技术特征：
1.热电堆红外探测器制作过程释放薄膜的工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）热生成sio
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薄膜：在抛光好的si基底使用热氧化法生成sio
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薄膜；（2）溅射金属层：根据热电堆悬浮窗的尺寸在相应的位置腐蚀去除相同尺寸的sio
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制成空腔，在剩余未腐蚀的sio
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薄膜上施加光刻胶保护，再在空腔内溅射0.5微米厚的易腐蚀的金属层，清洗干净；（3）生成氮化硅层：用化学气相沉淀法在整体上生成0.5微米厚的氮化硅层；（4）生成多晶硅层：用低压力化学气相沉积法在氮化硅层上生成0.8微米厚的多晶硅层，将材料b离子（元素）使用离子注入机注入到多晶硅层上；（5）制备多晶硅条：在多晶硅层上施加光刻胶，再使用光刻机按照预设的排列方式将多晶硅层制成多晶硅条，多晶硅条即热电偶条；（6）生成sio
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层：使用低压气相沉淀法在步骤（5）的半成品上生成0.5微米的sio
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层作为绝缘层，并通过光刻工艺制造接触窗口使接触窗口内的多晶硅裸露；（7）制备电极：在步骤（6）的半成品上溅射多晶硅上溅射一层金属层，接触窗口内裸露的多晶硅上表面与该金属层接触，使用光刻机将该金属层光刻腐蚀保留接触窗口上的金属层，接触窗口上的金属层形成热电偶条的电极；（8）腐蚀金属层：在易腐蚀的金属层上方刻蚀贯穿sio
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层、多晶硅和氮化硅层的腐蚀通道，将腐蚀液从该腐蚀通道进入并将易腐蚀的金属层完全腐蚀，清理干净；（9）制造悬浮窗空腔：使xef
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气体从腐蚀通道进入被腐蚀了金属层的空腔里，把下面si基底进一步腐蚀确保空腔内的sio
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薄膜完全被释放。2.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于：sio
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薄膜的厚度为0.5
±
0.1微米。3.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于：步骤（2）中使用氟化氢直接腐蚀sio
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薄膜。4.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于：易腐蚀金属层为铝层或者铜层。5.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于：步骤（4）中注入b离子使电阻为50
±
5欧姆。6.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于：步骤（8）中所使用的腐蚀液为fecl
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溶液。