晶片的处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理 的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。
【背景技术】
[0002] 在半导体巧片的制造工序中，为了在晶片的加工时易于操作或不发生破损而将晶 片固定于支承板。例如，在将从高纯度的娃单晶等切下的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制 成薄膜晶片的情况下，借助胶粘剂组合物将厚膜晶片粘接于支承板。
[0003] 对于将晶片粘接于支承板的胶粘剂组合物来说，要求在加工工序中将晶片尽可能 牢固地固定的高粘合性，并且要求在工序结束后能够将晶片剥离而不会损伤晶片（W下， 也称为"高粘接易剥离"。）。
[0004] 作为实现了高粘接易剥离的胶粘剂组合物，专利文献1中记载了一种使用了双面 粘合带的晶片的处理方法，所述双面粘合带具有含有偶氮化合物等通过照射紫外线而产生 气体的气体发生剂的粘合层。在专利文献1所记载的晶片的处理方法中，首先，借助双面粘 合带将晶片固定于支承板。当在该状态下进行了磨削工序等之后照射紫外线时，由气体发 生剂产生的气体被释放至粘合带的表面与晶片的界面，晶片的至少一部分因气体的压力而 被剥离。
[0005] 专利文献1中记载的晶片的处理方法能够W不损伤处理后的晶片且不发生残胶 的方式进行剥离，因此是极为优异的方法。但是，由于半导体装置的逐渐普及，而需要持续 不断对晶片的处理方法作进一步的改良。专利文献1中记载的晶片的处理方法如今在生产 效率方面已感觉无法令人满意。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[000引专利文献1 ;日本特开2003-231872号公报
【发明内容】
[0009] 发明要解决的课题
[0010] 本发明鉴于上述现状而完成，其目的在于提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于 支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，该处理方法实现了更高的生产效率。
[0011] 用于解决课题的方法
[0012] 本发明为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，该工序是借助胶粘剂组 合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫 外线而产生气体的气体发生剂；晶片处理工序，该工序是对固定于所述支承板的晶片实施 处理的工序；W及支承板剥离工序，该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气 体发生剂产生气体，从而将支承板从晶片上剥离的工序，其中，在所述支承板剥离工序中， 使用照射强度为100mW/cm 2W上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进 行照射。
[0013] W下，详述本发明。
[0014] 本申请的发明人就专利文献1中记载的晶片的处理方法的整体而对生产效率进 行了再次研究。并且发现；对处理后的晶片照射紫外线而使气体发生剂产生气体，从而将支 承板从晶片上剥离的工序限制了速率。目P，从开始照射紫外线至能够将晶片和支承板剥离 为止耗费时间，由此对整体的生产效率带来影响。
[0015] 在W往的晶片的处理方法中，紫外线均匀地照射晶片的整个面。但是，对于该种方 法而言，认为紫外线的照射强度低，气体的产生所带来的剥离压力不充分，因此剥离耗费时 间。与此相对，虽然也考虑了使用高照射能量的紫外线照射装置，但毕竟目前能够达到该种 程度的大照射量的紫外线照射装置并未在市场上有售，即使在市场有售，价格也会比较昂 贵，而且存在产生高温而给晶片带来不良影响的可能。此外，在使紫外线均匀照射晶片的整 个面时，所产生的气体留在支承板与胶粘剂组合物之间，因而存在如下可能；破坏薄且脆弱 的晶片；或者支承板变形而使晶片侧的胶粘剂组合物发生剥离，无法仅剥离支承板，因而给 晶片的处理的作业工序带来较大影响。
