 将其产品分类。
[0044] 此外，作为有色晶片背面保护膜，重要的是具有紧密的粘合性，W使在切割-加工 工件时切屑不飞散。
[0045] 如上所述，有色晶片背面保护膜不用于半导体芯片至支承构件如基板的模片接 合，而用于保护要倒装芯片安装的（或已倒装芯片安装的）半导体芯片的背面（非电路 面），并因此具有最合适的功能和构成。在该点上，要用于强烈粘附半导体芯片至支承构件 如基板的应用的模片接合膜为粘合剂层，并用封装材料封装，因此该膜是无色的，并且也不 具有标识性能（特别地，激光标识性能）。因此，有色晶片背面保护膜具有与模片接合膜不 同的功能或构造，因而不适合使用该保护膜作为模片接合膜。
[0046] 在本发明中，有色晶片背面保护膜可由树脂组合物形成，并优选由包含热塑性树 脂和热固性树脂的树脂组合物构成。在该点上，有色晶片背面保护膜可由不使用热固性树 脂的热塑性树脂组合物构成，或可由不使用热塑性树脂的热固性树脂组合物构成。
[0047] 热塑性树脂的实例包括天然橡胶、下基橡胶、异戊二帰橡胶、氯下橡胶、己帰-己 酸己帰醋共聚物、己帰-丙帰酸共聚物、己帰-丙帰酸醋共聚物、聚下二帰树脂、聚碳酸醋树 月旨、热塑性聚醜亚胺树脂、聚醜胺树脂如尼龙-6和尼龙-6, 6、苯氧基树脂、丙帰酸类树脂、 饱和聚醋树脂如PET (聚对苯二甲酸己二醋）和PBT (聚对苯二甲酸下二醇醋），或氣碳树 月旨。热塑性树脂可单独，或W两种W上组合使用。在该些热塑性树脂中，仅包含少量离子杂 质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙帰酸类树脂是优选的。
[0048] 丙帰酸类树脂不特别限制，其实例包括含有一种或两种W上具有30个W下碳原 子，优选4至18个碳原子的直链或支化焼基的丙帰酸或甲基丙帰酸的醋作为组分的聚合 物。目P，在本发明中，丙帰酸类树脂具有也包括甲基丙帰酸类树脂的广泛含义。所述焼基的 实例包括甲基、己基、丙基、异丙基、正下基、叔下基、异下基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-己 基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一焼基、十二焼基（月桂基）、十H焼 基、十四焼基、硬脂基和十八焼基。
[0049] 此外，形成丙帰酸类树脂的其它单体（除具有30个W下碳原子的丙帰酸或甲基丙 帰酸的醋W外的单体）没有特别限制，其实例包括含駿基单体如丙帰酸、甲基丙帰酸、丙帰 酸駿己醋、丙帰酸駿戊醋、衣康酸、马来酸、富马酸和己豆酸；酸酢单体如马来酸酢和衣康酸 酢；含轻基单体如（甲基）丙帰酸2-轻己醋、（甲基）丙帰酸2-轻丙醋、（甲基）丙帰酸 4-轻下醋、（甲基）丙帰酸6-轻己醋、（甲基）丙帰酸8-轻辛醋、（甲基）丙帰酸10-轻 癸醋、（甲基）丙帰酸12-轻月桂醋和（4-轻甲基环己基）-甲基丙帰酸醋；含賴酸单体如 苯己帰賴酸、帰丙基賴酸、2-(甲基）丙帰醜氨基-2-甲基丙賴酸、（甲基）丙帰醜氨基丙賴 酸、（甲基）丙帰酸賴丙醋和（甲基）丙帰醜氧基蔡賴酸；和含磯酸基团单体如2-轻己基 丙帰醜磯酸醋（2-hy化oeth}dac;ryl〇5d 地osphate)。
[0050] 该树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。
[0051] 此外，热固性树脂的实例包括环氧树脂和酷酵树脂W及氨基树脂、不饱和聚醋树 月旨、聚氨醋树脂、娃丽树脂和热固性聚醜亚胺树脂。热固性树脂可单独，或W两种W上组合 使用。作为热固性树脂，仅包含少量腐蚀半导体元件的离子杂质的环氧树脂是合适的。此 夕F，优选使用酷酵树脂作为环氧树脂的固化剂。
[0052] 环氧树脂不特别限制，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酷A 型环氧树脂、双酷F型环氧树脂、双酷S型环氧树脂、漠化双酷A型环氧树脂、氨化双酷A型 环氧树脂、双酷AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、蔡型环氧树脂、巧型环氧树脂、苯酷酷酵 清漆（phenol novolak)型环氧树脂、邻甲酷酷酵清漆（o-cresol novolak)型环氧树脂、 H轻基苯甲焼型环氧树脂和四轻苯基己焼（tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树 脂如己内醜脈型环氧树脂、H缩水甘油基异氯脈酸醋型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树 脂。
[0053] 作为环氧树脂，在W上示例的那些中，酷酵清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、H 轻基苯甲焼型环氧树脂和四轻苯基己焼型环氧树脂是优选的。该是因为该些环氧树脂与作 为固化剂的酷酵树脂具有高反应性，且耐热性等优良。
[0054] 所述环氧树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。
[0055] 此外，上述酷酵树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括酷酵清漆型酷酵 树脂如苯酷酷酵清漆树脂、苯酷芳焼基树脂、甲酷酷酵清漆树脂、叔下基苯酷酷酵清漆树脂 和壬基苯酷酷酵清漆树脂；甲阶型酷酵树脂；和聚氧苯己帰（polyoxystyrenes)如聚对氧 苯己帰。酷酵树脂可单独，或两种W上组合使用。在该些酷酵树脂中，苯酷酷酵清漆树脂和 苯酷芳焼基树脂是特别优选的。该是因为可改进半导体器件的连接可靠性。
[0056] 所述酷酵树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。
[0057] 环氧树脂与酷酵树脂的混合比优选使得例如酷酵树脂中的轻基为0. 5至2. 0当 量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。更优选0.8至1.2当量。目P，当混合比变为在 该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。
[005引环氧树脂和酷酵树脂的热固化促进催化剂不特别限制，可适当选自已知的热固化 促进催化剂并使用。热固化促进催化剂可单独或两种W上组合使用。作为热固化促进催化 齐U，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磯类固化促进催化剂、咪哇类固化促进催化剂、测类 固化促进催化剂或磯-测类固化促进催化剂。
[0059] 在本发明中，有色晶片背面保护膜优选由包含环氧树脂、酷酵树脂和丙帰酸类树 脂的树脂组合物形成。由于该些树脂仅包含少量离子杂质并具有高的耐热性，因此能够确 保半导体元件的可靠性。在此情况下的混合比不特别限制，但是，例如，环氧树脂与酷酵树 脂的混合量可适当选自10至300重量份的范围，基于100重量份的丙帰酸类树脂组分。
[0060] 重要的是有色晶片背面保护膜具有至半导体晶片的背面（非电路形成面）的紧密 粘合性。该具有紧密粘合性的有色晶片背面保护膜例如可由包含环氧树脂的树脂组合物形 成。为了交联，可将能够与在聚合物分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联 剂添加至有色晶片背面保护膜中。由于该构造，能够增强在高温下的紧密粘合性，并能够实 现耐热性的改进。
[0061] 交联剂不特别限制，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氯 酸醋类交联剂、环氧类交联剂、H聚氯胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脈类交联 齐U、金属醇盐类交联剂、金属馨合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、嗯哇晰 类交联剂、氮丙巧类交联剂和胺类交联剂等。作为交联剂，异氯酸醋类交联剂或环氧类交联 剂是合适的。交联剂可单独或W两种W上组合使用。
[0062] 异氯酸醋类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氯酸醋例如1，2-亚己基二异氯酸 醋、1，4-亚下基二异氯酸醋和1，6-六亚甲基二异氯酸醋；脂环族多异氯酸醋例如亚环戊 基二异氯酸醋、亚环己基二异氯酸醋、异氣尔丽二异氯酸醋、氨化甲苯二异氯酸醋和氨化 苯二甲撑二异氯酸醋；芳香族多异氯酸醋例如2, 4-甲苯二异氯酸醋、2, 6-甲苯二异氯酸 醋、4, 4'-二苯甲焼二异氯酸醋和苯二甲撑二异氯酸醋。此外，也使用H轻甲基丙焼/甲 苯二异氯酸醋H聚体加合物[商品名"C0L0NATE L"，由Ni卵on Polyurethane IndustiT Co.，Ltd.制造]、H轻甲基丙焼/六亚甲基二异氯酸醋H聚体加合物[商品名"COLONATE HL",由Nippon Polyurethane IndustiT Co. , Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包 括N，N，N'，N' -四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3-双饥N-缩水甘油 基氨甲基）环己焼、1,6-己二醇二缩水甘油離、新戊二醇二缩水甘油離、己二醇二缩水甘油 基離、丙二醇二缩水甘油離、聚己二醇二缩水甘油基離、聚丙二醇二缩水甘油離、山梨糖醇 多缩水甘油離、甘油多缩水甘油離、季戊四醇多缩水甘油離、聚甘油多缩水甘油離、脱水山 梨糖醇多缩水甘油離、H轻甲基丙焼多缩水甘油離、己二酸二缩水甘油離、邻苯二甲酸二缩 水甘油醋、H缩水甘油基-H (2-轻己基）异氯酸醋、间笨二酷二缩水甘油離和双酷-S-二 缩水甘油離，W及在分子中具有两个W上环氧基团的环氧类树脂。
