置环状的双面胶或胶粘剂层。双面胶具有胶粘剂层/巧材/胶粘剂层的结 构，双面胶的胶粘剂层没有特别限制，例如可W使用橡胶类、丙締酸类、娃酬类、聚己締離等 胶粘剂。在制造后述巧片时，胶粘剂层在其外周部粘贴于环形框架上。作为双面胶的巧材， 例如优选使用聚醋薄膜、聚丙締薄膜、聚碳酸醋薄膜、聚酷亚胺薄膜、氣树脂薄膜、液晶聚合 物薄膜等。
[0102] (带保护膜形成层的切割片的制造方法） 作为带保护膜形成层的切割片的制造方法，可列举出如下所示的方法。首先，在剥离 片上形成保护膜形成层。保护膜形成层可通过W下方式得到；将上述各成分W适当的比例 在适当的溶剂中混合形成保护膜形成层用组合物，将该保护膜形成层用组合物涂布在适当 的剥离片上并干燥，得到保护膜形成层。另外，也可W在剥离片上涂布保护膜形成层用组合 物，干燥成膜，将其与另外的剥离片贴合，形成保护膜形成层被两片剥离片夹持的状态（剥 离片/保护膜形成层/剥离片）。在制作多层保护膜形成层的情况下，另外进行上述操作， 准备多个被两片剥离片夹持的保护膜形成层，将各个剥离片剥离一片，使保护膜形成层露 出，通过将露出的保护膜形成层彼此叠层，得到被两片剥离片夹持的多层保护膜形成层。
[0103] 接着，在保护膜形成层被两片剥离片夹持的状态的情况下将一片剥离片剥离。然 后，将保护膜形成层W与待粘贴工件（例如半导体晶片等）相同的尺寸或大一圈的圆形起 模，对W圆形起模所得的保护膜形成层的周围进行除渣。另外，在被两片剥离片夹持的状态 的情况下，也可W将一片剥离片和保护膜形成层起模，对保护膜形成层连同剥离片进行除 渣，然后将起模所得的剥离片剥离。
[0104] 此处，对胶粘片3的制造方法进行说明。胶粘剂层2可W直接涂布在基材膜1上， 也可W在形成于剥离膜等工程薄膜（工程7斗；レ厶）上之后，再转印到基材膜上。作为形成 胶粘剂层2的涂布装置，可列举出漉涂机、刮刀涂布机、漉式刮刀涂布机、喷注式模涂布机 (fountain die coater)、槽模涂布机 blot die coater)、逆转涂布机（reverse coater) 等。
[0105] 另外，在胶粘剂层2具有能量线交联性的情况下，可W通过在胶粘剂层的涂布后 进行能量线照射，从而控制胶粘剂层的凝聚力。
[0106] 接着，将圆形的保护膜形成层4粘贴在由上述方法等准备的胶粘片3的胶粘剂层 2上，与对环形框架的粘贴部分的外径匹配地呈同屯、圆状起模，将起模所得的胶粘片的周围 除去。
[0107] 在欲使胶粘片的胶粘剂层含有可由能量线聚合的化合物的聚合物的情况下，在带 保护膜形成层的切割片的制造阶段，可W在将胶粘片与保护膜形成层贴合之前对胶粘剂层 照射能量线，使可由能量线聚合的化合物进行聚合，也可W在将胶粘片与保护膜形成层贴 合之后再对胶粘剂层照射能量线使之聚合。
[0108] 最后，通过将粘贴于保护膜形成层的剥离片剥离，得到本发明的带保护膜形成层 的切割片10。
[0109] (巧片的制造方法） 接着，对于本发明设及的带保护膜形成层的切割片10的使用方法，W将该片材用于制 造巧片（例如半导体巧片等）的情况为例进行说明。
[0110] 使用本发明设及的带保护膜形成层的切割片的半导体巧片的制造方法的特征在 于，将上述片材的保护膜形成层粘贴在表面形成有电路的半导体晶片（工件）的背面，按照 [(1)、（2)、（3)]、或[似、（1)、（3)]、或[似、（3)、（1)]的顺序进行W下工序（1)?(3)，得 到背面具有保护膜的半导体巧片。
