1.一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1，纳米线条结构模板的制作；
步骤1.1，在石英玻璃基片一的一侧表面涂覆光刻胶一；
步骤1.2，对光刻胶一进行全息曝光，曝光结束后显影，直至在光刻胶一出现纳米线条结构；
步骤1.3，将显影后的光刻胶一在保护气下进行离子束刻蚀，刻蚀结束后去除光刻胶得到纳米线条结构模板；
步骤2，纳米压印转移模板上的纳米线条结构；
步骤2.1，在石英玻璃基片二上涂覆光刻胶二；
步骤2.2，将步骤1获得的纳米线条结构模板涂覆脱模剂后压入光刻胶二后对其进行紫外曝光直至该模板上的纳米线条结构转移到光刻胶二上；
步骤2.3，转移完成后，将光刻胶二进行改性固化，脱除纳米线条结构模板，得到纳米线条结构基片；
步骤3，将纳米线条结构基片上纳米线条结构区域分成若干部分，按照顺序以渐变角度将二氧化硅薄膜一一沉积在每部分的纳米线条结构表面，以形成渐变尺寸的纳米通道。
2.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤1.1中，涂覆光刻胶一的条件为：匀胶机转速1000～2000r/min，时间为30s，涂覆厚度为180～220nm，并于90℃保温30min。
3.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤1.2中，全息曝光的条件为：曝光时间4～5分钟；波长442m，光强130mw。
4.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤1.3中刻蚀的通道的宽深比为1:(2～2.5)。
5.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤2.1中，涂覆光刻胶二的条件为：匀胶机转速是先600r/min9秒，然后2000r/min60秒，涂覆厚度为2～2.5μm，并于90℃保温10min。
6.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤2.2中，脱模剂由有机硅脱模剂和异丙醇按照体积比为1:200混合而成。
7.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤2.2中，紫外曝光的条件为：曝光时间2分钟，曝光剂量为200mj/cm2。
8.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤2.3中，改性固化的条件为：温度为90℃，时间为10min。
9.根据权利要求1所述的一种渐变尺寸的纳米通道的制作方法，其特征在于：所述步骤3中渐变角度范围在25～80℃。
10.一种渐变尺寸的纳米通道，其特征在于：是采用权利要求1～9任意一项所述的制作方法制作。