[0063] 交联剂的量不特别限制，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的量为 例如0. 05至7重量份，基于100重量份聚合物组分（特别地，在分子链末端具有官能团的 聚合物）。当交联剂的量基于100重量份聚合物组分在0. 05至7重量份范围内时，能够高 水平地显示紧密粘合性和内聚性（cohesion property)。
[0064] 在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可W通过用电子束或紫外 线照射进行交联处理。
[0065] 在本发明中，有色晶片背面保护膜是有色的。目P，有色晶片背面保护膜是有色的， 不是无色或透明的。在有色晶片背面保护膜中，通过着色显示的颜色不特别限制，但是，例 女口，优选暗色如黑色、蓝色或红色，黑色是更优选的。
[0066] 在本发明中，暗色主要指具有60 W下（0至60)，优选50 W下（0至50)，更优选40 W下（0至40)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的暗色。
[0067] 此外，黑色主要是指具有35 W下（0至35)，优选30 W下（0至30)，更优选25 W下 (0至25)的在L相冲*颜色空间中定义的L*的黑色系颜色。在该点上，在黑色中，在L相冲* 颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，a*和b*两者均优选在-10 至10,更优选-5至5,进一步优选-3至3 (特别地0或约0)的范围内。
[0068] 在本发明中，在L相冲*颜色空间中定义的L*、a*和b*可通过用色差计（商品 名"CR-200"，由Minolta Ltd制造；色差计）的测量来确定。L相冲*颜色空间为在1976 年由 Commission Internationale de l'Eclairage(CIE〇 建议的颜色空间，是指称为 CIE1976(L*a*b*)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准（Japanese Industrial Standards) JIS Z8729中定义了 L相冲*颜色空间。
[0069] 在有色晶片背面保护膜着色时，根据目标颜色，可使用着色剂（着色试剂）。作为 该着色剂，可适合使用各种暗色着色剂如黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色 剂是更适合的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独或W两种W上组合使用。在该 点上，作为染料，可W使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和 阳离子染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料中适当选择和使用。
[0070] 黑色着色剂不特别限制，例如，可选自无机黑色颜料和黑色染料。此外，黑色着色 剂可为青色着色剂（蓝-绿着色剂）、品红色着色剂（红-紫着色剂）和黄色着色剂（黄着 色剂）的着色剂混合物。黑色着色剂可单独或W两种W上的组合使用。当然，黑色着色剂 可与除黑色之外颜色的着色剂组合使用。
[0071] 黑色着色剂的具体实例包括炭黑（如炉黑、槽黑、己快黑、热裂炭黑或灯黑）、石 墨、氧化铜、二氧化猛、苯胺黑、巧黑、铁黑、花青黑、活性炭、铁素体（如非磁性铁素体或磁 性铁素体）、磁铁矿、氧化铅、氧化铁、二硫化钢、铅配合物、复合氧化物型黑颜料和意酿型有 机黑颜料。
[0072] 作为黑色着色剂，可使用W下；黑色染料如C. I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70， C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、 154,和C. I.分散黑1、3、10、24 ;和黑色颜料如C. I.颜料黑1、7 ;等。
[007引作为该黑色着色剂，例如，商品名"Oil Black BY"、商品名"Oil Black BS"、商 品名"Oil Black 皿B"、商品名"Oil Black 803"、商品名"Oil Black 860"、商品名"Oil Black 5970"、商品名"Oil Black 5906"和商品名"Oil Black 5905"(由 Orient Chemical In化stries Co. ,Ltd.制造）等是商购可得的。
[0074] 除了黑色着色剂之外的着色剂的实例包括青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色 剂。
[007引青色着色剂的实例包括青色染料如C. I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性 蓝 6 和 45 ;青色颜料如 C. I.颜料蓝 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、 17:1、18、22、25、56、60、63、65、66;C. I.食蓝 4、60;和 C. I.颜料绿 7。
[0076] 此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C. I.溶剂红1、3、8、23、24、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ;C. I.分散红 9 ;C. I.溶剂紫 8、 13、14、21、27 ;C. I.分散紫 1 ;C. I.碱性红 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、 32、34、35、36、37、38、39、40 ;C. I.碱性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。
[0077] 在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C. I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ;C. I.颜料紫 3、9、19、23、31、32、 33、36、38、43、50 ;C. I.食红 1、2、10、13、15、23、29 和 35。
[0078] 此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C. I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ;黄色颜料如 C. I.颜料澄 31、43 ;C. I.颜料黄 1、2、3、4、5、6、7、10、 11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ;C. I.食黄 1、3 和 20。
[0079] 各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独或W两种W上 的组合使用。在此点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂的两 种W上的情况下，该些着色剂的混合比（或共混比）不特别限制，可根据各着色剂的种类和 目标颜色等适当选择。
[0080] 此外，在黑色着色剂为通过混合青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂形成的 着色剂混合物的情况下，各青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可单独或W两种W上 的组合使用。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在着色剂混合物中的混合比（或共 混比）不特别限制，只要能够显示黑色系颜色（例如，具有在上述范围内的在L相冲*颜色 空间中定义的L*、a*和b*的黑色系颜色）即可，可根据各着色剂的类型等适当选择。青色 着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在着色剂混合物中的含量例如可在相对于着色剂总量 的青色着色剂/品红色着色剂/黄色着色剂=10-50重量％ /10-50重量％ /10-50重量％ (优选20-40重量％ /20-40重量％ /20-40重量％ )范围内适当选择。
