专利名称：晶片切割方法
技术领域：
本发明与一种晶片切割方法有关。更特定言之，其涉及一种可避免切割所产生的脏污沾染到晶片内部结构的晶片切割方法。
背景技术：
在一般的晶片制作工艺完成后，晶片会需要进行一晶片切割(wafer dicing)步骤来将制作于其上的各种电路或结构切割成一个个各别独立的单元，如管芯(die)或结构模块，之后才进行封装或组装动作。就晶片的切割而言，其通常会通过切割机具沿着所定义的各单元之间的切割道切断整个晶片以将各单元分离。在切割的过程中，无可避免地，一定会有碎屑、脏污等杂质粒子飞溅到晶片表面上。要清洗或擦拭该些落在晶片表面的杂质粒子十分不易，特别是对于那些表面未覆盖有保护层或是裸露有特殊结构的晶片而言(如一布满镜头单元的镜头晶片wafer lens)，表面杂质粒子的存在会影响到外观或是元件的功能性运作，必须进行一清洗制作工艺来加以清除，其无疑增加了制作成本，且有伤害或劣化晶片上制作完成的元件之虞。现在请参照图1与图2所示，其以具体的截面图来表示出一般现有技术中的镜头晶片切割方法。如图1所示，镜头晶片100在进行切割前会先粘附在一切割胶膜(dicingtape) 101上，以提供切割后的各镜头模块单元结构性支撑。接着，如图2所示，一切割步骤会从镜头晶片100未粘有胶膜101的另一面来施行，该切割动作会将镜头晶片100切割成个别的镜头模块单元103，该每一镜头模块单元103皆具有裸露出的透镜结构105。在切割过程中，碎屑、脏污、或杂质粒子107等会沾污到镜头模块单元103中的透镜结构105，要将其从容置透镜结构105的凹槽中移除十分不易。故此，现今业界仍需对现有现有的晶片切割技术加以改良，以期能够以最简单、有效的方式来避免切割后的残屑或脏污`沾染到制作完成的元件，解决先前技术中存在已久的问题。
发明内容
本发明的目的在于提出了一种晶片切割方法，其作法有别于一般现有作法，特点整个步骤流程中特别采用三个性质不同的切割胶膜，并以此达到隔绝切割残屑与晶片本体结构的功效，由此解决上述现有技术中晶片切割后切割残屑或脏污易污染晶片表面结构的问题。为了达上述目的，本发明提供一种晶片切割方法，其步骤包含提供一晶片、在该晶片的第一表面粘上一第一胶膜、在该晶片的第二表面粘上一第二胶膜、从该第一表面对该第一胶膜与该晶片进行切割但不切断该第二胶膜、在切割后的该第一胶膜上粘上一层第三胶膜、以及将该第三胶膜连同粘附的切割后第一胶膜自该晶片上移除。无疑地，本发明的这类目的与其他目的在阅者读过下文以多种图示与绘图来描述的较佳实施例细节说明后将变得更为显见。
本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，以使阅者对本发明实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在该些图示中:图1 图2为现有技术中的镜头晶片切割方法的截面示意图；图3 图8为根据本发明实施例一晶片切割方法一系列的截面不意图；图9为根据本发明实施例一晶片切割方法的步骤流程。需注意本说明书中的所有图示皆为图例性质。为了清楚与方便图示说明之故，图示中的各部件在尺寸与比例上可能会被夸大或缩小地呈现。图中相同的参考符号一般而言会用来标示修改后或不同实施例中对应或类似的特征。主要元件符号说明100透镜晶片101胶膜103透镜模块单元105透镜结构107杂质粒子300 晶片301基底303第一表面305第二表面307结构单元309a第一间隔体309b第二间隔体311槽313透镜结构315第一胶膜317第二胶膜321杂质粒子323第三胶膜900步骤流程901 906步骤Cl第一去粘性制作工艺C2第二去粘性制作工艺
具体实施例方式在下文的细节描述中，元件符号会标示在随附的图示中成为其中的一部分，并且以可实行该实施例的特例描述方式来表示。这类实施例会说明足够的细节以使该领域的一般技术人士得以具以实施。阅者需了解到本发明中也可利用其他的实施例或是在不悖离所述实施例的前提下作出结构性、逻辑性、及电性上的改变。因此，下文的细节描述将不欲被视为是一种限定，反之，其中所包含的实施例将由随附的权利要求来加以界定。本发明通篇说明书与随附权利要求中会使用某些词汇来指称特定的组成元件。该领域的技术人士将理解到，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称一相同的元件。再者，在下文说明与权利要求中，「第一」、「第二」...「第N」等先行词汇用来赋予相同或类似的元件一可彼此区别的代表指称，其非意欲限定该些所指称的元件或是具备任何特殊专利特征上的意义。现在请依序参照图3 图8，其以一系列的截面图来表示本发明晶片切割方法的步骤流程。