[011U 工序（1);将保护膜形成层固化得到保护膜的工序、 工序（2);将半导体晶片（工件）W及保护膜形成层或保护膜切割的工序、 工序（3);将保护膜形成层或保护膜和胶粘片剥离的工序。
[0112] 另外，本发明设及的半导体巧片的制造方法除了上述工序（1)~(3) W外，还可W 进一步包括下列工序（4)，在上述工序（1)之后的任意工序中进行工序（4)， 工序（4);对保护膜进行激光印字的工序。
[0113] 半导体晶片可W是娃晶片，也可W是嫁/神等的化合物半导体晶片。晶片表面上 的电路的形成可W通过包括蚀刻法、剥离（lift-off)法等现有通用的方法在内的各种方 法来进行。然后，对半导体晶片的电路面的相反面（背面）进行研磨。研磨法没有特别限 审IJ，可W通过使用了研磨机等的公知手段进行研磨。在背面研磨时，为了保护表面电路而在 电路面粘贴被称为表面保护片的胶粘片。背面研磨是利用吸盘台等固定晶片的电路面侧 (即表面保护片侧），利用研磨机对未形成电路的背面侧进行研磨。晶片研磨后的厚度没有 特别限制，通常为20?500 ym左右。然后，根据需要，将背面研磨时产生的破碎层除去。破 碎层的除去通过化学蚀刻、等离子体蚀刻等进行。
[0114] 接着，在半导体晶片的背面粘贴上述带保护膜形成层的切割片的保护膜形成层。 然后，按照[(1)、（2)、（3)]、或[(2)、（1)、（3)]、或[(2)、（3)、（1)]的顺序进行工序（1)~(3)。 作为其中一例，对按照[(1)、（2)、（3)]的顺序进行工序（1)~(3)的情况进行说明。应予说 明，在W下说明中，在进行（1)工序之后且进行（2)工序之前，进行（4)工序。
[0115] 首先，将上述带保护膜形成层的切割片的保护膜形成层粘贴在表面形成有电路的 半导体晶片的背面。然后将保护膜形成层固化，晶片的整面形成保护膜。结果，在晶片背面 形成有保护膜，与单独使用晶片的情况相比强度提高，因此能够减少操作时变薄的晶片的 破损。另外，与在晶片或巧片的背面直接涂布保护膜用的涂布液并被膜化的涂布法相比，保 护膜厚度的均匀性优异。
[0116] 另外，在本发明的带保护膜形成层的切割片中保护膜形成层具有热固性的情况 下，通过使用耐热性优异的基材膜，可较理想地发挥抑制由热固化时的变形产生的松弛，使 切割或拾取（从保护膜剥离胶粘片）变得容易该样的效果。
[0117] 接着，优选对固化后的保护膜形成层（保护膜）进行激光印字。激光印字可W由 激光打标法进行，通过利用激光的照射隔着胶粘片削掉保护膜的表面，由此在保护膜上标 记产品编号（品番）等。根据本发明的带保护膜形成层的切割片，即使是极薄的晶片也可 W抑制晶片的翅曲，因此可W准确地确定激光的焦点，精度良好地进行打标。
[0118] 然后，依照每个形成于晶片表面的电路对半导体晶片和带保护膜形成层的切割片 的叠层体（半导体晶片、保护膜和胶粘片的叠层体）进行切割，得到半导体巧片和带保护膜 形成层的切割片的叠层体。将晶片和保护膜一起切断地进行切割。根据本发明的带保护膜 形成层的切割片，由于切割时胶粘片对保护膜具有充分的粘附力，因此能够防止剥落（子 ッlfシク）或巧片飞散（飛货），切割适应性优异。切割没有特别限制，作为一例，可列举出 W下方法等：在晶片切割时利用环形框架将带保护膜形成层的切割片的周边部（胶粘片的 外周部）固定后，通过使用切割银片等旋转圆刀等的公知方法进行晶片的巧片化。切割时 对胶粘片的切入深度只要将保护膜形成层完全切断即可，优选从与保护膜形成层的界面起 0?30 ym。通过减小对基材膜的切入量，可W抑制因切割银片的摩擦造成的基材膜的烙融、 或基材膜上毛刺等的发生。