[0081] 着色剂的含量可适当选自在形成有色晶片背面保护膜的树脂组合物（排除溶剂） 中0. 1至10重量％，优选0. 5至8重量％，更优选1至5重量％的范围。
[0082] 在该点上，根据需要，可适当向有色晶片背面保护膜中共混其它添加剂。除了填料 之外，其它添加剂的实例包括阻燃剂、娃焼偶联剂和离子捕集剂，增量剂、防老剂、抗氧化剂 和表面活性剂。
[0083] 填料可为任意无机填料和有机填料，但无机填料是合适的。通过共混填料如无机 填料，能够实现赋予有色晶片背面保护膜导电性、改进有色晶片背面保护膜的导热性、控制 有色晶片背面保护膜的弹性模量等。在该点上，有色晶片背面保护膜可为导电性的或非导 电性的。无机填料的实例包括由W下组成的各种无机粉末：二氧化娃，粘±，石膏，碳酸巧， 硫酸顿，氧化铅，氧化被，陶瓷如碳化娃和氮化娃，金属或合金如铅、铜、银、金、媒、铅、铅、 锡、锋、把，和焊料及碳等。填料可W单独或两种W上组合使用。特别地，填料适合为二氧化 娃及更适合为烙凝娃石。无机填料的平均粒径优选在0.1至80 ym的范围。无机填料的平 均粒径通过激光衍射型粒径分散测量设备来测量。
[0084] 填料（例如无机填料）的共混量可为150重量份W下（0至150重量份），或可为 100重量份W下（0至100重量份），基于100重量份树脂组分总量。在本发明中，填料的共 混量优选80重量份W下（0至80重量份），更优选0至70重量份，基于100重量份树脂组 分总量。
[0085] 阻燃剂的实例包括H氧化键、五氧化键和漠化环氧树脂。阻燃剂可单独，或W两种 W上的组合使用。娃焼偶联剂的实例包括目-(3, 4-环氧环己基）己基H甲氧基娃焼、y-环 氧丙氧丙基二甲氧基娃焼和y-环氧丙氧丙基甲基二己氧基娃焼。娃焼偶联剂可单独，或 W两种W上的组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氨氧化饿。离子捕集剂可单独， 或W两种W上的组合使用。
[0086] 有色晶片背面保护膜例如可通过利用包括W下步骤的常用方法形成；混合热固性 树脂如环氧树脂和/或热塑性树脂如丙帰酸类树脂、着色剂（着色试剂），和任选的溶剂及 其它添加剂W制备树脂组合物，接着将其成形为膜形层。具体地，作为有色晶片背面保护膜 的膜形层例如可通过W下方法形成；包括施涂树脂组合物至切割带的压敏粘合剂层上的方 法，包括施涂树脂组合物至适当隔离体（如隔离纸）上W形成树脂层，然后将其转移（转 换）至切割带的压敏粘合剂层上的方法，和类似方法。
[0087] 在该点上，在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形 成的情况下，有色晶片背面保护膜处于W下状态：在该膜施涂至半导体晶片前的阶段，热固 性树脂未固化或部分固化。在此情况下，将其施涂至半导体晶片（通常，具体地，在当封装 材料在倒装芯片接合步骤中固化时）后，在有色晶片背面保护膜中的热固性树脂完全或基 本完全固化。
[0088] 如上所述，由于有色晶片背面保护膜处于即使当膜包含热固性树脂时热固性树脂 也未固化或部分固化的状态下，有色晶片背面保护膜的凝胶分数不特别限制，但例如，适当 选自50重量％ ^下（0至50重量％ )的范围，优选30重量％ ^下（0至30重量％ )，更优 选10重量％ ^下（0至10重量％ )。有色晶片背面保护膜的凝胶分数可通过W下测量方法 测量。
[0089] <凝胶分数的测量方法〉
[0090] 从有色晶片背面保护膜中取样约0. Ig样品，并精确称重（样品重量），将样品在网 型片（mesh-type sheet)中包裹后，在室温下浸入约50ml甲苯中1周。此后，从甲苯中取 出溶剂不溶性物质（网型片中的内容物），并在13CTC下干燥约2小时，将干燥后的溶剂不 溶性物质称重（浸溃并干燥后的重量），然后根据W下方程（a)计算凝胶分数（重量％ )。
[0091] 凝胶分数（重量％)=[(浸溃并干燥后的重量）/(样品重量）]xioo (a)
[0092] 此外，有色晶片背面保护膜的凝胶分数可通过树脂组分的种类和含量、交联剂的 种类和含量及加热温度和加热时间等控制。
[0093] 有色晶片背面保护膜为有色膜形制品，着色形式不特别限制。有色晶片背面保护 膜可为例如由热塑性和/或热固性树脂及包含着色剂等的树脂组合物形成的膜形制品，或 可为具有W下构造的膜形制品：将由包含热塑性树脂和/或热固性树脂的树脂组合物形成 的树脂层与着色剂层层压。着色剂层优选由着色剂和包含热塑性树脂和/或热固性树脂的 树脂组合物形成。
[0094] 在该点上，在有色晶片背面保护膜为树脂层和着色剂的层压体的情况下，为层压 形式的有色晶片背面保护膜优选具有一树脂层、着色剂层和另一树脂层W该顺序层压的形 式。在此情况下，在着色剂两侧的两树脂层可为具有相同组成的树脂层或可为具有不同组 成的树脂层。
[0095] 在本发明中，在有色晶片背面保护膜为由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合 物形成的膜形制品的情况下，可有效地显示至半导体晶片的紧密粘合性。
[0096] 此外，由于在工件（半导体晶片）的切割步骤中使用切割水（cutting water)，有 色晶片背面保护膜吸收水分，从而在一些情况下具有常规状态W上的水分含量。当在维持 该高水分含量的情况下进行倒装芯片接合时，水蒸气残留在有色晶片背面保护膜和工件或 其加工体（芯片形工件）之间的紧密粘合界面处，并且在一些情况下产生漂浮。因此，作为 有色晶片背面保护膜，由具有高透湿性的芯材料组成的层的存在扩散水蒸气，由此可W避 免该问题。从该观点，有色晶片背面保护膜可为将由该芯材料组成的层在其一面或两面层 压的膜。芯材料的实例包括膜（例如，聚醜亚胺膜、聚醋膜、聚对苯二甲酸己二醋膜、聚蔡二 甲酸己二醋膜、聚碳酸醋膜等）、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂基板，娃基板和玻 璃基板。
[0097] 有色晶片背面保护膜的厚度不特别限制，但例如可适当选自5至500ym的范围。 在本发明中，有色晶片背面保护膜的厚度优选约5至150 y m，更优选约5至100 y m。有色 晶片背面保护膜可具有单层或层压层的形式。
[0098] 作为本发明中的有色晶片背面保护膜，重要的是在23C下的弹性模量（拉伸胆能 弹性模量E'）为3GPa W上。当有色晶片背面保护膜的弹性模量为3GPa W上时，在与有色 晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件之后，当将有色晶片背面 保护膜设置在支承体上时，能够抑制或防止有色晶片背面保护膜至支承体的粘贴。此外，从 粘合性等的观点，有色晶片背面保护膜的弹性模量优选50GPa W下，更优选lOGPa W下，进 一步优选5GPa W下。在该点上，在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形 成的情况下，如上所述，热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，因此有色晶片背面 保护膜在23C下的弹性模量为在热固性树脂未固化或部分固化状态下及在23C下的弹性 模量。
[0099] 有色晶片背面保护膜在23C下的弹性模量（拉伸胆能弹性模量E'）通过如下测 定；制备不层压至切割带上的有色晶片背面保护膜，并使用由化eometrics Co.，Ltd.制造 的动态粘弹性测量设备"Solid Analyzer RS A2"，于规定温度（23°C)下，在氮气气氛中， 在样品宽度10mm、样品长度22. 5mm、样品厚度0. 2mm、频率mz和升温速率1(TC /分钟的条 件下，W拉伸模式测量弹性模量，并将其作为所得拉伸胆能弹性模量E'的值。
[0100] 有色晶片背面保护膜的弹性模量可通过树脂组分（热塑性树脂和/或热固性树 脂）的种类和含量，及填料如二氧化娃填料的种类和含量等来控制。
[0101] 此外，在有色晶片背面保护膜中可见光的透光率（可见光透射比，波长；400至 800nm)不特别限制，但是为，例如，20% W下（0至20%)，优选10% W下（0至10%)，进一 步优选5% W下（0至5%)的范围。当有色晶片背面保护膜具有20% W下的可见光透射比 时，光的透射对半导体元件的影响小。
[0102] 有色晶片背面保护膜的可见光透射比（％ )可基于可见光通过有色晶片背面 保护膜前后的强度变化来确定，所述确定通过如下进行；制备具有厚度（平均厚度）为 20 y m不层压至切割带上的有色晶片背面保护膜，用具有波长400至800nm的可见光W规 定强度照射该有色晶片背面保护膜（厚度；20ym)，并使用商品名"ABSORPTION SPECTR0 P册T0METER"(由化ima化U Co巧oration制造）测量透过的可见光的强度。在该点上，也 可W从厚度不为20 y m的有色晶片背面保护膜的可见光透射比（％;波长；400至800nm)的 值导出具有厚度20ym的有色晶片背面保护膜的可见光透射比（％ ;波长；400至800nm)。 在本发明中，在当测定有色晶片背面保护膜的可见光透射比（％)时有色晶片背面保护膜 的厚度（平均厚度）为20ym，但有色晶片背面保护膜的厚度仅为当测定有色晶片背面保护 膜的可见光透射比（％)时的厚度，其可与在切割带集成晶片背面保护膜中有色晶片背面 保护膜的厚度相同或不同。