本发明切割方法的对象物主要为晶片，特别针对正反两面都设置有结构单元的晶片种类，如一镜头晶片(wafer lens)。在下述实施例中将以正反两面都具有透镜结构的晶片级(wafer level)切割方法流程，然而需注意本发明方法并不以此为限，其也可应用在其他种类的晶片切割上，如各种采用晶片级制作工艺的晶片。首先，如图3所示，本发明方法中会先提供一晶片300。该晶片300以一基底301作为结构基材。晶片300具有一第一表面303与一与第一表面303相对的第二表面305。在本实施例中，晶片3 00包括多个第一间隔体309a、多个第二间隔体309b以及多个透镜结构313。各第一间隔体309a设于基底301面对第一表面的一侧上，且各第二间隔体309b设于基底301面对第二表面的一侧上，并对应各第一间隔体309a设置，使任两相邻的第一间隔体309a与任两相邻的第二间隔体309b定义出一结构单元307。任两相邻的第一间隔体309a之间具有一凹槽311，且任两相邻的第二间隔体309a之间具有另一凹槽311。各透镜结构313分别设于各凹槽311底部的基底301上。并且，本实施例的各透镜结构313可为一半圆透镜，且半圆透镜的球面朝基底301的外侧设置，使位于基底301上下两侧的透镜结构313彼此对应，并构成一晶片级镜头模块。或者，其可与其他组件构成一完整的晶片级镜头模块。需注意在其他实施例中，晶片300也可能仅有单面设有间隔体与透镜结构，另一面仅为一平面。晶片300上的结构单元307可能未以间隔体309来彼此区隔，仅为突出于基底301外的透镜结构。或者，晶片300的各结构单元307上可能已覆盖有一层保护玻璃(cover glass)。接着请参照图4，在进行晶片切割之前，晶片300的第一表面303与第二表面305会先分别粘上一层胶膜，该些胶膜在后续步骤中会发挥其功效，详见后述说明。如图所示，晶片300的第一表面303上会黏附一层第一胶膜315,而晶片300的第二表面305上则会粘附一第二胶膜317。第一胶膜315粘附在第一间隔体309a上，第二胶膜317粘附在第二间隔体309b上，使得各凹槽311中的透镜结构313与外界隔绝。在本发明中，第一胶膜315可为UV胶片或热解胶片，其可贴附整个晶片面以提供结构支撑，且可在经过特殊的去粘性处理(如照射UV光或加热)后消除其粘性，使其易于从晶片300上移除。并且，第二胶膜317可为UV胶片或热解胶片，但值得注意的是，第一胶膜315与第二胶膜317以不同材质构成或是具有不同的去黏性特性，例如其一者为UV胶片而另一者为热解胶片，使得两者必须通过不同的去黏性方式来去除其粘性。在本发明其他的实施例中，例如各结构单元307仅为透镜结构313而未具有分隔的间隔体309的例子中，第一胶膜315或第二胶膜317也可采胶状物型态直接涂布在突出的透镜结构313上而凝固形成，而非通过胶片方式贴覆在晶片面上。
请参照图5，在晶片300的两面贴上胶膜后，接着即可对晶片进行切割步骤。如图所示，其表示出晶片300被切割成一块块具有第一胶膜315的个别的结构单元307态样。该切割步骤可通过一刀具(如一轮锯，未图示)沿着设在第一间隔体309上的切割道来切割而达成。更具体言之，在本发明一具体实施例中，切割动作会从晶片300的第一表面303进行，该切割动作会依序切过第一表面303上的第一胶膜315、基底301上侧的第一间隔体309a、基底301下侧的第二间隔体309b，而停在基底下侧的第二胶膜317上。需注意该切割动作并不会切穿第二胶膜317，使得第二胶膜317可维持支撑切割后各结构单元307的功倉泛。在上述切割过程中，不可避免地，一定会有部分切削下来的碎屑、脏污、或杂质粒子321等飞溅在晶片面上，或是晶片在进行切割时会同时冲水来降低切割所产生的高热，该冲水动作也可能将杂质粒子321带到晶片面上。对此现象而言，前述密封住各凹槽311的第一胶膜315则可起到屏蔽效果，如图5所示，使得杂质粒子321会落在第一胶膜315的膜面上，而不会污染到凹槽311内部的透镜结构313。在完成上述切割动作后，如图6所示，接下来切割后的第一胶膜315上会贴覆一层第三胶膜323。该第三胶膜323的贴覆将使位在第一胶膜315表面、因切割产生的脏污或杂质粒子321黏固在第一胶膜315与第三胶膜323之间。在本发明一较佳实施例中，第三胶膜323为不具有任何去黏性特性的胶片(如具有粘性的普通胶片)。如此，该第三胶膜323不会因为后续任何的处理而失去黏性，进而无法粘附切割后的第一胶膜315。或者，该第三胶膜323的去黏性特性可不同于第一胶膜315及第二胶膜317两者，使其不会受到后续针对该第一胶膜315及第二胶膜317的去黏性处理影响。