1.一种MEMS结构，包括：
模板层，所述模板层包括用于限定空腔的第一凹槽；
位于所述模板层上的停止层，所述停止层覆盖所述第一凹槽的底部和侧壁，从而形成与所述第一凹槽相对应的所述空腔；
位于所述空腔上的掩模层，所述掩模层包括与所述空腔连通的多个释放孔；以及
位于所述掩模层上的封闭层，所述封闭层封闭所述多个释放孔，
其特征在于，所述模板层还包括围绕所述第一凹槽的多个第二凹槽，所述多个第二凹槽与所述释放孔的位置相对应，所述封闭层包括多个突出部，所述多个突出部穿过所述多个释放孔插入至所述多个第二凹槽中，从而形成栓塞以封闭所述多个释放孔，其中，所述第一凹槽的第一深度大于第二凹槽的第二深度。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个第二凹槽分别包括在所述模板层的表面暴露的第一开口，以及在所述第一凹槽的侧壁暴露的第二开口，所述第一开口与所述多个释放孔的相应一个释放孔连通，所述第二开口与所述第一凹槽连通。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，还包括：用于支撑所述模板层的支撑层。
4.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一凹槽穿透所述模板层。
5.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述释放孔的横向尺寸为0.1微米至5微米。
6.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述模板层由选自金属、半导体、非晶硅、氧化硅和氮化硅任一种的材料组成。
7.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述掩模层和所述停止层分别由耐蚀材料组成。
8.根据权利要求7所述的MEMS结构，其特征在于，所述耐蚀材料包括选自钽、金、氮化铝、氧化铝和非晶硅中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述封闭层由选自氮化铝、氧化硅和氮化硅任一种的材料组成。
10.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个释放孔的截面形状为选自圆形、椭圆形、三角形、矩形、五边形中的任一种。
11.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个第二凹槽的截面形状为选自圆形、椭圆形、三角形、矩形、五边形中的任一种。
12.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，还包括：位于所述封闭层上的压电叠层。
13.根据权利要求12所述的MEMS结构，其特征在于，所述压电叠层包括依次堆叠的第一电极、压电层和第二电极。
14.一种MEMS组件，包括：
CMOS电路；以及
根据权利要求1至13中任一项所述的MEMS结构，
其特征在于，所述CMOS电路与所述MEMS结构相连接，用于向所述MEMS结构提供驱动信号以及接收所述MEMS结构的检测信号。
15.一种MEMS组件，包括：
TFT电路；以及
根据权利要求1至13中任一项所述的MEMS结构，
其特征在于，所述TFT电路与所述MEMS结构相连接，用于选择性地将所述MEMS结构的一部分连接至外部电路，所述外部电路向所述MEMS结构提供驱动信号以及接收所述MEMS结构的检测信号。