[0103] 有色晶片背面保护膜的可见光透射比（％ )可通过树脂组分的种类和含量，着色 剂（如颜料或染料）的种类和含量，及填料的种类和含量等来控制。
[0104] 在本发明中，有色晶片背面保护膜优选具有低的吸湿度（mois化re油sorbance)。 具体地，作为有色晶片背面保护膜，当使膜在温度85C和湿度85% RH的气氛下静置168小 时时的吸湿度优选1重量％ ^下，更优选0. 8重量％ ^下。通过调节有色晶片背面保护膜 (在温度85C和湿度85% RH的气氛下静置168小时后）的吸湿度至1重量％ ^下，能够 增强激光标识性能。此外，例如，在回流（reflow)步骤中能够抑制或防止产生空白。有色 晶片背面保护膜的吸湿度例如可通过改变要添加的无机填料的量来调节。有色晶片背面保 护膜的吸湿度（重量％ )为从当使膜在温度85C和湿度85% RH的气氛下静置168小时时 的重量变化计算的值。在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况 下，有色晶片背面保护膜的吸湿度为当在热固化后使膜在温度85C和湿度85% RH的气氛 下静置168小时时获得的值。
[0105] 此外，在本发明中，有色晶片背面保护膜优选具有小的挥发性物质比。具体地，作 为有色晶片背面保护膜，在温度25CTC下加热1小时后重量减少的比率（重量减少率）优选 1重量％ ^下，更优选0. 8重量％ ^下。通过调节有色晶片背面保护膜的重量减少率（在温 度25CTC下加热1小时后）至1重量％ ^下，能够增强激光标识性能。此外，例如，在回流步 骤中能够抑制或防止产生裂纹。有色晶片背面保护膜的重量减少率例如可通过添加在无铅 焊料回流时能够减少裂纹产生的无机物质，例如无机填料如二氧化娃或氧化铅来调节。有 色晶片背面保护膜的重量减少率（重量％ )为从当将膜在25CTC下加热1小时时的重量变 化计算的值。在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，有色 晶片背面保护膜的重量减少率为当在热固化后将膜在25CTC下加热1小时时获得的值。
[0106] 有色晶片背面保护膜优选通过隔离体（可剥离衬垫，图中未示出）来保护。隔离 体具有作为保护有色晶片背面保护膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外，隔离体能 够进一步用作在当将有色晶片背面保护膜转移至在切割带基材上的压敏粘合剂层时的支 承基材。当粘贴工件至切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜上时剥离隔离 体。作为隔离体，也可W使用聚己帰或聚丙帰的膜，W及其表面用脱模剂如氣类脱模剂或长 链焼基丙帰酸醋类脱模剂涂布的塑料膜（聚对苯二甲酸己二醋）或纸。隔离体可通过常规 已知方法形成。此外，隔离体的厚度等不特别限制。
[0107] (切割带）
[010引切割带由基材和形成于基材上的压敏粘合剂层构成。因而，切割带充分具有层压 基材和压敏粘合剂层的构造。基材（支承基材）可用作压敏粘合剂层等的支承材料。作 为基材，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、租和 网；金属类基材如金属铅和金属板；塑料基材如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体 (化amed body)如发泡片；及其层压体[特别地，塑料类材料与其它基材的层压体，塑料膜 (或片）彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适合使用塑料基材如塑料膜和片。 该塑料材料的原料实例包括帰属树脂如聚己帰（P巧、聚丙帰（P巧和己帰-丙帰共聚物；使 用己帰作为单体组分的共聚物，如己帰-己酸己帰醋共聚物巧VA)、离子键树脂、己帰-(甲 基）丙帰酸共聚物，和己帰-(甲基）丙帰酸醋（无规，交替）共聚物；聚醋如聚对苯二甲酸 己二醋（PET)、聚蔡二甲酸己二醋（阳脚和聚对苯二甲酸了二醇醋（PBT);丙帰酸类树脂； 聚氯己帰（PVC);聚氨醋；聚碳酸醋；聚苯硫離（PPS);醜胺类树脂如聚醜胺（尼龙）和全芳 族聚醜胺（whole aromatic polyamides)(芳族聚醜胺）；聚離離丽（P邸K);聚醜亚胺；聚 離醜亚胺；聚偏二氯己帰；ABS(丙帰膳-下二帰-苯己帰共聚物）；纤维素类树脂；娃丽树 脂；和氣化树脂。此外，作为基材的材料，也可W使用聚合物如上述树脂的各交联体。该些 原料可单独或W两种W上的组合使用。
[0109] 在将塑料基材用作基材的情况下，变形性如伸长度（elongation degree)可通过 拉伸处理等控制。
[0110] 基材的厚度不特别限制，可依赖于强度、屈挽性及预期的使用用途等适当选择。 例如，厚度通常为1000 y m W下（例如1至1000 y m)，优选1至500 y m，进一步优选3至 300 y m，特别地约5至250 y m，但不限于此。在该点上，基材可具有单层形式和层压层形式 的任何形式。
[0111] 可实施常规使用的表面处理例如化学或物理处理如铅酸盐处理、莫氧暴露、火焰 暴露、暴露于高压电击或电离福射处理，或用底漆剂（undercoating agent)的涂布处理，W 改进与邻接层的紧密粘合性、保持性等。
[0112] 此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材可包含各种添加剂（着色剂、填 料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等）。
[0113] 压敏粘合剂层由压敏粘合剂形成，并具有压敏粘合性。该压敏粘合剂不特别限制， 可在已知压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘合剂可 在例如W下的已知压敏粘合剂中适当选择和使用；丙帰酸类压敏粘合剂、橡胶类压敏粘合 齐U、己帰基焼基離类压敏粘合剂、娃丽类压敏粘合剂、聚醋类压敏粘合剂、聚醜胺类压敏粘 合剂、氨基甲酸己醋类压敏粘合剂、氣类压敏粘合剂、苯己帰-二帰嵌段共聚物类压敏粘合 齐U，和蠕变特性改进压敏粘合剂，其中将具有约20(TCW下烙点的热烙性树脂混合入该些压 敏粘合剂中（例如，参见 JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040 等）。此外，作为压敏粘合剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂（或能量射线固化型压敏粘 合剂）或热膨胀性压敏粘合剂。压敏粘合剂可单独或W两种W上的组合使用。
[0114] 在本发明中，作为压敏粘合剂，可适合使用丙帰酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘 合剂，特别地，丙帰酸类压敏粘合剂是合适的。作为丙帰酸类压敏粘合剂，可提及其中将使 用一种W上的焼基（甲基）丙帰酸醋（（甲基）丙帰酸焼基醋）作为单体组分的丙帰酸类 聚合物（均聚物或共聚物）用作基础聚合物的丙帰酸类压敏粘合剂。
[0115] 在上述丙帰酸类压敏粘合剂中的（甲基）丙帰酸焼基醋的实例包括（甲基）丙 帰酸焼基醋，如（甲基）丙帰酸甲醋、（甲基）丙帰酸己醋、（甲基）丙帰酸丙醋、（甲基） 丙帰酸异丙醋、（甲基）丙帰酸下醋、（甲基）丙帰酸异下醋、（甲基）丙帰酸仲下醋、（甲 基）丙帰酸叔下醋、（甲基）丙帰酸戊醋、（甲基）丙帰酸己醋、（甲基）丙帰酸庚醋、（甲 基）丙帰酸辛醋、（甲基）丙帰酸2-己基己醋、（甲基）丙帰酸异辛醋、（甲基）丙帰酸壬 醋、（甲基）丙帰酸异壬醋、（甲基）丙帰酸癸醋、（甲基）丙帰酸异癸醋、（甲基）丙帰酸 十一焼醋、（甲基）丙帰酸十二焼醋、（甲基）丙帰酸十H焼醋、（甲基）丙帰酸十四焼醋、 (甲基）丙帰酸十五焼醋、（甲基）丙帰酸十六焼醋、（甲基）丙帰酸十走焼醋、（甲基）丙 帰酸十八焼醋、（甲基）丙帰酸十九焼醋和（甲基）丙帰酸二十焼醋。作为（甲基）丙帰 酸焼基醋，具有4至18个碳原子的（甲基）丙帰酸焼基醋是适合的。此外，（甲基）丙帰 酸焼基醋的焼基可为线性或支化的。