在贴上第三胶膜323后,在晶片300的第一表面303上进行一第一去黏性制作工艺Cl (如照射UV光或是加热)，使得第一胶膜315失去黏性。需注意第一去黏性制作工艺Cl针对第一胶膜315所施行者，其不会对不同去黏性性质的第二胶膜317或第三胶膜323产生效果。如此，在经过第一去黏性制作工艺Cl后，第一胶膜315会失去其固有的粘性而不再粘固在晶片300的第一表面303 (或第一间隔体309a)上，但未去黏性的第三胶膜323仍可黏附着切割后的第一胶膜315，而未去黏性的第二胶膜317仍可黏附着切割后个别的结构单元307。在第一去黏性制作工艺Cl完成后,如图7所不，由于第一胶膜315已失去其粘性，使用者可以直接将第三胶膜323连同其上所粘附切割后的第一胶膜315自晶片300的第一表面上303剥离，露出各凹槽311中未受到杂质粒子或脏污污染的透镜结构313。于此阶段中，各切割后的结构单元307粘附在未受到切割且未失去粘性的第二胶膜317上。在此阶段，晶片300的第二表面305上会进行一不同于前述第一去黏性制作工艺Cl的第二去黏性制作工艺C2 (如照射UV光或是加热)来使第二胶膜317失去黏性。在最后的步骤中，如图8所示，由于第二胶膜317经过第二去黏性制作工艺C2而失去粘性，第二胶膜317实质上仅能支承住其上个别的结构单元307或是提供微弱的粘附力，此时使用者可利用一捡放机具(Pick and place tool，如夹取装置者)来个别捡取第二胶膜317上的结构单元307，如此，即可获得表面干净的各结构单元307。在本发明其他实施例中，第二胶膜317也可能不会经过任何的去粘性制作工艺。在此类实施例中，已移除第一胶膜 315与第三胶膜323的晶片300会直接进行一扩晶步骤，该扩晶步骤可为直接对仍粘附着晶片300的第二胶膜317作与晶片300平面平行径向向外拉伸动作来达成。对第二胶膜317的拉伸动作将会使其粘性降低，并且使已切割成的结构单元307分隔，之后粘附在第二胶膜317上的各结构单元307可通过一吸头装置来加以吸取。如此，即可获得表面干净的各结构单元307。综合上述图3 图8的截面图示说明，图9总结出本发明晶片切割方法的步骤流程900概要。首先，在步骤901，提供一待切割晶片；在步骤902，在待切割晶片的第一表面与第二表面上分别粘上一第一胶膜与一第二胶膜；在步骤903，从第一表面对晶片进行切割以将该晶片切割成多个单元，但不切断第二胶膜；在步骤904，在受切割后的第一胶膜上粘上一第三胶膜；在步骤905，将第三胶膜连同所粘附的第一胶膜自该些单元上移除；以及，在步骤906，将切割出的该些单元自第二胶膜上取下。需注意，本领域的技术人士将可轻易了解到，在维持本发明教示的前提下，本发明的元件与方法可加以修改或变形成多种态样。以上所述仅为本发明的较佳实施 例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种晶片切割方法，其包含下列步骤: 提供一晶片，该晶片具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面； 在该晶片的该第一表面粘上一第一胶膜； 在该晶片的该第二表面粘上一第二胶膜； 从该第一表面对该晶片进行一切割步骤，该切割步骤会切断该第一胶膜并将该晶片切割成多个单元，但未切断该第二胶膜； 在该切割步骤后的该第一胶膜上粘上一第三胶膜；以及 将该第三胶膜连同所附的该第一胶膜自该多个单元上移除。
2.如权利要求1所述的晶片切割方法，其中在粘上该第三胶膜的步骤与移除该第一胶膜与该第三胶膜的步骤之间，该晶片切割方法另包含进行一第一去粘性制作工艺，以去除该第一胶膜的粘性，且该去粘性制作工艺未去除该第二胶膜与该第三胶膜的粘性。
3.如权利要求2所述的晶片切割方法，其中该第一去粘性制作工艺包含加热或照紫外光。
4.如权利要求1所述的晶片切割方法，还包含在移除该第一胶膜与该第三胶膜之后从该第二胶膜上捡取该多个单元的至少一者。
5.如权利要求4所述的晶片切割方法，还包含在捡取该单元之前对该第二胶膜进行一第二去粘性制作工艺以去除该第二胶膜的粘性。
6.如权利要求1所述的晶片切 割方法，其中该晶片包含镜头晶片或感测器晶片。
全文摘要
本发明公开了一种晶片切割方法，其步骤包含提供一晶片、在晶片的第一表面粘上一第一胶膜、在晶片的第二表面粘上一第二胶膜、从第一表面对第一胶膜与晶片进行切割但不切断第二胶膜、在切割后的第一胶膜上粘上一层第三胶膜、以及将第三胶膜连同粘附的第一胶膜自晶片上移除。
文档编号B28D5/00GK103240806SQ201210024740
公开日2013年8月14日 申请日期2012年2月6日 优先权日2012年2月6日
发明者佐伟宗, 黄腾德 申请人:奇景光电股份有限公司