[0016] 若限制到点状或线状的狭窄区域，则能够W 100mW/cm2W上的高照射强度照射紫 外线的紫外线照射装置在市场上有售。因此，本申请的发明人进一步深入进行了研究，结果 发现，使用照射强度100mW/cm 2W上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方 式进行照射，由此可控制气体产生的部位，能够使所产生的气体不停留在支承板与胶粘剂 组合物之间，并且显著缩短从开始照射紫外线至能够剥离晶片与支承板为止的时间，由此 能够改善整体的生产效率，从而完成了本发明。
[0017] 在本发明的晶片的处理方法中，首先，进行借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承 板的支承板固定工序，其中，所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分、和通过刺激而产生气体的 气体发生剂。通过将晶片固定于支承板，从而能够在加工时易于操作，不发生破损。
[001引上述胶粘剂成分没有特别限定，可W含有非固化型胶粘剂、固化型胶粘剂中的任 一种。
[0019] 在上述胶粘剂成分含有非固化型胶粘剂的情况下，通过在后述的支承板剥离工序 中对胶粘剂组合物赋予刺激，从而由上述气体发生剂产生气体，柔软的胶粘剂成分的整体 因所产生的气体而发泡，在表面形成凹凸，与被粘物的粘接面积减少而发生剥离。
[0020] 在上述胶粘剂成分含有固化型胶粘剂的情况下，通过在后述的支承板剥离工序中 对胶粘剂组合物赋予刺激，从而由上述气体发生剂产生气体，所产生的气体从固化了的胶 粘剂成分向与被粘物的界面释放，通过其压力而使被粘物的至少一部分发生剥离。
[0021] 其中，从能够进行可靠的剥离而不发生残胶的方面考虑，优选含有弹性模量因刺 激而上升的固化型胶粘剂。
[0022] 上述非固化型胶粘剂不受特别限定，例如可举出橡胶系胶粘剂、丙締酸系胶粘剂、 己締基烧基離系胶粘剂、娃酬系胶粘剂、聚醋系胶粘剂、聚酷胺系胶粘剂、氨基甲酸醋系胶 粘剂、苯己締-二締嵌段共聚物系胶粘剂等。
[0023] 上述固化型胶粘剂不受特别限定，例如可举出W聚合性聚合物作为主成分且含有 光聚合引发剂或热聚合引发剂的光固化型胶粘剂或热固化型胶粘剂。
[0024] 对于该种光固化型胶粘剂或热固化型胶粘剂而言，胶粘剂整体因光的照射或加热 而均匀且快速地发生聚合交联，进而一体化，因此聚合固化所致的弹性模量的上升变得显 著，粘接力大幅降低。另外，在弹性模量上升后的硬的固化物中，若由上述气体发生剂产生 气体，则所产生的大部分气体被释放至外部，被释放的气体使粘合剂的粘接面的至少一部 分从被粘物剥离，使粘接力降低。
[0025] 上述聚合性聚合物例如可W通过预先合成在分子内具有官能团的（甲基）丙締酸 系聚合物（W下，称为含官能团（甲基）丙締酸系聚合物。），再使其与在分子内具有可与 上述官能团反应的官能团和自由基聚合性的不饱和键的化合物（W下，称为含官能团不饱 和化合物。）反应来获得。
[0026] 上述含官能团（甲基）丙締酸系聚合物作为在常温下具有粘合性的聚合物，可与 通常的（甲基）丙締酸系聚合物的情况同样如下所述地获得；W烧基的碳数通常处于2? 18的范围的丙締酸烧基醋和/或甲基丙締酸烧基醋为主要单体，通过常规方法使其与含官 能团单体、W及进一步根据需要所使用的能够与它们共聚的其他改性用单体进行共聚而获 得。上述含官能团（甲基）丙締酸系聚合物的重均分子量通常为20万?200万左右。
[0027] 作为上述含官能团单体，例如可举出；丙締酸、甲基丙締酸等含駿基单体；丙締酸 哲基己醋、甲基丙締酸哲基己醋等含哲基单体；丙締酸缩水甘油醋、甲基丙締酸缩水甘油醋 等含环氧基单体；丙締酸异氯酸醋基己醋、甲基丙締酸异氯酸醋基己醋等含异氯酸醋基单 体；丙締酸氨基己醋、甲基丙締酸氨基己醋等含氨基单体等。
[002引作为上述能够共聚的其他改性用单体，例如可举出己酸己締醋、丙締膳、苯己締等 通常的用于（甲基）丙締酸系聚合物的各种单体。