[0116] 为了改善内聚力、耐热性及交联性等目的，上述丙帰酸类聚合物可包含与上述 (甲基）丙帰酸焼基醋可聚合的其它单体组分（可共聚合单体组分）对应的单元。该类可 共聚合单体组分的实例包括含駿基单体如（甲基）丙帰酸（丙帰酸或甲基丙帰酸）、丙帰酸 駿己醋、丙帰酸駿戊醋、衣康酸、马来酸、富马酸和己豆酸；含酸酢基团单体如马来酸酢和衣 康酸酢；含轻基单体如（甲基）丙帰酸轻己醋、（甲基）丙帰酸轻丙醋、（甲基）丙帰酸轻 下醋、（甲基）丙帰酸轻己醋、（甲基）丙帰酸轻辛醋、（甲基）丙帰酸轻癸醋、（甲基）丙 帰酸轻月桂醋和甲基丙帰酸（4-轻甲基环己基）甲醋；含賴酸基单体如苯己帰賴酸、帰丙基 賴酸、2-(甲基）丙帰醜胺基-2-甲基丙賴酸、（甲基）丙帰醜胺基丙賴酸、（甲基）丙帰酸 賴丙醋和（甲基）丙帰醜氧基蔡賴酸；含磯酸基单体如2-轻己基丙帰醜磯酸醋；(N-取代 的）醜胺类单体如（甲基）丙帰醜胺、N，N-二甲基（甲基）丙帰醜胺、N-下基（甲基）丙 帰醜胺、N-轻甲基（甲基）丙帰醜胺和N-轻甲基丙焼（甲基）丙帰醜胺；（甲基）丙帰酸 氨基焼基醋类单体如（甲基）丙帰酸氨基己醋、（甲基）丙帰酸N，N-二甲氨基己醋和（甲 基）丙帰酸叔下氨基己醋；（甲基）丙帰酸焼氧基焼基醋类单体如（甲基）丙帰酸甲氧基 己醋和（甲基）丙帰酸己氧基己醋；氯基丙帰酸类单体如丙帰膳和甲基丙帰膳；含环氧基 丙帰酸类单体如（甲基）丙帰酸缩水甘油醋；苯己帰类单体如苯己帰和a -甲基苯己帰； 己帰基醋类单体例如己酸己帰醋和丙酸己帰醋；帰姪类单体如异戊二帰、下二帰和异下帰； 己帰基離类单体例如己帰離；含氮单体如N-己帰基化咯焼丽、甲基己帰基化咯焼丽、己帰 基化巧、己帰基脈巧丽、己帰基嚼巧、己帰基脈嗦、己帰基化嗦、己帰基化咯、己帰基咪哇、己 帰基嗯哇、己帰基吗晰、N-己帰基駿酸醜胺和N-己帰基己内醜胺；马来醜亚胺类单体如 N-环己基马来醜亚胺、N-异丙基马来醜亚胺、N-月桂基马来醜亚胺和N-苯基马来醜亚胺； 衣康醜亚胺类单体如N-甲基衣康醜亚胺、N-己基衣康醜亚胺、N-下基衣康醜亚胺、N-辛 基衣康醜亚胺、N-2-己基己基衣康醜亚胺、N-环己基衣康醜亚胺和N-月桂基衣康醜亚胺； 玻巧醜亚胺类单体如N-(甲基）丙帰醜氧亚甲基玻巧醜亚胺、N-(甲基）丙帰醜基-6-氧 六亚甲基玻巧醜亚胺和N-(甲基）丙帰醜基-8-氧八亚甲基玻巧醜亚胺；二醇类丙帰酸醋 单体如聚己二醇（甲基）丙帰酸醋、聚丙二醇（甲基）丙帰酸醋、甲氧基己二醇（甲基）丙 帰酸醋（methoxyethylene glycol(meth)ac;rylate)和甲氧基聚丙二醇（甲基）丙帰酸醋 (methoxypolypropylene glycol (meth) aciylate);具有杂环、团原子或娃原子等的丙帰酸 醋类单体，如（甲基）丙帰酸四氨慷醋、含氣（甲基）丙帰酸醋（fluorine (meth) acrylate) 和含娃丽（甲基）丙帰酸醋（silicone(meth)aarlate);多官能单体如己二醇二（甲基） 丙帰酸醋、（聚）己二醇二（甲基）丙帰酸醋、（聚）丙二醇二（甲基）丙帰酸醋、新戊二醇 二（甲基）丙帰酸醋、季戊四醇二（甲基）丙帰酸醋、H轻甲基丙焼H (甲基）丙帰酸醋、 季戊四醇H (甲基）丙帰酸醋、二季戊四醇六（甲基）丙帰酸醋、环氧丙帰酸醋、聚醋丙帰 酸醋、聚氨基甲酸己醋丙帰酸醋、二己帰基苯、二（甲基）丙帰酸下醋和二（甲基）丙帰酸 己醋等。该些可共聚合单体组分可单独或w两种w上的组合使用。
[0117] 在将照射固化型压敏粘合剂（或能量射线固化型压敏粘合剂）用作压敏粘合剂的 情况下，照射固化型压敏粘合剂（组合物）的实例包括其中在聚合物侧链或主链中具有自 由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，及其中将 UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中的照射固化型压敏粘合剂等。此外， 在将热膨胀性压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，提及包含压敏粘合剂和发泡剂（特别 地，热膨胀性微球）等的热膨胀性压敏粘合剂作为热膨胀性压敏粘合剂。
[0118] 在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层可包含各种添加剂 (例如，增粘剂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联 剂等）。
[0119] 交联剂不特别限制，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氯 酸醋类交联剂、环氧类交联剂、H聚氯胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脈类交联 齐U、金属醇盐类交联剂、金属馨合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、嗯哇晰 类交联剂、氮丙巧类交联剂和胺类交联剂等，异氯酸醋类交联剂和环氧类交联剂是合适的。 异氯酸醋类交联剂和环氧类交联剂的具体实例包括在关于有色晶片背面保护膜的段落中 具体示例的化合物（具体实例）。交联剂可单独或W两种W上的组合使用。此外，交联剂的 量不特别限制。
[0120] 在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可W通过用电子束或紫外 线照射进行交联处理。
[0121] 压敏粘合剂层例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂， 然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，压敏粘合剂层例如可通过 W下方法形成；包括施涂包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物至基材上的 方法，包括施涂上述混合物至适当隔离体（如隔离纸）上W形成压敏粘合剂层，然后将其转 移（转换）至基材的方法，或类似方法。
[0122] 压敏粘合剂层的厚度不特别限制，例如，为约5至300 y m，优选5至80 y m，更优选 15至50 y m。当压敏粘合剂层的厚度在上述范围内时，能够有效地显示适当的压敏粘合力。 压敏粘合剂层可为单层或多层。
[0123] 根据本发明，可使切割带集成晶片背面保护膜具有抗静电功能。由于该构造，能够 防止电路由于W下原因导致的中断：在紧密粘合（粘合）时和其剥离时静电能的产生或工 件（半导体晶片等）通过静电能的充电。赋予抗静电功能可通过适当的方式如W下方法进 行：添加抗静电剂或导电性物质至基材、压敏粘合剂层和有色晶片背面保护膜的方法，或在 基材上设置由电荷转移配合物（complex)组成的导电层或金属膜等的方法。作为该些方 法，优选难W产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改 进热传导性等的目的而共混的导电性物质（导电性填料）的实例包括银、铅、金、铜、媒或导 电性合金等的球形、针形、片形金属粉末；金属氧化物如氧化铅；无定形炭黑和石墨。然而， 从不具有漏电性的观点，有色晶片背面保护膜优选非导电性的。
[0124] 在本发明中，切割带可如上所述制备并使用，或可使用商购可得产品。
[0125] 此外，切割带集成晶片背面保护膜可W缠绕成卷形物（roll)的形式形成或可W 将片（膜）层压的形式形成。例如，在膜具有缠绕成卷形物的形式时，根据需要，W通过隔 离体保护切割带集成晶片背面保护膜的状态将膜缠绕成卷形物，由此可制备膜作为处于缠 绕成卷形物状态或形式的切割带集成晶片背面保护膜。在该点上，处于缠绕成卷形物状态 或形式的切割带集成晶片背面保护膜可由基材、在基材表面上形成的压敏粘合剂层、在压 敏粘合剂层上形成的晶片背面保护膜，和在基材另一表面上形成的可剥离处理层（后表面 处理层）构成。
[0126] 此外，切割带集成晶片背面保护膜的厚度（晶片背面保护膜的厚度和由基材和压 敏粘合剂层组成的切割带的厚度的总厚度）可选自，例如，11至300 y m的范围，并优选15 至200 y m，更优选20至150 y m。
[0127] 在切割带集成晶片背面保护膜中，晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层 厚度的比不特别限制，但例如，可适当选自晶片背面保护膜厚度/切割带的压敏粘合剂层 厚度=150/5至3/100的范围，并优选100/5至3/50,更优选60/5至3/40。当晶片背面 保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比在上述范围内时，能够显示适当的压敏粘合 力，并能够显示优良的切割性和拾取性。
[012引此外，在切割带集成晶片背面保护膜中，晶片背面保护膜厚度与切割带厚度（基 材和压敏粘合剂层的总厚度）的比不特别限制，但例如，可适当选自晶片背面保护膜厚度/ 切割带厚度=150/50至3/500的范围，并优选100/50至3/300,更优选60/50至3/150。当 晶片背面保护膜厚度与切割带厚度的比在150/50至3/500范围内时，拾取性良好，并能够 抑制或防止在切割时产生横向残渣。
[0129] 如上所述，通过控制晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比或晶 片背面保护膜厚度与切割带厚度（基材和压敏粘合剂层的总厚度）的比，能够改进切割步 骤时的切割性和拾取步骤时的拾取性等，并且从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒 装芯片接合步骤均能够有效地利用切割带集成晶片背面保护膜。
[0130] (切割带集成晶片背面保护膜的生产方法）
[0131] 使用切割带集成晶片背面保护膜1作为实例描述本发明的切割带集成晶片背面 保护膜的生产方法。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括 压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤 出法和干法层压法。