[0119] 然后，可W对上述胶粘片进行扩展。在选择伸展性优异的基材膜作为本发明的胶 粘片的基材膜的情况下，本发明的带保护膜形成层的切割片具有优异的扩展性。通过用夹 头等通用手段拾取切割所得的带保护膜的半导体巧片，将保护膜和胶粘片剥离。其结果，可 W得到背面具有保护膜的半导体巧片（带保护膜的半导体巧片）。认为在本发明的带保护 膜形成层的切割片中，通过胶粘剂层2中所含的游离的含环氧基的化合物，在胶粘剂表面 形成油膜状薄膜，从而胶粘剂层2与保护膜形成层（或保护膜）的相互作用减少，胶粘剂层 2与保护膜形成层（或保护膜）之间的剥离变得容易。其结果，能够容易地进行带保护膜形 成层（或保护膜）的半导体巧片的拾取。
[0120] 根据该样的本发明的制造方法，能够在巧片背面简便地形成厚度均匀性高的保护 膜，不易产生切割工序或封装后的裂缝。另外，根据本发明，与将形成有保护膜的晶片转贴 (貼9替义）到切割带上进行切割的现有的工序相比，无需进行对切割带的转贴即可获得 带保护膜的巧片，从而能够实现制造工序的简略化。另外，无需将因研磨而脆弱化的晶片W 单体进行处理，因此晶片破损的危险降低。进而，虽然薄型化晶片会因保护膜的固化收缩而 发生翅曲，但由于用胶粘片支持晶片因此也可W抑制翅曲。而且，可W通过将半导体巧片W 倒装方式安装在规定的基台上制造半导体装置。另外，也可w通过将背面具有保护膜的半 导体巧片粘合在焊垫（die pad)部或另外的半导体巧片等其它的部件上（巧片搭载部上）， 来制造半导体装置。
[0121] 应予说明，在按照[(2)、（1)、（3)]的顺序进行工序（1)~(3)的情况下，通过使用本 发明的带保护膜形成层的切割片，也能获得可W容易地进行带保护膜的半导体巧片的拾取 该一效果。W往，在保护膜形成层固化后（工序（1)后），存在难W将带保护膜的巧片从胶 粘片剥离（工序（3))该一问题。但是，根据本发明可解决此问题。因此，在本发明中，在工 序做之前进行工序（1)的情况，即按照[(1)、（2)、（3)]的顺序或[似、（1)、（3)]的顺序 进行工序（1)?(3)的情况下，可优选适用。进而，在按照[(2)、（3)、（1)]的顺序进行工序 (1)~(3)的情况下，通过使用本发明的带保护膜形成层的切割片，能够容易地进行带保护膜 形成层的半导体巧片的拾取，然后，通过将保护膜形成层固化（工序（1))，可获得带保护膜 的半导体巧片。保护膜形成层的固化也可W在最终进行的树脂封装时的加热工序中进行。 实施例
[012引 W下，利用实施例对本发明进行说明，但本发明不限于该些实施例。应予说明，在 W下实施例和比较例中，对 < 粘附力〉、< 拾取适应性〉、< 对巧片托盘的附着性〉如下进行 测定、评价。另外，使用下列 < 保护膜形成层用组合物〉、< 胶粘剂组合物〉、< 基材〉制成< 带保护膜形成层的切割片〉。
[0123] <胶粘片和保护膜之间的粘附力〉 将带保护膜形成层的切割片裁切成25mm宽作为试样，在70°C下边加热边粘贴在镜面 娃晶片（silicon mirror wafer)上。然后为了使保护膜形成层固化而