[0132] 接着，压敏粘合剂层32通过W下形成：将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上， 接着干燥（根据需要，在加热下交联）。施涂方法的实例包括親涂、丝网涂布（screen coating)和凹版涂布（gravure coating)。在该点上，压敏粘合剂组合物的施涂可直接在 基材31上进行，W在基材31上形成压敏粘合剂层32,或可将压敏粘合剂组合物施涂至其表 面已进行剥离处理W形成压敏层的隔离纸等上，然后将其转移至基材31上，从而在基材31 上形成压敏粘合剂层32。因而，切割带3通过在基材31上形成压敏粘合剂层32来制备。
[0133] 另一方面，涂布层可通过施涂用于形成有色晶片背面保护膜2的形成材料至隔离 纸上W在干燥并在规定条件下进一步干燥（在需要热固化的情况下，根据需要进行热处理 并干燥）后具有规定厚度来形成。有色晶片背面保护膜2通过将该涂布层转移至压敏粘合 剂层32上而在压敏粘合剂层32上形成。在该点上，晶片背面保护膜2还可通过在压敏粘 合剂层32上直接施涂用于形成有色晶片背面保护膜2的形成材料，接着在规定条件下干 燥（在需要热固化的情况下，根据需要进行热处理并干燥），而在压敏粘合剂层32上形成。 从而，获得根据本发明的切割带集成晶片背面保护膜1。此外，在形成有色晶片背面保护膜 2时进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至实现部分固化的程度，但优选不进行热固 化。
[0134] 在包括倒装芯片接合步骤生产半导体器件时可适当使用本发明的切割带集成晶 片背面保护膜。目P，在生产倒装芯片安装的半导体器件时使用本发明的切割带集成晶片背 面保护膜，因而W切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜粘贴至半导体芯片背 面的状态或形式生产倒装芯片安装的半导体器件。因此，本发明的切割带集成晶片背面保 护膜可用于倒装芯片安装的半导体器件（处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固定至 被粘物如基板的状态或形式的半导体器件）。
[0135] (半导体晶片）
[0136] 工件（半导体晶片）不特别限制，只要其为已知或通常使用的半导体晶片即可，并 可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可 适当地使用娃晶片。
[0137] (半导体器件的生产方法）
[013引用于生产本发明半导体器件的方法不特别限制，只要其为使用切割带集成晶片背 面保护膜生产半导体器件的方法即可。例如，可提及包括W下步骤的生产方法等：
[0139] 粘贴工件至切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片背面保护膜的步骤（安装步 骤）；
[0140] 切割工件W形成芯片形工件的步骤（切割步骤）；
[0141] 与有色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件的步骤 (拾取步骤）；和
[0142] 通过倒装芯片接合将芯片形工件固定至被粘物的步骤（倒装芯片接合步骤）。
[0143] 更具体地，作为生产半导体器件的方法，例如，半导体器件可使用本发明的切割带 集成晶片背面保护膜生产，在有色晶片背面保护膜上任选地设置隔离体后，如下适当地剥 离。其后，参考图2A至2D，使用切割带集成晶片背面保护膜1作为实例描述该方法。
[0144] 图2A至2D为示出使用本发明的切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方 法的一个实施方案的横截面示意图。在图2A至2D中，如上所述，4为工件（半导体晶片）， 5为芯片形工件（半导体芯片），51为在半导体芯片5的电路面形成的凸起，6为被粘物，61 为用于结合附着至被粘物6的连接垫的导电性材料，1、2、3、31和32分别为切割带集成晶片 背面保护膜、有色晶片背面保护膜、切割带、基材和压敏粘合剂层。
[0145] (安装步骤）
[0146] 首先，如图2A所示，将半导体晶片（工件）4粘贴（压接）至切割带集成晶片背面 保护膜1中的有色晶片背面保护膜2上，W通过紧密粘合和保持来固定半导体晶片（安装 步骤）。通常在用加压装置如加压親加压的同时进行本步骤。
[0147] (切割步骤）
[014引接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切割成规定尺寸并个 体化（形成小片），W生产半导体芯片（芯片形工件）5。所述切割根据常规方法例如从半导 体晶片4的电路面侧进行。另外，本步骤可采取例如形成达到切割带集成晶片背面保护膜 1的切口（slit)的称作完全切割的切割方法。在本发明中，重要的是在切割步骤中将工件 全部切割（完全切割）。在此情况下，重要的是工件与有色晶片背面保护膜一起切割，同时 完全切割有色晶片背面保护膜。目P，重要的是本步骤为通过一起切割工件与有色晶片背面 保护膜来形成芯片形工件的步骤。在该点上，在一起切割工件与有色晶片背面保护膜时，W 在切割带上不形成切口的形式或W至少部分地形成切口（优选部分地从而不切开切割带） 的形式进行切割。本步骤中使用的切割设备不特别限制，可使用常规已知的设备。此外，由 于半导体晶片4通过切割带集成晶片背面保护膜1粘合并固定，可抑制芯片破裂和碎屑飞 散，W及还可抑制半导体晶片破损。在该点上，当有色晶片背面保护膜2由包含环氧树脂的 树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切开时，也抑制或防止在切开面上产生粘合剂从 有色晶片背面保护膜挤出。结果，可抑制或防止切开面自身的再附着（粘连化locking))， 从而可更加方便地进行W下要描述的拾取。
[0149] 在切割带集成晶片背面保护膜扩展（expanding)的情况下，扩展可使用常规已知 的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动切割带集成晶片背面保护膜向下通过切割环 的环形外环，和直径小于外环并支撑切割带集成晶片背面保护膜的内环。由于该扩展步骤， 可W防止相邻的半导体芯片在W下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。
[0150] (拾取步骤）
[0151] 如图2C所示进行半导体芯片5的拾取，W与有色晶片背面保护膜2 -起，从切割 带3剥离半导体芯片5,从而收集粘合并固定至切割带集成晶片背面保护膜1上的半导体芯 片5。拾取方法不特别限制，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从切 割带集成晶片背面保护膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5,并用拾取设备拾取推出 的半导体芯片5的方法。在该点上，拾取的半导体芯片5在背面（也称为无电路面、无电极 形成面等）用有色晶片背面保护膜2保护。
[0152] (倒装芯片接合步骤）
[0153] 拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法（倒装芯片安装法）固定于被粘物6如 基材。具体地，W半导体芯片5的电路面（也称为前面、电路图案形成面、电极形成面等） 与被粘物6相对的形式根据常规方式将半导体芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半导 体芯片5的电路面处形成的凸起51与粘贴至被粘物6的连接垫的导电性材料61接触，并 在加压下烙融导电性材料，由此能够确保半导体芯片5和被粘物6之间的电连接，并将半导 体芯片5固定于被粘物6上。在该点上，在固定半导体芯片5至被粘物6时，重要的是将半 导体芯片5和被粘物6的相对面W及间隙预先洗涂，然后将封装材料（如封装树脂）填充 入该间隙中。
[0154] 作为被粘物，可使用各种基板如引线框和电路板（如布线电路板）。基板的材料不 特别限制，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来醜亚胺H嗦 基板和聚醜亚胺基板。
[0155] 在倒装芯片接合中，凸起的材料和导电性材料不特别限制，其实例包括焊料（合 金）如锡-铅类金属材料、锡-银类金属材料、锡-银-铜类金属材料、锡-锋类金属材料、 锡-锋-饿类金属材料和金类金属材料及铜类金属材料。
[0156] 此外，在本步骤中，将导电性材料烙融W连接半导体芯片5的电路面处的凸起和 在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料烙融时的温度通常为约26(TC (例如，25CTC 至30(TC )。通过形成具有环氧树脂等的晶片背面保护膜，可使本发明的切割带集成晶片背 面保护膜具有能够忍耐在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。
[0157] 此外，在洗涂在倒装芯片接合中半导体芯片5和被粘物6之间的相对面（电极形 成面）W及间隙时使用的洗涂液不特别限制，该液体可为有机洗涂液或可为水性洗涂液。 在本发明的切割带集成晶片背面保护膜中的有色晶片背面保护膜具有对洗涂液的耐溶剂 型，并且对该些洗涂液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涂液作为该洗涂 液，并可通过任何常规方法无需任何特别的洗涂液实现该洗涂。
[015引在本发明中，在封装半导体芯片5和被粘物6之间的间隙时使用的封装材料不特 别限制，只要该材料为具有绝缘性的树脂（绝缘树脂）即可，可在已知封装材料如封装树脂 中适当选择和使用。封装树脂优选具有弹性的绝缘树脂。封装树脂的实例包括含环氧树脂 的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及W上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂 组合物组成的封装树脂可包含除了环氧树脂之外的热固性树脂（如酷酵树脂）或除了环氧 树脂之外的热塑性树脂。此外，可利用酷酵树脂作为环氧树脂用固化剂，作为该酷酵树脂， 可提及W上示例的酷酵树脂。
[0159] 在用封装树脂的封装步骤中，封装树脂通常通过加热来固化W实现封装。在很多 情况下封装树脂的固化通常在175C下进行60至90砂。然而，在本发明中，不限于此，例 女口，固化可在165至185C的温度下进行几分钟。在有色晶片背面保护膜由包含热固性树脂 的树脂组合物形成的情况下，在固化封装树脂时构成有色晶片背面保护膜的热固性树脂可 完全或几乎完全固化。
[0160] 半导体芯片5和被粘物6之间间隙的距离通常为约30至300 y m。
[0161] 在本发明的使用切割带集成晶片背面保护膜生产的半导体器件（倒装芯片安装 的半导体器件）中，由于有色晶片背面保护膜粘贴至芯片形工件背面上，可W优良的可见 性实施各种标识。特别地，即使当标识方法为激光标识方法时，标识也能够W优良的对比率 实施，因而可W观察通过具有良好可见性的激光标识实施的各种信息（文字信息、图形信 息等）。在激光标识时，可利用已知激光标识设备。此外，作为激光器，可W利用各种激光 器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已知气 体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器（CA激光器）和准分子激光器（ArF激光器、 KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等）是合适的。作为固态激光器，可利用任何已知的 固态激光器而没有特别限制，但YAG激光器（如Nd:YAG激光器）和YV04激光器是合适的。
[0162] 由于本发明的使用切割带集成晶片背面保护膜生产的倒装芯片安装的半导体器 件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，该器件与通过模片接合安装法安装的半导体 器件相比具有变薄和小型化的形状。因而，可适当采用倒装芯片安装的半导体器件作为各 种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导 体器件的电子器件，可提及所谓的"移动电话"和叩HS"，小尺寸计算机[所谓的"PDA"(手 持终端），所谓的"笔记本尺寸的个人计算机"，所谓的"Net Book (商标）"和所谓的"可穿 戴计算机"等]，具有"移动电话"和计算机集成形式的小尺寸电子器件，所谓的"Digital Camora (商标）"，所谓的"数码摄像机"，小尺寸电视机，小尺寸游戏机，小尺寸数字音频播 放机，所谓的"电子记事本"，所谓的"电子词典"，用于所谓的"电子书"的电子器件终端，移 动电子器件（可携带电子器件）如小尺寸数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件 之外的电子器件（固定型电子器件等），例如所谓的"桌面个人计算机"、薄型电视机、用于 记录和复制的电子器件（硬盘录像机化ard disk recorders)、DVD播放机等）、投影仪和 微型机等。此外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件不特别限制，其实例包 括用于所谓"CPU"的部件和用于各种记忆器件（所谓的"存储器"、硬盘等）的构件。
[016引 连施例
[0164] W下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，在该些实施例中描述的材 料和混合量等不意于将本发明的范围限制于此，除非另外说明，它们仅为说明性实例。此 夕F，除非另外说明，在各实例中的份为重量标准。
[01巧] 连施例1
[0166] <有色晶片背面保护膜的制造〉
[0167] 基于100份具有丙帰酸己醋和甲基丙帰酸甲醋作为主要组分的丙帰酸醋类聚合 物（商品名"PARACR0N W-197CM，，，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造），将 113份环氧树脂（商品名"EPIC0AT1004"，由巧R Co.，Ltd.制造）、121份酷酵树脂（商 品名"MILEX nX-化"，由Mitsui Chemicals，Inc.制造）、246份球形二氧化娃（商品 名"S0-25R"，由Admatechs Co.，Ltd.制造，平均粒径；0. 5 y m)、5份染料1 (商品名"OIL GREEN502"，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造）和 5 份染料 2 (商品名"OIL BLACK BS",由 Orient Qiemical Industries Co. , Ltd.制造）溶解于甲己丽中，W制备具 有固体浓度为23. 6重量％的树脂组合物溶液。
[016引将树脂组合物溶液施涂至由具有厚度50 ym的聚对苯二甲酸己二醋膜组成的作 为可剥离衬垫（隔离体）的可剥离处理膜上，然后在13CTC下干燥2分钟，W制造具有厚度 (平均厚度）20 y m的有色晶片背面保护膜A，所述可剥离处理膜已进行娃丽剥离处理。
[0169] <切割带集成晶片背面保护膜的制造〉
[0170] 将上述有色晶片背面保护膜A使用手动親粘贴至切割带（商品名"V-8-T"， 由Nitto Denko Co巧oration制造；基材的平均厚度；65]im，压敏粘合剂层的平均厚度： 10 y m)的压敏粘合剂层上，W制造切割带集成晶片背面保护膜。
[0171] 连施例2
[0172] <有色晶片背面保护膜的制造〉
[0173] 基于100份具有丙帰酸己醋和甲基丙帰酸甲醋作为主要组分的丙帰酸醋类聚合 物（商品名"PARACR0N W-197CM，，，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造），将 113份环氧树脂（商品名"EPIC0AT1004"，由巧R Co.，Ltd.制造）、121份酷酵树脂（商 品名"MILEX nX-化"，由Mitsui Chemicals, Inc.制造）、246份球形二氧化娃（商品名 "S0-25R"，由 Admatechs Co.，Ltd.制造，平均粒径；0. 5ym)、10 份染料 1(商品名"OIL GREEN502"，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造）和 10 份染料 2(商品名"OIL BLACK BS",由 Orient Qiemical Industries Co. , Ltd.制造）溶解于甲己丽中，W制备具 有固体浓度为23. 6重量％的树脂组合物溶液。
[0174] 将树脂组合物溶液施涂至由具有厚度50 ym的聚对苯二甲酸己二醋膜组成的作 为可剥离衬垫（隔离体）的可剥离处理膜上，然后在13CTC下干燥2分钟，W制造具有厚度 (平均厚度）20 y m的有色晶片背面保护膜B，所述可剥离处理膜已进行娃丽剥离处理。
[0175] <切割带集成晶片背面保护膜的制造〉
[0176] 将上述有色晶片背面保护膜B使用手动親粘贴至切割带（商品名"V-8-T"， 由Nitto Denko Co巧oration制造；基材的平均厚度；65 y m，压敏粘合剂层的平均厚度： 10 ym)的压敏粘合剂层上，W制造切割带集成晶片背面保护膜。
[0177] 此外，在根据实施例1至2的切割带集成晶片背面保护膜中，有色晶片背面保护 膜的厚度（平均厚度）为20ym。此外，关于切割带（商品名"V-8-T"，由Nitto Denko Co巧oration制造），基材的厚度（平均厚度）为65 y m，压敏粘合剂层的厚度（平均厚度） 为10 y m，总厚度为75 y m。因此，在根据实施例1至2的切割带集成晶片背面保护膜中，有 色晶片背面保护膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比（有色晶片背面保护膜厚度/切 割带的压敏粘合剂层厚度；W平均厚度计的比）为20/10,有色晶片背面保护膜厚度与切割 带厚度（基材和压敏粘合剂层的总厚度）的比（有色晶片背面保护膜厚度/切割带厚度； W平均厚度计的比）为20/75。
[0178] (评价1 ;晶片背面保护膜物理性质的测量）
[0179] 关于在实施例1至2中制造的切割带集成晶片背面保护膜中的晶片背面保护膜 (有色晶片背面保护膜），测量可见光透射比（％)、吸湿度（重量％)和重量减少率（重 量％ )。测量结果示于表1中。
[0180] <可见光透射比的测量方法〉
[0181] 在实施例1至2中制造的各有色晶片背面保护膜（有色晶片背面保护膜A至B) (厚度；20ym)使用商品名"ABSORPTION S阳CTR0 P册T0MET邸"（由 aiimadzu Corporation 制造）在规定强度下用具有波长400皿至800皿的可见光照射，并测量透过的可见光的强 度。从可见光通过有色晶片背面保护膜前后的强度变化，确定可见光透射比（％)。
[0182] <吸湿度的测量方法〉
[0183] 使在实施例1至2中制造的各有色晶片背面保护膜（有色晶片背面保护膜A至B) 在温度85C和湿度85% RH的恒温恒湿室中静置168小时。从静置前后的重量变化，确定 吸湿度（重量％)。
[0184] <重量减少率的测量方法〉
[0185] 使在实施例1至2中制造的各有色晶片背面保护膜（有色晶片背面保护膜A至B) 在25CTC的干燥机中静置1小时。从静置前后的重量变化（重量减少量），确定重量减少率 (重量％)。
[0186] (评价。
[0187] 此外，在实施例1至2中制造的切割带集成晶片背面保护膜上，通过W下评价或测 量方法来评价或测量有色晶片背面保护膜的弹性模量、切割性、拾取性、倒装芯片接合性、 晶片背面的标识性能和晶片背面的外观性。评价或测量结果全部一起描述于表2中。
[018引 < 有色晶片背面保护膜的弹性模量的测量方法〉
[0189] 有色晶片背面保护膜的弹性模量通过如下测定；制备不层压至切割带上的有色 晶片背面保护膜，并使用由化eome化ics Co.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备"Solid Analyzer RS A2"，于规定温度（23°C)下，在氮气气氛中，在样品宽度10mm、样品长度 22. 5mm、样品厚度0. 2mm、频率mz和升温速率1(TC /分钟的条件下，W拉伸模式测量弹性 模量，将其作为所得的拉伸胆能弹性模量E'的值。
[0190] <切割性/拾取性的评价方法〉
[0191] 使用实施例1至2的各切割带集成晶片背面保护膜，通过实际切割半导体晶片评 价切割性，然后评价剥离性，将各评价作为切割带集成晶片背面保护膜的切割性或拾取性 的评价。
[0192] 将半导体晶片（直径；8英寸，厚度；0. 6mm ;娃镜面晶片）进行背面研磨处理，并使 用具有厚度0. 2mm的镜面晶片作为工件。从切割带集成晶片背面保护膜剥离隔离体后，将 镜面晶片（工件）在7(TC下通过親压接合粘贴在有色晶片背面保护膜上，并进一步进行切 害IJ。此处，所述切割作为完全切割进行，W成为10mm见方的芯片尺寸。在该点上，半导体晶 片磨削条件、粘贴条件和切割条件如下。
[0193] (半导体晶片的磨削条件）
[0194] 磨削设备；商品名"DFG-8560"，由DISCO Co巧oration制造
[0195] 半导体晶片；8英寸直径（从厚度0. 6mm将背面磨削至厚度0. 2mm)
[0196] (粘贴条件）
[0197] 粘贴设备；商品名"MA-3000II"，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造
[0198] 粘贴速度；lOmm/min
[0199] 粘贴压力；0. 15MPa
[0200] 粘贴时的阶段温度；7(TC
[0201] (切割条件）
[020引 切割设备；商品名"D抑-6361"，由DISCO Co巧oration制造
[020引 切割环；"2-8-1"(由 DISCO Co巧oration 制造）
[0204]切割速度；30mm/sec [020引切割刮刀：
[020引 Z1 ;"2030-沈27肥孤"，由 DISCO Co巧oration 制造
[0207] Z2 ;"2030-沈27肥BB，，，由 DISCO Co巧oration 制造 [020引切割刮刀旋转速率：
[0209] Z1 ;40, OOOr/min
[0210] Z2 ;45, OOOr/min
[0211] 切割方法：阶梯切割（step cutting)
[0引引 晶片芯片尺寸；10. 0mm2
[0213] 在切割中，确认镜面晶片（工件）是否牢固保持在切割带集成晶片背面保护膜上 而未剥离W进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为"良好"，将未良好进行切 割的情况评级为"差"，如此评价切割性。
[0214] 接下来，通过用针状物从切割带集成晶片背面保护膜的切割带侧向上推动工件， 将通过切割获得的芯片形工件与有色晶片背面保护膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离， 由此拾取处于背面用有色晶片背面保护膜保护的状态的芯片形工件。测定此时的芯片（总 计400片）的拾取率（％)，W评价拾取性。因此，当拾取率越接近于100%时，拾取性越好。
[0215] 此处，拾取条件如下。
[0216] (半导体晶片的拾取条件）
[0217] 拾取设备；商品名"SPA-300"，由 Siinkawa Co.，Ltd.制造 [021引拾取针状物的数量；9个针状物
[0219] 向上推动针状物的速度；20mm/s
[0220] 向上推动针状物的距离；500y m
[0221] 拾取运行时间；1砂
[0222] 切割带扩展量；3mm
[0223] <倒装芯片接合性的评价方法〉
[0224] 在通过使用根据各实施例的切割带集成晶片背面保护膜的上述 < 切割性/拾取性 的评价方法〉获得的根据各实施例的芯片形工件上，W芯片形工件的表面（电路面）与具 有对应于电路面的布线的电路板表面相对的形式，使在芯片形工件的电路面处形成的凸起 与粘贴至电路板连接垫的导电性材料（焊料）接触，使导电性材料通过升高温度至26(TC在 加压下烙融，然后冷却至室温，由此将芯片形工件固定至电路板上，从而制造半导体器件。 根据W下评价标准评价此时的倒装芯片接合性。
[0225] <倒装芯片接合性的评价标准〉
[0226] 良好；通过倒装芯片接合法能够实现安装而没有任何问题；
[0227] 差：通过倒装芯片接合法不能实现安装。
[022引 < 晶片背面标识性能的评价方法〉
[0229] 在通过上述 < 倒装芯片接合性的评价方法〉获得的半导体器件中芯片形工件 (即，有色晶片背面保护膜的前面）的背面上实施激光标识。关于通过激光标识（条形码信 息）获得的信息，根据W下评价标准评价使用根据各实施例的切割带集成晶片背面保护膜 获得的半导体器件的激光标识性能。
[0230] (激光标识性能的评价标准）
[0231] 良好；判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10 个成人中的8个人W上。
[0232] 差；判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个 成人中的7个人W下。
[0233] <晶片背面外观的评价方法〉
[0234] 在通过使用根据各实施例的切割带集成晶片背面保护膜的上述 < 切割性/拾取性 的评价方法〉获得的根据各实施例的芯片形工件上，根据W下评价标准目视评价芯片形工 件背面的外观性。
[0235] (外观性的评价标准）
[0236] 良好；在晶片（娃晶片）背面和芯片形工件中的有色晶片背面保护膜之间没有观 察到剥离（漂浮）；
[0237] 差；在晶片（娃晶片）背面和芯片形工件中的有色晶片背面保护膜之间观察到剥 离（漂浮）。
[023引 表1
[0239]

【权利要求】
1. 一种切割带集成晶片背面保护膜，其包括： 切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和 晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上， 其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且 所述有色晶片背面保护膜具有3GPa W上的在23C下的弹性模量， 所述晶片背面保护膜在温度85C和湿度85% RH的气氛下放置168小时时的吸湿度为 1重量％ W下。
2. 根据权利要求1所述的切割带集成晶片背面保护膜，其中所述有色晶片背面保护膜 具有激光标识性能。
3. 根据权利要求1或2所述的切割带集成晶片背面保护膜，其用于倒装芯片安装的半 导体器件。
4. 一种使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件的方法，所述方法包括W下步 骤： 粘贴工件至根据权利要求1-3任一项所述的切割带集成晶片背面保护膜的有色晶片 背面保护膜上， 切割所述工件W形成芯片形工件， 与所述有色晶片背面保护膜一起，从切割带的压敏粘合剂层剥离所述芯片形工件，和 通过倒装芯片接合将所述芯片形工件固定至被粘物。
5. -种倒装芯片安装的半导体器件，其使用根据权利要求1-3任一项所述的切割带集 成晶片背面保护膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的 切割带集成晶片背面保护膜的晶片背面保护膜。
【文档编号】H01L23/544GK104465515SQ201410568379
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2010年1月29日 优先权日:2009年1月30日
【发明者】高本尚英 申请人:日东电工株式会社